感性負(fù)載和阻性負(fù)載的一個(gè)差異點(diǎn)。今天我們就來(lái)聊一聊這個(gè)差異點(diǎn)。

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一個(gè)問(wèn)題

在帶感性負(fù)載時(shí)，在階段②，漏極電流Id在變化時(shí)（上升），漏源電壓Vds不變；在階段③，Id不變化時(shí)，Vds在變化（下降）。為什么會(huì)這樣？

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歐姆定律不適用

如上述問(wèn)題，此時(shí)的電流變化時(shí)，電壓不變；而變流不變時(shí)，電壓又在變化。用歐姆定律已經(jīng)無(wú)法解釋這個(gè)現(xiàn)象。

為什么會(huì)這樣？

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理論解釋+仿真驗(yàn)證

為了進(jìn)一步分析電路，我們給續(xù)流二極管增加一路電流顯示AM1，如下圖所示。

跑一下“瞬時(shí)分析”，如下圖所示，我們可以看出在階段②時(shí)間內(nèi)，AM1電流在下降，AM2電流在上升。

階段②，通過(guò)AM1波形，我們能看到二極管上有電流流過(guò)（一部分的電感電流，續(xù)流），二極管處于正偏狀態(tài)。此時(shí)VF2的電位就會(huì)被鉗位在略高于VS1的水平，如下圖所示，VF2鉗位在10.62V。而且只要還有電感電流流過(guò)二極管，二極管就處于正偏狀態(tài)，陽(yáng)極就會(huì)比陰極電位高大約0.6V左右，VF2就會(huì)一直被鉗位。

所以，在階段②期間，AM1一直有電流，VF2表現(xiàn)出的電壓就不變化(被鉗位)。這里解釋了為什么漏極電流Id變化，而漏源電壓不變化。

那階段③呢？

在階段③米勒平臺(tái)期間，前面文章中已經(jīng)解釋過(guò)，此時(shí)MOS管處于飽和區(qū)(恒流區(qū))，漏極電流Id幾乎取決于柵源電壓Vgs。Vgs不變，則漏極電流Id也不變。

在階段③期間，二極管中的電流AM1非常?。ㄈ缟蠄D所示），此時(shí)電感電流基本完全移入MOS管，二極管不再導(dǎo)通，VF2也不再被鉗位到VS1+0.6V，漏源電壓開(kāi)始發(fā)生變化。由于MOS管內(nèi)部的導(dǎo)通阻抗在逐漸降低，進(jìn)而MOS管所表現(xiàn)出的漏源電壓也在逐漸減小直至接近于0V（但不是0V，因?yàn)橛蠷dson存在）；

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總? 結(jié)

今天主要是討論了帶感性負(fù)載時(shí)，為什么會(huì)出現(xiàn)Id變化時(shí)，Vds不變化；而Vds變化時(shí)，而Id又不變化的原因：

①在階段②時(shí)，續(xù)流二極管有電流流過(guò)，發(fā)生正偏，VF2被鉗位，所以漏源電壓不變；

②在階段③時(shí)，由于Vgs不變，Id不變。而續(xù)流二極管截止，VF2不再被鉗位，隨著MOS管導(dǎo)通阻抗降低，漏源電壓逐漸減小。

上述表述是基于個(gè)人理解，如有不當(dāng)，還請(qǐng)各位專(zhuān)家高工批評(píng)指正，謝謝。

編輯：黃飛

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