共源極放大器電路及原理
2009-12-08 09:09:28
20965 
富士通半導(dǎo)體于日前宣布，利用配備該公司開發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務(wù)器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時(shí)還公布了 2013年下半年開始量產(chǎn)硅基板GaN功率器件的目標(biāo)。該公司將
2012-11-12 09:16:211405 上一期介紹了共源級放大電路的工作原理，本期利用這個(gè)理論知識(shí)看看如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級放大電路。
2023-02-17 11:50:013029 
為了理解集成運(yùn)算放大器里面輸入級的共集--共基組合電路，這里給出共集電極電路和共基極電路的分析。
2023-02-23 10:39:265329 
共源共柵放大器是一種特殊的放大器結(jié)構(gòu)，它結(jié)合了共源放大器和共柵放大器的特點(diǎn)。在共源共柵放大器中，共源放大器作為主要增益單元，而共柵放大器則作為電流緩沖器。這種結(jié)構(gòu)可以提高基礎(chǔ)增益單元的阻值，從而提高放大器的增益和輸出擺幅。
2024-02-19 16:15:578349 
在PCIM Asia展上，英飛凌展示了廣泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率電子產(chǎn)品組合，其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)燒友記者現(xiàn)場探館，和大家分享一下現(xiàn)場所見。
2024-09-04 23:07:394696 
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。
2025-03-26 17:42:302013 
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
的NCP1605高能效待機(jī)模式PFC控制器就可以提高PFC輕載能效，進(jìn)一步降低損耗。該器件采用高壓電流源，外部設(shè)定固定開關(guān)頻率，并可工作在DCM/CRM模式；可以在待機(jī)條件下軟跳周期（Soft-SkipTM
2011-12-13 10:46:35
OpenHarmony將攜新成果亮相HDC2022第四屆華為開發(fā)者大會(huì) 2022（Together）將于11月4日-6日在東莞召開，OpenAtom OpenHarmony（以下簡稱“OpenHarmony”）將攜新生態(tài)成果亮相HDC2022。邀你共建、共賞、共探索！
2022-10-31 17:30:57
放大器電路。首先，需要找到合適的靜態(tài)點(diǎn)或“ Q點(diǎn)”，以利用共源（CS），共漏（CD）或源跟隨器（SF）的單個(gè)放大器配置對JFET放大器電路進(jìn)行正確偏置以及適用于大多數(shù)FET器件的共柵（CG）。這三種
2020-11-03 09:34:54
，那個(gè)地方不合理，那個(gè)需要改正；4、可以跟帖說明該電路原理圖或者此類原理圖設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)和難點(diǎn)；【今日電路】如圖是一個(gè)共源共柵放大器，同時(shí)也可以看作雙柵場效應(yīng)管。請問：1.這樣結(jié)構(gòu)的電路為什么會(huì)產(chǎn)生密勒
2018-12-28 14:18:32
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 00:32 編輯
新手請教個(gè)問題為何增強(qiáng)絕緣柵ＭＯＳ管加夾斷后還會(huì)有漏源電流，而且此時(shí)柵極是如何控制它的？
2013-07-04 19:05:41
功率密度和高能效。采用與LLC轉(zhuǎn)換器相同的技術(shù)，在這種拓?fù)渲校儔浩髀└泻痛呕姼锌膳c電容器發(fā)生諧振。此外，基于非互補(bǔ)開關(guān)模式的高級控制方案可支持范圍廣泛的AC輸入電壓和DC輸出電壓，這為實(shí)現(xiàn)通用
2022-04-12 11:07:51
功率密度和高能效。采用與LLC轉(zhuǎn)換器相同的技術(shù)，在這種拓?fù)渲校儔浩髀└泻痛呕姼锌膳c電容器發(fā)生諧振。此外，基于非互補(bǔ)開關(guān)模式的高級控制方案可支持范圍廣泛的AC輸入電壓和DC輸出電壓，這為實(shí)現(xiàn)通用
2022-06-14 10:14:18
最近在設(shè)計(jì)全差分折疊型共源共柵運(yùn)放的時(shí)候，有一個(gè)問題想不明白，加入偏置電壓后，調(diào)節(jié)管子讓每個(gè)管子都處于飽和狀態(tài)，并且輸出處在了VDD/2。但是我發(fā)現(xiàn)只要偏置電壓改變一點(diǎn)點(diǎn)哪怕1mv，靜態(tài)工作點(diǎn)就會(huì)有很大的改變，這是為什么呢，好奇怪，有沒有老哥為我解惑
2022-09-27 00:29:12
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
“M7提供所需的VGS，M6產(chǎn)生所需要的過驅(qū)動(dòng)電壓"，這個(gè)偏置電路似乎也沒有任何的“反饋”或者“跟隨”,我頭發(fā)都抓掉了一大把也沒想明白這么做目的是什么我的想法是 ：在低壓共源共柵電流鏡中
2021-06-24 07:56:56
