一旦 VOUT 充電到穩(wěn)定狀態(tài)，那么收集的電流就轉而進入 VSTORE 引腳，以給可選的大型存儲電容器或可再充電電池充電。如果能量收集電源處于間歇狀態(tài)，那么這種存儲單元可用來保持穩(wěn)定或給系統(tǒng)供電。VAUX 引腳上的并聯(lián)穩(wěn)壓器防止 VSTORE 充電至高于 5.3V。運用一個典型的 40mm2 TEG，LTC3109 可以用低至 2°C 的 ?T 工作，從而使該器件適用于種類繁多的能量收集應用。較大的 ?T 使 LTC3109 能提供更大的平均輸出電流。該轉換器的輸出電流隨 VIN 變化的曲線如圖 3 所示，這條曲線說明 LTC3109 用任一極性的輸入電壓都能同樣良好地發(fā)揮作用。

　　圖 3：LTC3109 輸出電流隨輸入電壓的變化

　　TRANSFORMERS：變壓器

　　熱電發(fā)生器

　　熱電發(fā)生器 （TEG） 其實就是熱電模塊，它利用塞貝克 （Seebeck） 效應將設備上的溫差 （以及由于溫差所導致的流過設備的熱量） 轉換為電壓。這一現(xiàn)象的逆過程 （被稱為帕爾帖 ［Peltier］ 效應） 則是通過施加電壓而產(chǎn)生溫差，并為熱電冷卻器 （TEC） 所慣用。輸出電壓的極性取決于 TEG 兩端溫差的極性。如果 TEG 的熱端和冷端掉換過來，那么輸出電壓就將改變極性。

　　TEG 由采用電串聯(lián)連接并夾在兩塊導熱陶瓷板之間的N型摻雜和P型摻雜半導體芯片對或偶所構成。最常用的半導體材料是碲化鉍 （Bi2Te3）。圖 4 示出了 TEG 的機械構造。

　　圖 4：TEG 的典型機械構造

　　CERAMIC SUBSTRATE：陶瓷基板

　　NEGATIVE -：負 （-）

　　CONDUCTOR TABS：導體接片

　　POSITIVE （+）：正 （+）

　　N-TYPE SEMICONDUCTOR PELLETS：N 型半導體芯片

　　P-TYPE SEMICONDUCTOR PELLETS：P 型半導體芯片

　　有些制造商將 TEG 與 TEC 區(qū)分開來。當作為 TEG 銷售時，通常意味著用于裝配模塊內部電偶的焊料具有較高的熔點，故可在較高的溫度和溫差條件下工作，因而能夠提供高于標準 TEC （其最大溫度通常限制在 125°C） 的輸出功率。大多數(shù)低功率能量收集應用不會遇到高溫或高溫差的情況。TEG 的尺寸和電氣規(guī)格多種多樣。大多數(shù)常見的模塊都是方形的，每邊的長度從10mm到50mm不等，厚度一般為2mm~5mm。

　　對于一個給定的 ΔT （與塞貝克系數(shù)成比例），TEG 將產(chǎn)生多大的電壓受控于諸多的變量。其輸出電壓為每 K 溫差 10mV 至 50mV （取決于電偶的數(shù)目），并具有 0.5Ω 至 10Ω 的源電阻。一般而言，對于給定的 ΔT，TEG 所擁有的串聯(lián)電偶越多，其輸出電壓就越高。然而，增加電偶的數(shù)目同時也將增加 TEG 的串聯(lián)電阻，從而導致在加載時產(chǎn)生較大的壓降。制造商可以通過調整個別半導體芯片的尺寸和設計對此進行補償，以在保持低電阻的同時仍然提供一個較高的輸出電壓。在選擇 TEG 并使其與散熱器相匹配的過程中，TEG 的熱阻是另一個需要考慮的因素。