MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。
2016-12-15 16:00:34
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分享到 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū) 動電路 。 在
2018-04-05 09:19:2337648 
什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體。
2022-10-11 17:30:162426 
當(dāng)VGS>VTH時，MOSFET表現(xiàn)為一個壓控電阻；但是，能讓MOSFET成為現(xiàn)在集成電路中的翹楚，肯定不是只是壓控電阻這么簡單呢。
2022-10-13 09:54:384223 從這一期開始真正的建立MOSFET放大電路，利用之前幾期介紹的MOSFET大信號與小信號模型，MOSFET放大電路就可以像基本簡單電路一樣非常容易理解。
2023-02-16 15:18:1411957 
MOSFET有三個極，柵極、源級和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中，共源級放大電路用的最多，通常90%一上都是共源級放大電路，但是在有些場景共柵極和共漏極放大電路有更好的效果。那如何來區(qū)分三種電路形式呢？
2023-02-16 15:20:223831 
【不懂就問】在單端反激電路中常見的一部分電路就是RCD組成的吸收電路，或者鉗位電路，與變壓器原邊并聯(lián)其目的是吸收MOSFET在關(guān)斷時，引起的突波，尖峰電壓電流到那時MOSFET是壓控器件，為什么在關(guān)斷時會引起尖峰電壓電流？怎么在三極管BJT的應(yīng)用中看不到類似吸收電路
2018-07-10 10:03:18
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
的電荷可以在死區(qū)時間內(nèi)被完全釋放干凈。 當(dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時，串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會對開關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進行充放電。MOSFET都關(guān)斷時的等效電路如下圖所示
2018-11-21 15:52:43
請問以上電路三極管與MOSFET各用什么型號比較好？
2015-04-17 17:55:57
MOSFET驅(qū)動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
求大神幫忙求MOSFET有源負載電路的輸出電壓
2014-07-24 12:46:54
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
我看一個MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計與仿真PPT里面說，Vg中存在負電壓，一定程度上加長了驅(qū)動延遲時間，要消除負壓，然后又看了一個技術(shù)手冊，專門介紹了一種負壓驅(qū)動電路。如下圖所示，所示可以負壓驅(qū)動可以加速關(guān)斷速度~然后我就懵了，想問下大家，什么時候要用負壓驅(qū)動？還有負壓驅(qū)動能加速關(guān)斷嗎？
2019-01-23 15:57:14
`<font face="Verdana">MOSFET的AGC環(huán)路電路</font><br/>`
2009-09-11 00:52:55
0、小敘閑言最開始學(xué)習(xí)三極管的時候，很注重它的工作原理，后來到了實際應(yīng)用，就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個開關(guān)器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅(qū)動電路時，發(fā)現(xiàn)把它純當(dāng)作一
2021-08-31 06:49:35
從而使元器件數(shù)量更少、電路規(guī)模更小。一般這類電路是由MOSFET或IGBT與二極管組合構(gòu)成的。與二極管組合的原因是為了抑制MOSFET和IGBT的內(nèi)部二極管trr間產(chǎn)生的換流損耗，通常需要2個外置快速
2018-11-28 14:27:08
`MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動電路設(shè)計大全`
2012-08-06 12:23:46
`MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動電路設(shè)計大全`
2012-08-17 15:47:18
電路設(shè)計如圖；問題：MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個可能性，不清楚是不是設(shè)計上有問題，希望大家?guī)兔?，目前源極沒有接負載，這對電路有沒有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計參考
2016-06-21 18:27:30
mosfet沒有上電時，mosfet驅(qū)動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
電路應(yīng)運而生。LLC諧振變換器能夠在較寬的電源和負載波動范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸出，而開關(guān)頻率波動卻較小。在整個工作范圍內(nèi)，能夠獲得零電壓開關(guān)（ZVS）半橋LLC諧振變換器LLC電路MOSFET應(yīng)用不同于PFC
2019-09-17 09:05:04
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時，為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進而影響模塊使用壽命，需要對 RC 緩沖吸收
2025-04-23 11:25:54
有人可以向我解釋以下MOSFET差分放大器電路的定性和定量分析，以解釋為什么Vs = -0.5 V且右手MOSFET“導(dǎo)通”？該電路的目標(biāo)是使M2（左側(cè)）MOSFET在Vg = ~0.25V時導(dǎo)通，而不是Vg = ~0.7V，其中S點接地。目前的來源是我能想到實現(xiàn)這一目標(biāo)的唯一方法。
2018-09-14 11:42:58
電路設(shè)計的驅(qū)動電路。
功率 MOSFET 對驅(qū)動電路的要求:
功率 MOSFET 是電壓型驅(qū)動器件[2]，沒有少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高，驅(qū)動功率小，電路簡單。但功率
2025-03-27 14:48:50
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
上面原理圖是 用51單片機控制mosfet（NPN）開關(guān)的單相全波整流電路，整流橋采用的是IN4007二極管。焊接完畢后變壓器上電，mosfet始終處于導(dǎo)通狀態(tài)，無論單片機輸出什么信號，即便是把
2019-01-23 11:17:05
在通孔板上建立電路數(shù)小時后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經(jīng)過搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
我想用單片機控制12v電路的通斷，電流大概為4.3A-4.6A，請問用什么型號的MOSFET比較好，能給出電路圖嗎？要求電路圖簡單，實惠
2015-04-06 22:58:47
剛做了一個驅(qū)動芯片驅(qū)動的mosfet電路，但是mosfet輸出波形占空比只能在20%以下和80%以上，這段區(qū)間之內(nèi)卻顯示方波上面高電平一直存在。請問這是什么原因引起的呢？圖1為mosfet大致的電路
2017-10-31 17:15:10
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。在
2019-02-21 06:30:00
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路1）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
` 功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點，因此在開關(guān)電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實際的設(shè)計過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注
2011-09-27 11:25:34
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請問怎么驅(qū)動MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是F...
