蜂窩電話設計需要低壓差、低噪聲、高PSRR、低靜態(tài)電流（Iq）、低成本的線性穩(wěn)壓器，并要求這些線性穩(wěn)壓器能夠提供穩(wěn)定的輸出，輸出端允許采用超小型電容器。當然，理想情況下可以用一片低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）滿足系統(tǒng)任何電路、任何指標的要求，但從性價比考慮這種方式并不是最佳的。

基帶芯片組供電電源

大多數蜂窩電話基帶芯片組需要三組電源：內部數字電路、模擬電路和外設接口電路。基帶處理器（BB）的數字電路供電電壓的典型值為1.8V至2.6V，一般情況下，Li+電池電壓降至3.2V-3.3V時電話將被關閉，對于為基帶處理器供電的LDO來說至少有500至600mV的壓差，因此對壓差要求不高。另外，數字電路本身對LDO的輸出噪聲和PSRR的要求也不高，而是要求LDO在輕載條件下具有極低的靜態(tài)電流，因為LDO需要始終保持有效。一種典型的GSM芯片組內核數字電路的電源電流隨時間變化的情況。待機模式下，微處理器耗電僅200 A，而電話在絕大多數時間處于待機狀態(tài)。如果用靜態(tài)電流為2 A的LDO替代100 A的LDO，將節(jié)省98 A的電流，使待機時間延長1.485倍。

基帶處理器內部模擬電路供電電壓典型值是2.4V至3.0V，壓差在200mV至600mV。要求LDO具有較高的低頻（GSM電話為217Hz）紋波抑制能力，消除由RF功率放大器產生的電池電壓紋波。LDO始終保持有效工作狀態(tài)，同樣需要較低的靜態(tài)電流指標。

RF供電電源

RF電路分為接收和發(fā)送兩部分，供電電壓典型值為2.6V至3.0V，其中低噪聲放大器（LNA）、混頻器、鎖相環(huán)（PLL）、壓控振蕩器（VCO）和中頻（IF）電路需要低噪聲、高PSRR的LDO。實際應用中，VCO、PLL電路的性能直接影響射頻電路指標，如發(fā)射頻譜的純度、接收器的選擇性、模擬收發(fā)器的噪聲、數字電路的相位誤差等。噪聲會改變振蕩器的相頻和幅頻特性，同時振蕩器環(huán)路也會進一步放大噪聲，可能對載波產生調制。LDO輸出噪聲受其內部設計和外部旁路、補償電路的影響。導致LDO輸出噪聲的主要來源是基準。

為降低基準噪聲，需要在基準的輸出端增加一路低通濾波器，濾波器可以集成在線性穩(wěn)壓器內部或由外部電路實現。內置濾波器占用了較大的管芯尺寸，有些低噪聲 LDO芯片只是提供一個基準的引腳，用于連接基準旁路電容。增大旁路電容能夠使基準噪聲成為產生LDO輸出噪聲的次要因素，有利于減小輸出噪聲。

影響LDO輸出噪聲的其它因素還有：LDO內部極點、零點和輸出極點。增大輸出電容的容量或減輕輸出負載有利于降低高頻輸出噪聲。為射頻電路選擇LDO時，要慎重比較噪聲指標，確保旁路電容、輸出電容和負載條件一致。

TCXO供電

溫補晶振（TCXO）為手機的IF電路提供參考頻率，它需要一個具有開/關控制的、超低噪聲LDO供電，雖然TCXO電路耗電不足5mA，但它要求用一個單獨的LDO供電，以便隔離其它噪聲源對LDO輸出的影響。另外，它還需要LDO在RF功率放大器的突發(fā)頻率點具有較高的PSRR。例如，GSM手機要求 LDO于217Hz頻點的PSRR至少為65dB。

RTC供電

實時時鐘（RTC）LDO需要為RTC提供電流的同時還要為備用電池（鈕扣電池）充電，蜂窩電話的備用電池電壓一般為3V或2.5V，這部分電路的LDO 始終保持有效的工作狀態(tài)（即使在手持終端關閉的情況下），所以RTC LDO要具有極低的靜態(tài)電流。另外，還要提供具有較低漏電流的反向電流保護。



音頻電源

新型音頻電路，如免提電話、游戲機、MP3及蜂窩電話中的多媒體電路，可能需要300mA-500mA的大電流LDO。LDO要在音頻范圍（20Hz至 20kHz）具有低噪聲、高PSRR特性，以保證良好的音質。CDMA射頻發(fā)送器的峰值電流大約為600mA，而GSM發(fā)送器突發(fā)電流的峰值為1.7A。射頻功放直接由電池供電時GSM發(fā)送突發(fā)電流在電池上產生的噪聲。由于電池是手機內部所有LDO的輸入電源，這些紋波直接影響了穩(wěn)壓器的輸出質量。例如：如果一個LDO在217Hz的PSRR是40dB， LDO輸出噪聲的峰值為4.35mV。而揚聲器輸入端的交流音頻信號電平也只有10mV至20mV，所以這個噪聲會發(fā)出較大的喀嗒聲。