本文介紹的運(yùn)放是一種采用TSMC 0.18 μm Mixed Signal SALICIDE（1P6M，1.8V/3.3V）CMOS工藝的折疊共源共柵運(yùn)放，并對其進(jìn)行了DC，AC及瞬態(tài)分析，最后與設(shè)計(jì)指標(biāo)進(jìn)行比較。
2021-04-14 06:59:22
意識(shí)不斷增強(qiáng)及能效法規(guī)日趨嚴(yán)格的當(dāng)今，電源的輕載或待機(jī)能耗性能也越來越受重設(shè)計(jì)人員重視。本文介紹安森美半導(dǎo)體NCP1937電源管理組合控制器主要特性，幫助設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)高能效、低待機(jī)能耗（
2018-09-29 16:49:11
共源共柵電感的工作機(jī)理是什么？怎么實(shí)現(xiàn)共源共柵CMOS功率放大器的設(shè)計(jì)？
2021-06-18 06:53:41
`4月4日-6日，易飛揚(yáng)（Gigalight）即將盛裝參加2018年日本光通信技術(shù)展 (FOE)，并攜數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品、無源器件和城域網(wǎng)系列產(chǎn)品亮相此次日本最大的光通訊盛會(huì)。展位號：W11-27在云計(jì)算
2018-04-04 14:08:01
如何利用模塊化平臺(tái)去實(shí)現(xiàn)高能效IoT設(shè)備？
2021-05-19 07:07:35
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一
2015-09-15 17:11:46
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
的柵極驅(qū)動(dòng)電路是并聯(lián)配置的關(guān)鍵。由此開始，GaN晶體管并聯(lián)配置與硅晶體管相類似，但不完全相同。為保證并聯(lián)晶體管均流，需要在設(shè)計(jì)階段對PCB布線和器件選型進(jìn)行優(yōu)化。針對旁路電流對并聯(lián)GaN晶體管的影響，在柵極和開爾文源極路徑中加入合適的共模電感是必不可少的，這將有助于最大限度減小電壓震蕩。`
2021-01-19 16:48:15
其RDSON低，其寄生二極管也不會(huì)導(dǎo)通。因此，最終在直接驅(qū)動(dòng)配置中不會(huì)出現(xiàn)與Qrr相關(guān)的功率損耗。在共源共柵配置中，由于GaN漏源電容高（Cds），處于關(guān)斷模式的GaN和MOSFET之間的電壓分布會(huì)
2023-02-14 15:06:51
請問如何推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)的高能效創(chuàng)新？
2021-06-17 08:57:28
怎么設(shè)計(jì)一種單級全差分增益增強(qiáng)的折疊共源共柵運(yùn)算放大器？
2021-04-20 06:26:29
折疊共源共柵比較器怎么修改為遲滯比較器
2021-06-24 07:36:52
提出了一種低壓低功耗的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路，設(shè)計(jì)基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process，并使用了低壓共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)減少了對電源電壓的依賴，消除了精度與余度之間的矛盾，并用HL50S-
2009-08-22 09:27:53
26 本文設(shè)計(jì)了一種低壓低功耗CMOS 折疊-共源共柵運(yùn)算放大器。該運(yùn)放的輸入級采用折疊-共源共柵結(jié)構(gòu)，可以優(yōu)化輸入共模范圍，提高增益；由于采用AB 類推挽輸出級，實(shí)現(xiàn)了全擺幅輸
2009-12-14 10:37:1930 折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)在折疊處引進(jìn)的電流源降低了輸出電阻，從而使增益大幅度降低。針對這一缺陷，論文提出的設(shè)計(jì)思路是用電流鏡代替折疊式，避免輸出電阻的下降，從而使
2010-07-30 18:09:0823
80MHz共源共柵放大器電路圖
2009-04-08 09:10:102057 
200MHz共源共柵放大器電路圖1
2009-04-08 09:12:491839 
200MHz共源共柵放大器電路圖2
2009-04-08 09:13:121252 
共射一共基組合寬頻帶視頻放大器
現(xiàn)以康佳P2592N型機(jī)的視放輸出電路為例(見圖1，所示)，由V502與V501組成R信號的共射、共基極放大器:V503與V504組成G信號的共射、共
2009-11-23 21:41:083546 
高能效新的納米硫化鋰/硅電池
美國Stanford大學(xué)研究人員于2010年2月27日宣布，驗(yàn)證了高能效新的納米結(jié)構(gòu)硫化鋰/硅可充電電池體系。
2010-03-02 09:05:42900 折疊共源共柵運(yùn)算放大器原理及設(shè)計(jì)
1 引言
本文介紹的運(yùn)放是一種采用TSMC 0.18 μm Mixed Signal SALICIDE（1P6M，1.8V/3.3V）CMOS工藝的折疊共源共柵運(yùn)放，并對其進(jìn)行了DC
2010-03-12 15:05:2412904 
