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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅IDM巨頭實(shí)現(xiàn)突破,年產(chǎn)能24萬(wàn)片!

碳化硅IDM巨頭實(shí)現(xiàn)突破,年產(chǎn)能24萬(wàn)片!

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科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示:“英飛凌具有很好的美譽(yù)度,是我們長(zhǎng)期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項(xiàng)協(xié)議的簽署,體現(xiàn)了科銳SiC碳化硅晶圓技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴(kuò)充,同時(shí)將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用,這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更快、更小、更輕、更強(qiáng)大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要?!?/div>
2018-04-04 09:00:598213

國(guó)外碳化硅大廠:產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張、豐富的產(chǎn)品組合

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2021-11-11 09:32:275293

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)新能源汽車市場(chǎng)規(guī)模急劇上漲,對(duì)于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言,上游產(chǎn)能擴(kuò)充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過(guò)去一年里,海內(nèi)外都持續(xù)投入到包括碳化硅上游襯底和外延、中游晶圓
2023-02-20 09:13:0189437

科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破!

  科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破,為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161341

國(guó)產(chǎn)碳化硅最新進(jìn)展,功率IDM龍頭低調(diào)入場(chǎng)!

產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展起步早,從襯底到外延再到芯片的工藝產(chǎn)品相對(duì)成熟,不過(guò)近年來(lái)國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈也取得不小的進(jìn)步。 據(jù)了解,今年以來(lái),華潤(rùn)微電子已經(jīng)切入到碳化硅領(lǐng)域,無(wú)論從產(chǎn)品線還是技術(shù)研發(fā)等布局來(lái)看,這家國(guó)內(nèi)功率IDM龍頭的入局
2020-06-18 11:38:0715854

數(shù)據(jù)中心電源客戶已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!三安光電碳化硅最新進(jìn)展

16000/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,到封測(cè)的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000/月,外延產(chǎn)能2000/月,目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線。 ? 其中6英寸襯底和外延的工藝和良率持續(xù)優(yōu)化,已經(jīng)向國(guó)際客戶穩(wěn)定出貨;8英寸
2025-09-09 07:31:001631

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是:  碳化硅的價(jià)格還較高,其缺陷也多?! ∪?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)  上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低,約
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

了?! 」逃袃?yōu)勢(shì)加上最新進(jìn)展  碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)有很多,如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近,UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出。    2、SiCMOSFET  對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET,它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大,開關(guān)損耗很大,額定工作結(jié)溫低,但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動(dòng)力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無(wú)色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無(wú)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

的小電流,因此碳化硅肖特基二極管的開關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗,能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換,提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音,同時(shí)易于改善EMI?! ∫韵聹y(cè)試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

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2016-11-04 15:50:11

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

?! ?4 結(jié) 論  引入了輔助源極管腳成為TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET,避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線路,實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦。同時(shí),TO-247-4封裝的開關(guān)器件由于沒(méi)有來(lái)自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

組件來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)。也因?yàn)橄M(fèi)性市場(chǎng)存在可觀的潛在需求,相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下,氮化鎵制程已經(jīng)吸引臺(tái)積電等晶圓代工業(yè)者投入。不過(guò),氮化鎵陣營(yíng)的業(yè)者也有問(wèn)鼎大功率
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動(dòng)力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度,實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

  本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊。  分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?! ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后,可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求,碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET)由于能夠實(shí)現(xiàn)
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

散電感是碳化硅封裝的一種技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。然而,實(shí)現(xiàn)碳化硅封裝技術(shù)的突破并大規(guī)模應(yīng)用,還需要開展大量的工作,以下列舉一些核心挑戰(zhàn)以及前景展望:1)低雜散電感封裝結(jié)構(gòu)綜合性能的進(jìn)一步研究驗(yàn)證。例如封裝結(jié)構(gòu)
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

延遲時(shí)間。碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸延遲需小于200ns,傳輸延遲抖動(dòng)小于20ns,可通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn):  · 采用數(shù)字隔離驅(qū)動(dòng)芯片,可以達(dá)到信號(hào)傳輸延遲50ns,并且具有比較高的一致性,傳輸抖動(dòng)
2023-02-27 16:03:36

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面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

,同時(shí)在正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

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碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛(ài)好者

工業(yè)控制碳化硅
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碳化硅MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

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盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅市場(chǎng),X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00140328

科銳宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)碳化硅(SiC)的需求持續(xù)增長(zhǎng),國(guó)內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-08 16:40:054715

年產(chǎn)11萬(wàn)的國(guó)宏中能碳化硅襯底片項(xiàng)目將完成設(shè)備安裝

據(jù)大眾網(wǎng)報(bào)道,山東國(guó)宏中能年產(chǎn)11萬(wàn)碳化硅襯底片項(xiàng)目將于7月底完成一期建筑工程,9月份完成設(shè)備安裝,10月份進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段。
2020-04-17 16:21:042655

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521

國(guó)外碳化硅大廠:產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張 豐富的產(chǎn)品組合

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料,憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,碳化硅材料突破了創(chuàng)傳統(tǒng)硅
2021-11-13 09:58:013185