2021-10-28 10:06:38
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
電路中U1 為電壓檢測IC ， IC 是當(dāng)1和2兩腳電壓會3.3V以上時輸出腳3電壓為3.3V， 那么當(dāng)R1電阻上電壓3.3V以上的時候，IC 輸出3.3V 電壓驅(qū)動 MOSFET 短路掉電阻R1
2012-11-09 20:09:35
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。在
2017-01-09 18:00:06
怎么實現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動電路的設(shè)計？
2021-10-11 07:18:56
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。在
2021-10-28 06:56:14
摘要：針對橋式拓撲功率MOSFET因柵極驅(qū)動信號振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計及各寄生參數(shù)的驅(qū)動電路等效模型，對柵極驅(qū)動信號振蕩的機理進行了深入研究，分析了驅(qū)動電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
MOS管具有哪些特性？模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動電路有哪些？
2021-11-01 06:45:05
當(dāng)電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應(yīng)用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時
2019-08-06 06:28:49
各位前輩，幫我看下這個MOSFET無法驅(qū)動，前面電平轉(zhuǎn)換電路輸出是正常的
2018-10-08 09:37:02
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計電路時MOSFET管出現(xiàn)損壞，請問造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
這個MOSFET的脈沖變壓器驅(qū)動電路變壓器是不是有直流磁化的可能？
2015-04-19 20:20:21
嗨嘍，各位工程師們我們今天說點啥呢？無意間發(fā)現(xiàn)發(fā)現(xiàn)一塊集成MOSFET的Buck電源的Demo板，雖然電路很簡單，但是布局頗有教科書的意味。我們換個思考方向，看看是不是很容易去理解呢？廢話不說，切入正題！在電路設(shè)計的時候，這個2A~10A這個范圍內(nèi)的DCDC一般都采用這種電源解決方案。
2020-11-02 07:40:06
高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
功率MOSFET驅(qū)動電路分析:針對功率MOSFET的特點，介紹由多個—概管組成的組臺式驅(qū)動電路．在逆變焊接電源上做了實驗．驗證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:54
70 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201
MOSFET的AGC環(huán)路電路圖
2006-01-01 05:41:211271 
MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及應(yīng)用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:0910322 JFET-MOSFET耳機功放電路
2010-01-30 14:47:303922 
高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005529 
《mosfet的應(yīng)用_mosfet品牌-精華匯總》技術(shù)專題包括mosfet品牌、mosfet的應(yīng)用、mosfet基礎(chǔ)知識（含mosfet工作原理和mosfet參數(shù)）、mosfet驅(qū)動（含驅(qū)動電路
2012-08-10 14:30:46
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-10-10 16:32:585706 
MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計
2015-12-23 15:03:45218 功率MOSFET驅(qū)動和保護電路，以及其的相關(guān)應(yīng)用。
2016-04-26 16:01:469 MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計參考，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-29 18:08:19144 MOSFET管自舉升壓驅(qū)動電路
2016-12-16 22:00:4619 開關(guān)電容電路及MOSFET_C連續(xù)時間電路——原理與應(yīng)用
2017-09-11 16:53:4621 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 本文介紹了MOSFET放大電路，及直流偏置及靜態(tài)工作點的計算和小信號模型分析以及圖解分析。 簡單的共源極放大電路（N溝道）
2017-11-22 19:41:5870 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效
2018-07-21 09:20:408395 
本文主要介紹了mosfet命名方法及MOSFET電路符號。
2020-08-12 10:28:4513916 功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計。
2021-03-22 17:23:1632 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-31 08:41:5764 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT也會不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。下面是我對MOSFET 及MOSFET 驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS 管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。
2021-05-10 09:55:12198 功率MOSFET的驅(qū)動電路設(shè)計論文
2021-11-22 15:57:37112 MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動電路設(shè)計總結(jié)
2021-12-17 15:43:2275 其中，高壓超級結(jié) MOSFET，是一種可以廣泛應(yīng)用于模擬與數(shù)字電路的基礎(chǔ)微電子元器件，具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點；其中，高壓MOSFET 功率器件通常指工作電壓為 400V 以上的 MOSFET 功率器件。
2022-05-18 14:04:583464 MOSFET門級電路的深入介紹。
2022-10-24 15:01:290 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路
2023-01-04 09:35:251868 對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢？
2023-04-20 10:19:352636 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:0012143 
MOSFET電路不可不知MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設(shè)計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬
2022-05-10 16:35:252244 
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設(shè)計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數(shù)字電路都成功地
2023-05-09 09:46:233399 與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什么特點？? BJT放大電路和MOSFET偏置電路都是常見的放大電路，它們在電子元器件中具有很重要的地位。兩者之間存在很多的共同點和差異點，本文將重點比較
2023-09-13 14:45:122990 上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢，有時候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC小哥簡單介紹如下。
2023-09-27 09:27:493891 
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:123845 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:402429 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:491695 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:132621 常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后，經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給MOSFET驅(qū)動。
2024-01-22 18:09:542290 
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2024-07-13 09:40:4516
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