本文設(shè)計(jì)了一種采用增益增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵跨導(dǎo)運(yùn)算放大器，可用于流水線結(jié)構(gòu)的A/D中。出于對性能及版圖因素的考慮，采用了單端放大器作為增益提高
2011-06-29 09:45:0912396 
本文以某一型號N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管組成的分壓-自偏壓共源放大電路為例，進(jìn)行靜態(tài)、動(dòng)態(tài)和溫度特性分析，并且與理論計(jì)算結(jié)果對比，得出分壓-自偏壓共源放大電路的Multisim電路仿
2011-08-11 11:34:0810691 
采用臺(tái)積電0.18umCMOS工藝設(shè)計(jì)了中心頻率在5.25GHz的功率放大器，其中使用了共源共柵電感對功率放大器電路進(jìn)行改進(jìn)，在一定程度上提高了功率放大器的效率
2011-08-25 14:13:045621 
共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電
2012-02-15 10:48:3164 給出了兩種應(yīng)用于兩級CMOS 運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償技術(shù)的比較,用共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)出的CMOS 運(yùn)放與直接密勒補(bǔ)償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時(shí)
2012-02-15 11:09:5078 2015年3月12日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN） 將在美國應(yīng)用電力電子會(huì)議 （APEC） 展臺(tái)407展示最新的電源管理技術(shù)
2015-03-12 17:50:261607 北卡羅納州 – 2015年3月17日-推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN），和功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立
2015-03-19 14:28:433009 2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式（增強(qiáng)型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。
2015-03-20 14:08:392841 低溫漂系數(shù)共源共柵CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源_鄧玉斌
2017-01-08 10:24:075 共源共柵跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
2017-03-05 15:00:0610 :折疊共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)的運(yùn)算放大器可以使設(shè)計(jì)者優(yōu)化二階性能指標(biāo), 這一點(diǎn)在傳統(tǒng)的兩級運(yùn)算放大器中是
不可能的。 特別是共源共柵技術(shù)對提高增益、增加 PSRR 值和在輸出端允許自補(bǔ)償是有很用
2022-07-08 16:32:3523 擺幅。盡管其具有上述優(yōu)點(diǎn)，但它不適合兩個(gè)輔助運(yùn)放。因?yàn)閮蓚€(gè)輔助運(yùn)放的輸出負(fù)載是主運(yùn)放中共源共柵管的柵電容，它們都較小。若采用開關(guān)電容共模反饋，共模反饋電路的電容勢必更小，致使開關(guān)的電荷注入效應(yīng)影響到
2018-06-08 08:59:0011076 
TrimQuTT的TGA2216-SM是在TrimQuin公司生產(chǎn)的0.25M GaN SiC工藝上制造的寬帶共源共柵放大器。共源共柵配置提供卓越的寬帶性能，以及支持40V操作。TGA2216-SM
2018-08-17 11:27:007 如圖是一個(gè)共源共柵放大器，同時(shí)也可以看作雙柵場效應(yīng)管。請問：1.這樣結(jié)構(gòu)的電路為什么會(huì)產(chǎn)生密勒效應(yīng)呢？
2018-12-29 09:27:050 
此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒有反向恢復(fù)電荷（QRR），使其非常適合硬開關(guān)應(yīng)用。
2020-04-29 16:07:464215 低溫共燒陶瓷基板制備工藝與高溫共燒多層陶瓷基板類似，其區(qū)別是在Al2O3粉體中混入質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%-50%的低熔點(diǎn)玻璃料，使燒結(jié)溫度降低至850~900℃，因此可以采用導(dǎo)電率較好的金、銀作為電極和布線
2020-05-12 11:45:262250 本文介紹了一種折迭共源共柵的運(yùn)算放大器，采用TSMC0.18混合信號雙阱CMOS工藝庫，用HSpiceW-2005.03進(jìn)行設(shè)計(jì)仿真，最后
2021-04-16 09:39:536643 
