半導(dǎo)體：常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。常見(jiàn) 的半導(dǎo)體材料有硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵等。硅是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最常見(jiàn)的一種材料。

流片：像流水線(xiàn)一樣通過(guò)一系列半導(dǎo)體制備工藝步驟制造芯片。

集成電路=IC：一種微型電子器件或部件。具體指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線(xiàn)互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo) 體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為 具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。

半導(dǎo)體分立器件、分立器件：半導(dǎo)體分立器件，與集成電路相對(duì)而言的，采用特殊 的半導(dǎo)體制備工藝，實(shí)現(xiàn)特定單一功能的半導(dǎo)體器 件，且該功能往往無(wú)法在集成電路中實(shí)現(xiàn)或在集成電路中實(shí)現(xiàn)難度較大、成本較高。分立器件主要包括功率器件及小信號(hào)器件。

半導(dǎo)體功率器件、功率器件、功率分立器件：又稱(chēng)電力電子功率器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制，是進(jìn)行電能（功率）處理的核心器件，弱電控制和強(qiáng)電運(yùn)行間的橋梁。半導(dǎo)體功率器件是半導(dǎo)體分立器件中的重要組成部分，主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 等。

芯片（chip）：通過(guò)在硅晶圓片上進(jìn)行拋光、氧化、擴(kuò)散、光 刻等一系列的工藝加工后，在一個(gè)硅晶圓片上同時(shí)制 成許多構(gòu)造相同、功能相同的單元，再經(jīng)過(guò)劃片分離 后便得到單獨(dú)的晶粒，即為芯片。

光電子器件：利用半導(dǎo)體光-電子（或電-光子）轉(zhuǎn)換效應(yīng)制成的各種功能器件，如LED、VCSEL、TOF、SPAD等。

MOSFET、功率 MOSFET、MOS 管：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管，屬于電壓控制型器件，目前已廣泛使用在電力電子電路中，也可以單獨(dú)作為分立器件使用以實(shí)現(xiàn)特定功能。

溝槽型MOSFET、溝槽型功率 MOSFET、Trench MOSFET：MOSFET 柵極結(jié)構(gòu)通過(guò)溝槽工藝制備，具有高元胞密度、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)。

屏蔽柵MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 、 屏蔽柵極溝槽 MOSFET、SGT MOSFET、 Shield Gate MOSFET、Split Gate MOSFET：基于全球先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)理論，打破了普通 MOSFET的“硅限”，具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)損耗小、 頻率特性好等特點(diǎn)。目前主要用于高端電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

超級(jí)結(jié)MOSFET、超級(jí)結(jié)功率MOSFET、超結(jié)型MOSFET器件：基于電荷平衡技術(shù)理論，在傳統(tǒng)的功率 MOSFET 中 加入 p-n 柱相互耗盡來(lái)提高耐壓和降低導(dǎo)通電阻的器 件結(jié)構(gòu)，具有工作頻率高、導(dǎo)通損耗小、開(kāi)關(guān)損耗低、 芯片體積小等特點(diǎn)。

IGBT、IGBT器件：Insulated Gate Bipolar Transistor 的縮寫(xiě)，絕緣柵雙極 型晶體管，同時(shí)具備MOSFET 和雙極性晶體管的優(yōu)點(diǎn)，如輸入阻抗高、易于驅(qū)動(dòng)、電流能力強(qiáng)、功率控制能力高、工作頻率高等特點(diǎn)，適用于 600V~6500V 高壓大電流領(lǐng)域 。

二極管：一種具有正向?qū)?、反向截止功能特性的半?dǎo)體功率器件。

三極管：全稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管，包括雙極晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等，是一種具有電流放大作用的半導(dǎo)體器件。

IPM、智能功率模塊、模塊：Intelligent Power Module 的縮寫(xiě)，智能功率模塊，一 種將功率器件和驅(qū)動(dòng)電路等集成在一起的半導(dǎo)體模塊。

Fabless：“無(wú)制造業(yè)務(wù)、只專(zhuān)注于設(shè)計(jì)”的半導(dǎo)體企業(yè)經(jīng)營(yíng)模式。

CP：Chip Probe的縮寫(xiě)，是對(duì)未切割的整個(gè)晶圓進(jìn)行的測(cè)試，目的是在封裝前篩選出殘次品芯片。

DEMO 方案：DEMO即Demonstration的縮寫(xiě)，DEMO方案是作為示范的方案樣片。

導(dǎo)通電阻（Rdson）、內(nèi)阻：MOSFET開(kāi)啟時(shí)漏極和源極間的阻值。導(dǎo)通電阻數(shù)值越小，MOSFET工作時(shí)的功率損耗越小。

柵極電荷（Qg）、柵電荷：為導(dǎo)通或驅(qū)動(dòng)MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。數(shù)值越小，開(kāi)關(guān)損耗越小，從而可實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)。

寬禁帶半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體、寬禁帶材料：寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括 SiC（碳化硅）、GaN （氮化鎵）等。

碳化硅（SiC） ：第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等性質(zhì)，特別適用于高壓、大功率半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域。

氮化鎵（GaN）：第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高、直接帶隙、擊穿電場(chǎng)高等性質(zhì)。

SBD：Schottky Barrier Diode 的縮寫(xiě)，肖特基勢(shì)壘二極管。

GTO/GTR：可關(guān)斷晶閘管/電力晶體管。

JFET：Junction Field-Effect Transistor 的縮寫(xiě)，即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

MPW：Multi-Project Wafer 的縮寫(xiě)，即多項(xiàng)目晶圓。將多個(gè) 具有相同工藝的芯片設(shè)計(jì)放在同一晶圓片上流片。

taiko：太鼓減薄工藝，即只對(duì)晶圓（硅片）的中間部分進(jìn)行減薄，將邊緣部分保留為支撐環(huán)，利用晶圓減薄的中 間部分形成半導(dǎo)體器件，利用較厚的支撐環(huán)來(lái)保持整個(gè)晶圓的機(jī)械強(qiáng)度，防止晶圓發(fā)生卷曲。

Rsp：Rdson*Active Area，是消除面積差異后的導(dǎo)通電阻。

SOA：Safe Operating Area 的縮寫(xiě)，即安全工作區(qū)，是由一系列（電壓，電流）坐標(biāo)點(diǎn)形成的二維區(qū)域，功率器件正常工作時(shí)的電壓和電流不會(huì)超過(guò)該區(qū)域。

Tg：玻璃化溫度，即無(wú)定型聚合物由玻璃態(tài)向高彈態(tài)或者 由后者向前者的轉(zhuǎn)變溫度。是無(wú)定型聚合物大分子鏈 段自由運(yùn)動(dòng)的最低溫度，也是制品工作溫度的上限。

開(kāi)關(guān)電流：器件發(fā)生異常短路時(shí)的極限可靠關(guān)斷電流值，反映器件的短路關(guān)斷電流能力。

優(yōu)值系數(shù)（FOM）：導(dǎo)通電阻與柵極電荷Qg的乘積。FOM 值越低，表示器件同時(shí)具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，器件損耗特性越好。

MSL：Moisture Sensitivity Level 的縮寫(xiě)，即潮敏等級(jí)。一共分為 8 級(jí)，其中 MSL1 為最優(yōu)等級(jí)。

EAS：?jiǎn)蚊}沖雪崩擊穿能量，在MOSFET不被損壞的前提 下，單一脈沖沖擊下所能吸收的能量。代表了MOSFET 承受雪崩電流、耗散雪崩能量的能力，是評(píng)價(jià)其設(shè)計(jì)特性的重要指標(biāo)。

編輯：黃飛

?