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氧化鎵技術(shù)研究再獲新突破

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2022-07-28 11:22:552411

國產(chǎn)氧化研究,取得新進(jìn)展

如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu),緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化P型摻雜目前尚未解決,PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。
2022-12-21 10:21:581332

氮化技術(shù)是誰突破技術(shù)

氮化技術(shù)是誰突破技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化應(yīng)用范圍非常廣泛,氮化在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化技術(shù)是誰突破技術(shù)? 氮化技術(shù)是誰突破技術(shù)
2023-02-16 17:48:445868

氧化的性能、應(yīng)用和成本 氧化的應(yīng)用領(lǐng)域

我國的氧化襯底能夠小批量供應(yīng),外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白,研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。
2023-02-22 10:59:334889

“第四代半導(dǎo)體” 迎重大突破!能否改變行業(yè)新技術(shù)

中國電科46所氧化團(tuán)隊從大尺寸氧化熱場設(shè)計出發(fā),成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化單晶生長的熱場結(jié)構(gòu),突破了6英寸氧化單晶生長技術(shù),可用于6英寸氧化單晶襯底片的研制,將有力支撐我國氧化材料實用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2023-03-23 09:35:542366

氧化有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06977

氧化薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

以金剛石、氧化、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性,有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ絹碓降玫絿鴥?nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:291155

環(huán)氧基銀導(dǎo)電涂層性能優(yōu)化技術(shù)研究

溫度、比熱容及熱焓等環(huán)氧基銀導(dǎo)電涂層性能優(yōu)化技術(shù)研究【束俊杰機(jī)械科學(xué)研究總院】環(huán)氧基銀導(dǎo)電涂層性能優(yōu)化技術(shù)研究上海和晟HS-DSC-101B差示掃描量熱儀
2023-03-21 14:13:33891

氧化異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強(qiáng)高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢, 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 10:24:022970

三菱電機(jī)入局氧化,加速氧化功率器件走向商用

三菱電機(jī)公司近日宣布,它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化晶圓的日本公司,氧化晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機(jī)打算加快開發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體,以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30926

氧化薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化(Ga2O3)半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-17 14:24:162130

深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化異質(zhì)外延薄膜研究

近年來,氧化(Ga2O3)半導(dǎo)體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化具有4.9 eV的超寬禁帶,高于第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)的3.2 eV和氮化(GaN)的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:441442

基于ZIGBEE的無線定位技術(shù)研究

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于ZIGBEE的無線定位技術(shù)研究.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-19 11:46:210

雷達(dá)高速通信技術(shù)研究分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雷達(dá)高速通信技術(shù)研究分析.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-06 10:02:230

北京銘半導(dǎo)體引領(lǐng)氧化材料創(chuàng)新,實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破

北京順義園內(nèi)的北京銘半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展,其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
2024-06-05 10:49:071852

ACS AMI:通過襯底集成和器件封裝協(xié)同設(shè)計實現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化MOSFETs

風(fēng)電等功率模組應(yīng)用需求。然而氧化熱導(dǎo)率極低,限制了氧化高功率器件的發(fā)展。近日,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所(以下簡稱為上海微系統(tǒng)所)異質(zhì)集成XOI課題組與哈爾濱工業(yè)大學(xué)孫華銳教授課題組通過“萬能離子刀”剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)制備了
2024-11-13 11:16:271884

仁半導(dǎo)體成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化單晶導(dǎo)電摻雜

VB法4英寸氧化單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實現(xiàn)4英寸氧化單晶
2025-02-14 10:52:40902

佛山智能裝備技術(shù)研究院機(jī)器人動力學(xué)研究成果取得世界級突破

佛山智能裝備技術(shù)研究院(以下簡稱“智能裝備院”)在蛇年伊始迎來了“開門紅”,其機(jī)器人動力學(xué)研究取得了世界級突破
2025-02-20 10:02:561119

我國首發(fā)8英寸氧化單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來了新的機(jī)遇和動力。一、氧化8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化(Ga?O?)作為第四代半導(dǎo)體材料的代表,具有超寬的禁帶寬度(約4.8eV),遠(yuǎn)
2025-03-07 11:43:222418

氧化器件的研究現(xiàn)狀和應(yīng)用前景

在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域,氧化器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。泰克中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計算機(jī)工程教授黃文海教授,圍繞氧化器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。
2025-04-29 11:13:001029

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