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

高端數(shù)字化智能工廠。 該基地將于2022年3月進(jìn)行小批量試生產(chǎn),年中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付,2022年產(chǎn)能為25萬(wàn)只模塊,2025年之前將提升至150萬(wàn)只。 ? 本文圖源?基本半導(dǎo)體 這是基本半導(dǎo)體針對(duì)即將迎來(lái)爆發(fā)期的新能源汽車碳化硅市場(chǎng),提前布局、搶
2021-12-31 10:55:433454

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 日前,國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:251660

上揚(yáng)軟件攜手車規(guī)級(jí)碳化硅功率半導(dǎo)體廠共建信息化系統(tǒng)

上揚(yáng)軟件將為其碳化硅MOSFET量產(chǎn)線實(shí)施制造執(zhí)行系統(tǒng)MES和設(shè)備自動(dòng)化EAP,搭建完善的信息化系統(tǒng),以充分滿足車規(guī)級(jí)制造工藝的嚴(yán)格要求,助力晶圓廠實(shí)現(xiàn)24萬(wàn)的目標(biāo)年產(chǎn)量。
2022-12-06 11:31:217608

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135

??瓢雽?dǎo)體國(guó)產(chǎn)碳化硅外延正式投產(chǎn)

??瓢雽?dǎo)體(蘇州)有限公司宣布碳化硅外延投產(chǎn)。據(jù)悉,該產(chǎn)品通過(guò)了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技(上海)有限公司和寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的雙重檢測(cè),具備媲美國(guó)際大廠碳化硅外延的品質(zhì),解決了國(guó)外產(chǎn)品的卡脖子問(wèn)題,為我國(guó)碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)新紀(jì)錄。
2023-01-13 10:54:281826

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng),這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率,同時(shí)降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它們也并非都是一樣的。為了實(shí)現(xiàn)碳化硅
2023-02-02 15:10:001067

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:165686

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708

碳化硅應(yīng)該做IDM

今天看到一家剛成立3年,專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延,同時(shí)提供包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC等器件,針對(duì)高壓、高功率以及射頻微波等應(yīng)用市場(chǎng)的外延代工服務(wù)。
2023-02-09 15:31:21922

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延,也就是雛形的芯片。碳化硅外延經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:113177

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割研磨、研磨片拋光、拋光清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:486511

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛(ài),本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:201105

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

來(lái)源:碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:203965

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:091795

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:366818

2024年中國(guó)碳化硅晶圓全球占比將達(dá)到50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產(chǎn)能。目前,這些中國(guó)企業(yè)的總產(chǎn)能約為每月6萬(wàn)。隨著各公司產(chǎn)能的逐步釋放,預(yù)計(jì)到2024年,每月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn),年產(chǎn)能將達(dá)到150萬(wàn)。
2023-11-20 10:59:332671

2024年中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能,目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬(wàn)。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn),年產(chǎn)能150萬(wàn)。
2023-11-24 15:59:233723

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳化硅外延,制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:034786

普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延產(chǎn)線

預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣,將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:011234

宇泉保定半導(dǎo)體揭牌,年產(chǎn)165萬(wàn)碳化硅功率模塊

據(jù)《保定晚報(bào)》報(bào)道,宇泉半導(dǎo)體(保定)有限公司是由保定高新區(qū)攜手北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司共同組建而成。該項(xiàng)目自去年11月份起展開籌備工作,旨在吸引世紀(jì)金光半導(dǎo)體的“年產(chǎn)165萬(wàn)碳化硅功率模塊生產(chǎn)項(xiàng)目”落地。
2024-05-30 09:14:162203

宇泉半導(dǎo)體年產(chǎn)165萬(wàn)碳化硅功率模塊項(xiàng)目投產(chǎn)

近日,宇泉半導(dǎo)體(保定)有限公司在河北保定高新區(qū)舉行了隆重的揭牌儀式,這標(biāo)志著公司投資的年產(chǎn)165萬(wàn)碳化硅功率模塊項(xiàng)目正式步入生產(chǎn)階段。
2024-05-31 10:01:121711

中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)產(chǎn)能激增,市場(chǎng)或?qū)⒂瓉?lái)價(jià)格戰(zhàn)

從2023年起,中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個(gè)項(xiàng)目的全國(guó)落地,行業(yè)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張,達(dá)到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù),國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬(wàn)大關(guān)
2024-06-03 14:18:171096

方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬(wàn)

10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個(gè)生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)每月90006英寸SiC(碳化硅)晶圓的產(chǎn)能,預(yù)計(jì)到2024
2024-10-16 15:27:214090

Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)

Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
2024-10-24 10:51:362

中國(guó)臺(tái)灣與遼寧新增SiC襯底工廠,年產(chǎn)能合計(jì)達(dá)7.2萬(wàn)

近日,中國(guó)臺(tái)灣和遼寧省分別傳來(lái)好消息,兩家新的SiC(碳化硅)襯底工廠正式落成或正在積極推進(jìn)中,合計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)到7.2萬(wàn)。   在中國(guó)臺(tái)灣,SiC新玩家格棋化合物半導(dǎo)體于10月23日舉行
2024-10-25 11:20:281364

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

【新啟航】碳化硅外延 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

一、引言 碳化硅外延作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645

Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

的專利申請(qǐng)量就增長(zhǎng)了約 200%。Wolfspeed 強(qiáng)大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破,這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。
2025-09-22 09:31:47654

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可,簽下
2024-01-08 08:25:345166

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