在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。
2025-07-11 09:12:48
2948 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類(lèi)似，都難以通過(guò)離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:094855 
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過(guò)調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續(xù)調(diào)整，兼具寬禁帶半導(dǎo)體特性與靈活的功能可設(shè)計(jì)性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2025-05-23 16:33:201474 
氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。本文聚焦于 Ga2O3射頻器件
2025-06-11 14:30:062165 
成國(guó)內(nèi)首條集晶體生長(zhǎng)、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線(xiàn)。行業(yè)分析人士表示，氧化鎵是第四代半導(dǎo)體材料，在市場(chǎng)對(duì)性能好、損耗低、功率密度高的功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場(chǎng)發(fā)展潛力巨大
2023-03-15 11:09:59
車(chē)、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展潛力。本分會(huì)的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長(zhǎng)、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開(kāi)發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
PXI技術(shù)由那幾部分組成？PXI規(guī)范的最新發(fā)展趨勢(shì)是什么
2021-05-11 06:24:37
本文將對(duì)PXI規(guī)范進(jìn)行概述并介紹一些最新發(fā)展。
2021-05-07 06:28:53
DN4-RS232接口的新發(fā)展
2019-06-13 07:19:27
什么？MCU具有什么功能？在未來(lái)又將有哪些創(chuàng)新發(fā)展呢？這篇文章將會(huì)為大家詳細(xì)解答。 一、什么是MCU，具有什么功能？ MCU是Microcontroller Unit 的簡(jiǎn)稱(chēng)，中文叫微控制器，俗稱(chēng)單片機(jī)
2023-04-10 15:07:42
市場(chǎng)的銷(xiāo)售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣
2019-07-31 07:54:41
市場(chǎng)的銷(xiāo)售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
人臉識(shí)別技術(shù)最新發(fā)展與研究 2013年全國(guó)圖形圖像技術(shù)應(yīng)用大會(huì)將在十一月初召開(kāi)，本次大會(huì)大會(huì)將邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)圖像圖形處理技術(shù)領(lǐng)域的著名專(zhuān)家，就圖像圖形處理技術(shù)的應(yīng)用和最新動(dòng)態(tài)做特邀報(bào)告。并邀請(qǐng)圖像圖形技術(shù)
2013-09-25 16:08:41
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)
2019-07-08 04:20:32
傳感器技術(shù)的新發(fā)展傳感器象人的五官一樣，是獲取信息的重要工具。它在工業(yè)生產(chǎn)、國(guó)防建設(shè)和科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的作用。但與飛速發(fā)展的計(jì)算機(jī)相比較，作為“五官”的傳感器遠(yuǎn)遠(yuǎn)趕不上作為“大腦”的計(jì)算機(jī)
2009-08-11 20:20:54
嵌入式系統(tǒng)的最新發(fā)展及技術(shù)有哪些？誰(shuí)能幫助我嗎
2015-03-15 10:50:01
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
滿(mǎn)足軍方對(duì)小型高功率射頻器件的需求，WBST 計(jì)劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍(lán)光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗(yàn)。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計(jì)劃特準(zhǔn)計(jì)劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
用于5V供電的RS-232驅(qū)動(dòng)器/接收器的RS232接口的新發(fā)展，片上電源發(fā)生器產(chǎn)生超過(guò)LT1080要求的過(guò)剩功率
2020-06-11 14:39:31
`物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代下，基于大數(shù)據(jù)和人工智能算法實(shí)現(xiàn)的萬(wàn)物互聯(lián)，重構(gòu)了新業(yè)態(tài)、新模式、新發(fā)展，為智造業(yè)注入新鮮血液。就此，我們特邀知名元器件電商平臺(tái)、方案商和芯片商一起探討分享在新的時(shí)代背景下，如何通過(guò)AI
2017-11-15 14:53:52
。具有10ns以下最低脈沖寬度以及更短傳播延遲的器件在實(shí)現(xiàn)那些能夠支持更高功率密度發(fā)展趨勢(shì)的拓?fù)浞矫姘l(fā)揮了關(guān)鍵作用。很多高功率密度演示使用了高性能數(shù)字電源控制器，這些控制器本身不會(huì)消耗很多電能，但需要
2018-09-11 14:30:18
。然而這一趨勢(shì)也帶來(lái)了諸多挑戰(zhàn)，如全新的拓?fù)洌o(wú)橋功率因數(shù)糾正）、更高的開(kāi)關(guān)頻率，當(dāng)然也包括功效的提高。在輔助器件方面，我們也擁有了全新的技術(shù)：諸如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 開(kāi)關(guān)器件等寬
2018-10-08 15:35:33
電調(diào)天線(xiàn)主要有哪些新發(fā)展和創(chuàng)新？
2019-08-14 07:01:42
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
在本文中，我們將考察超低功耗隔離領(lǐng)域的最新發(fā)展，其與現(xiàn)有技術(shù)的關(guān)系，以及其實(shí)現(xiàn)方式。同時(shí)，我們還將探討可以從這類(lèi)新器件受益的多種應(yīng)用。
2021-04-06 07:21:41
被用作絕緣體了，而氧化鎵有一組獨(dú)特的特性，它可以作為功率切換和射頻電子器件的半導(dǎo)體從而發(fā)揮巨大作用。它的特點(diǎn)之一是，通過(guò)摻雜的方法，可以在氧化鎵中加入電荷載流子，使其更具導(dǎo)電性。摻雜包括向晶體添加
2023-02-27 15:46:36
工控電源用戶(hù)通常要處理浮動(dòng)或具有不同接地的器件，經(jīng)常要測(cè)量帶來(lái)嚴(yán)重危害的高電壓和高電流。另一方面，涉及功率電子器件的設(shè)備設(shè)計(jì)人員必需檢驗(yàn)電路，保證其符合法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。因此，他們需要測(cè)量?jī)x器能夠提供杰出
2017-08-22 09:28:41
固體氧化物燃料電池研究進(jìn)展和發(fā)展動(dòng)態(tài)1在已研究發(fā)展的六類(lèi)固體氧化物燃料電池電解質(zhì)中，釔穩(wěn)定氧化鋯（YSZ）、稀土金屬摻雜氧化鈰（RDC）、堿土摻雜鎵酸鑭（L
2009-11-09 11:48:04
13 本文介紹了國(guó)外各有關(guān)公司在電力系統(tǒng)開(kāi)展LCC研究工作的最新發(fā)展，通過(guò)和他們的直接聯(lián)系和接觸，了解各公司如何結(jié)合電力系統(tǒng)對(duì)可靠性要求高的特點(diǎn)把單個(gè)設(shè)備的LCC和整個(gè)系統(tǒng)
2009-12-24 13:35:0921 摘 要:綜述了國(guó)外永磁傳動(dòng)技術(shù)的最新發(fā)展。應(yīng)用領(lǐng)域拓寬、技術(shù)性能提高；出現(xiàn)一些新技術(shù)、新工藝、新結(jié)構(gòu)；應(yīng)用先進(jìn)制造技術(shù)與管理，使磁力泵更加高效、可靠與耐用
2009-12-29 16:14:1811 Modbus通信最新發(fā)展
OPC為OLE for Process Control的縮寫(xiě)。是工業(yè)界最先進(jìn)的資料交換標(biāo)準(zhǔn)。回顧自動(dòng)控制系統(tǒng)的發(fā)展，無(wú)論是DCS、PLC、監(jiān)控套裝或控制器等系統(tǒng)，都會(huì)
2010-04-01 14:40:1329 紐約時(shí)報(bào)：iPad自主A4芯片標(biāo)志蘋(píng)果新發(fā)展方向
2010-02-02 17:43:10849 IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過(guò)封裝和改善結(jié)構(gòu)來(lái)優(yōu)化性能提升效率，不過(guò)隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 上海舉辦的PCIM Asia (電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng))展會(huì)上發(fā)表演說(shuō)，闡釋功率電子技術(shù)的最新發(fā)展狀況和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2011-06-27 22:24:111213 本文核心提示 ：本文是關(guān)于OLED最新發(fā)展的深入剖析。主要闡述OLED技術(shù)的現(xiàn)狀、OLED技術(shù)的優(yōu)勢(shì)、OLED技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)、各廠(chǎng)商O(píng)LED技術(shù)的應(yīng)用等。OLED技術(shù)在近幾年大放異彩，大家可以在手
2012-08-30 09:41:484681 PXI平臺(tái)的出現(xiàn)為自動(dòng)化測(cè)試提供了一種新的思路。全球各地的用戶(hù)基于PXI平臺(tái)在多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)各種不同的應(yīng)用。本文將對(duì)PXI規(guī)范進(jìn)行概述并介紹一些最新發(fā)展及應(yīng)用。
2013-01-21 11:24:222087 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PLC的最新發(fā)展趨勢(shì) (1).doc》資料免費(fèi)下載
2017-04-19 16:40:004 引領(lǐng)新發(fā)展：在云時(shí)代實(shí)現(xiàn)_IT_與業(yè)務(wù)的統(tǒng)一
2016-12-28 11:13:110 各國(guó)5G頻率最新發(fā)展現(xiàn)狀
2018-01-19 16:01:1710732 近日，在“2018年產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)與數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)大會(huì)——首屆工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)創(chuàng)新發(fā)展暨兩化融合推進(jìn)會(huì)”上，國(guó)家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心尹麗波主任發(fā)布并解讀了《工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)創(chuàng)新發(fā)展白皮書(shū)（2018）》。
2018-12-23 11:18:515296 美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)、美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國(guó)大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān)，展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵（Ga2O3）的特性、能力、電流限制和未來(lái)發(fā)展前景。
2018-12-28 16:30:116687 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長(zhǎng)、高性能二極管以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制進(jìn)展。同時(shí)對(duì)氧化鎵低熱導(dǎo)率特性的規(guī)避提供了可選擇的方案，對(duì)氧化鎵未來(lái)發(fā)展前景進(jìn)行了展望。
2019-01-10 15:27:1017618 
氧化鎵應(yīng)用范圍從實(shí)現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場(chǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等各個(gè)方面。但Ga2O3還是存在一個(gè)重要的直接缺點(diǎn)：它的導(dǎo)熱率很低（10-30 W/m-K，對(duì)比SiC 330 W/m-K
2019-01-24 11:47:1119623 
關(guān)鍵詞：gan , SiC , 導(dǎo)通電阻 , 功率元件 , 氧化鎵 技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件.pdf(930.95 KB, 下載次數(shù): 5) 2012-4-21 09
2019-02-11 11:08:011450 
天津大學(xué)副校長(zhǎng)王樹(shù)新教授作了主題為《服務(wù)機(jī)器人的新發(fā)展與新突破》的報(bào)告，為大家?guī)?lái)了關(guān)于新工科、水下機(jī)器人和醫(yī)療機(jī)器人發(fā)展的新思路。
2019-06-26 09:02:343480 近日，國(guó)家發(fā)改委等11個(gè)國(guó)家部委聯(lián)合印發(fā)《智能汽車(chē)創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略》?！吨悄芷?chē)創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略》指出，智能汽車(chē)已成為全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略方向，我國(guó)擁有智能汽車(chē)發(fā)展的戰(zhàn)略?xún)?yōu)勢(shì)。
2020-02-27 15:13:241742 建設(shè)合肥綜合性國(guó)家科學(xué)中心人工智能研究院，開(kāi)展基礎(chǔ)研究、應(yīng)用基礎(chǔ)研究、技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用示范，為人工智能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展提供強(qiáng)大知識(shí)儲(chǔ)備和技術(shù)支撐。
2020-03-19 10:02:513383 在提到今年重點(diǎn)工作時(shí)，羅市長(zhǎng)指出，將大力發(fā)展新經(jīng)濟(jì)培育新動(dòng)能，積極推動(dòng)國(guó)家數(shù)字經(jīng)濟(jì)創(chuàng)新發(fā)展試驗(yàn)區(qū)、國(guó)家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗(yàn)區(qū)建設(shè)，加快發(fā)展區(qū)塊鏈、5G、8K、人工智能等產(chǎn)業(yè)
2020-06-11 14:43:422702 從器件的角度來(lái)看， Ga 2 O 3 的Baliga品質(zhì)因子要比SiC高出二十倍。對(duì)于各種應(yīng)用來(lái)說(shuō)，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導(dǎo)通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:035651 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)最新發(fā)展綜述。
2021-04-21 09:48:0614 DN4-RS232接口的新發(fā)展
2021-04-27 16:57:270 LED照明技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展綜述
2021-07-22 10:37:490 FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱(chēng)為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。
2022-07-28 11:22:552411 前照燈領(lǐng)域技術(shù)新發(fā)展
2022-11-01 08:26:230 ADAS 系統(tǒng)的新發(fā)展
2022-11-04 09:51:590 ADAS 系統(tǒng)的最新發(fā)展
2022-11-04 09:52:450 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開(kāi)關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點(diǎn)
2022-11-04 09:56:011166 如何開(kāi)發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場(chǎng)是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。
2022-12-21 10:21:581332 氮化鎵功率器件可以分為三類(lèi)：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。
2023-02-19 14:32:393120 氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器、電源濾波器等應(yīng)用。
2023-02-19 17:20:4811077 
我國(guó)的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。
2023-02-22 10:59:334889 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。
2023-04-14 15:42:06977 以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展潛力，越來(lái)越得到國(guó)內(nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:291155 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 10:24:022970 
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開(kāi)發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體，為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。
2023-08-02 10:38:181727 三菱電機(jī)公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個(gè)很有前途的候選者。三菱電機(jī)打算加快開(kāi)發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30926 
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
2023-08-09 16:14:421396 
氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-17 14:24:162130 
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線(xiàn)通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154484 隨著電力電子技術(shù)在汽車(chē)電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進(jìn)入了加速階段。
2023-08-24 17:43:501755 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:241214 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5G應(yīng)用創(chuàng)新發(fā)展白皮書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-13 14:45:421 不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442506 上海人工智能創(chuàng)新發(fā)展探索與實(shí)踐案例集
2023-01-13 09:06:271 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADI公司PLL產(chǎn)品系列的最新發(fā)展.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 11:45:290 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 2024年4月23-24日，CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在江蘇省蘇州市舉行。
2024-04-28 11:23:33974 
由宏微科技聯(lián)合冠名，主題為“新能源 芯時(shí)代”的CIAS 2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)于2024年4月23-24日在蘇州圓滿(mǎn)舉行。
2024-04-28 18:27:411833 
超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的未來(lái)應(yīng)用潛力。本文總結(jié)了氧化鎵材料的一些固有
2024-06-18 11:12:311583 
2024國(guó)際汽車(chē)半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展交流會(huì)（ISESChina2024）日前在無(wú)錫圓滿(mǎn)落幕。本次活動(dòng)匯聚了全球汽車(chē)半導(dǎo)體行業(yè)的頂尖企業(yè)與精英領(lǐng)袖，共同探索行業(yè)新趨勢(shì)，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展，為汽車(chē)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶
2024-09-26 08:09:091067 
風(fēng)電等功率模組應(yīng)用需求。然而氧化鎵熱導(dǎo)率極低，限制了氧化鎵高功率器件的發(fā)展。近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為上海微系統(tǒng)所）異質(zhì)集成XOI課題組與哈爾濱工業(yè)大學(xué)孫華銳教授課題組通過(guò)“萬(wàn)能離子刀”剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)制備了
2024-11-13 11:16:271884 
2024高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)順利召開(kāi)，黑芝麻智能創(chuàng)始人兼CEO單記章受邀出席大會(huì)作主旨演講，并作為高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟理事單位代表出席高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟啟動(dòng)儀式。
2024-11-22 17:21:321576 的導(dǎo)電型摻雜，為下游客戶(hù)提供更加豐富的產(chǎn)品選擇，助力行業(yè)發(fā)展。該VB法氧化鎵長(zhǎng)晶設(shè)備及工藝包已全面開(kāi)放銷(xiāo)售。 【圖1】鎵仁半導(dǎo)體VB法4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶底面 【圖2】 鎵仁半導(dǎo)體VB法4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶頂面 2025年1月，鎵仁半導(dǎo)體在
2025-02-14 10:52:40902 
近日，工業(yè)和信息化部高新技術(shù)司發(fā)布了《2024年未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展優(yōu)秀典型案例公示》，燧原科技入選工信部未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展“領(lǐng)軍企業(yè)”優(yōu)秀典型案例。
2025-03-31 17:52:371227 在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。泰克中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測(cè)試測(cè)量挑戰(zhàn)展開(kāi)深入交流。
2025-04-29 11:13:001029
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