共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種 COMS 工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義，本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關(guān)系，并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
2022-04-01 14:25:315 本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發(fā)散振蕩）的性能，并研究了它們在利用零電壓開關(guān)的電路中的性能。
2022-05-07 16:27:453909 
的。 光譜共焦如何測量玻璃基板厚度 那么如何測量玻璃基板厚度呢？ 傳統(tǒng)的測量接觸式測量不僅精度無法保證，而且很容易對玻璃表面造成二次傷害，那么有什么辦法呢？2014年深圳立儀科技有限公司自主研發(fā)處理非接觸式測量光譜共焦位移傳感器。光譜
2022-06-23 16:34:01758 電流鏡是模擬集成電路設(shè)計(jì)中基本的電路單元之一，在電流拷貝，運(yùn)放偏置等電路中極為常見，其決定著電流拷貝的精準(zhǔn)性以及運(yùn)放的增益，匹配等特性。共源共柵電流鏡得益于其優(yōu)越的輸出阻抗，在高精度的模擬電路中被廣泛使用。
2022-12-02 17:14:169194 
CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 09:25:091279 在過去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:121064 
電流鏡在模擬IC中可以說是必不可少，關(guān)鍵又很重要。電流鏡的結(jié)構(gòu)有很多種，今天來總結(jié)一下低壓共源共柵電流鏡在模擬IC的用法以及偏置電壓產(chǎn)生方法。
2023-02-20 15:34:147317 
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開關(guān)應(yīng)用中略有小成，但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史
2023-03-24 17:15:03867 GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05891 共源級放大器具有采用電源負(fù)載的共源級，二極管連接方式的負(fù)載的共源級，電流源負(fù)載的共源級，有源負(fù)載的共源級，源級負(fù)反饋的共源級。接下來會(huì)給大家根據(jù)小編自己的理解簡單介紹一下這五種類型的共源級放大器。
2023-04-26 11:20:1512392 
為什么說共源共柵結(jié)構(gòu)會(huì)減小米勒電容效應(yīng)呢？ 共源共柵結(jié)構(gòu)是一種常見的放大器電路結(jié)構(gòu)，在多種電路應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。它由共源、共柵、共耦合電容和外部負(fù)載等元件組成。共源共柵結(jié)構(gòu)由于具有許多優(yōu)良的特性
2023-09-05 17:29:362716 共源共柵Cascode以及級聯(lián)Cascade的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？ 共源共柵Cascode以及級聯(lián)Cascade是常用的放大電路架構(gòu)，它們在不同應(yīng)用場合中具有不同的優(yōu)缺點(diǎn)。在本文中，我們將就這些架構(gòu)列舉其
2023-09-18 15:08:1014347 單級，共源共柵和調(diào)節(jié)型共源共柵型放大器的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？? 放大器是電子電路中最基礎(chǔ)也是最重要的組成部分之一。設(shè)計(jì)一種適當(dāng)?shù)姆糯笃麟娐肥请娐吩O(shè)計(jì)者必不可少的技能。共源共柵和調(diào)節(jié)型共源共柵型放大器
2023-09-18 15:08:234996 共柵放大器的兩種應(yīng)用是什么？? 共柵放大器是一種常見的基本放大器電路，廣泛應(yīng)用于通信、音頻和視頻等領(lǐng)域。它具有良好的線性特性、低噪聲、高輸入阻抗和高輸出阻抗等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)信號放大和濾波等功能。本文
2023-09-18 15:08:262178 為什么共源共柵運(yùn)放被稱為telescope？? 共源共柵運(yùn)放，也被稱為telescope，是一種特殊的MOSFET運(yùn)放。它由一對共源共柵電路構(gòu)成，可以被看作是兩個(gè)基本的單級MOSFET放大器級聯(lián)
2023-09-20 16:29:411994 為什么共源級和共柵級放大器的輸出阻抗是一致的？ 共源級放大器和共柵級放大器是兩種主要的放大器電路。在這兩種電路中，輸出阻抗是不同的。但是，在某些情況下，這兩種放大器電路的輸出阻抗可以相同。本文將
2023-09-20 17:05:163151 為什么共漏級又稱為源極跟隨器、電壓緩沖器？共源共柵級又稱為電流緩沖器？? 共漏級、共源共柵級等是電子電路中常見的兩種基本放大電路，它們最常見的應(yīng)用是作為電壓或電流緩沖器。在這篇文章中，我們將詳細(xì)介紹
2023-09-21 15:52:234728 如何區(qū)分共源放大電路和共漏放大電路？? 共源放大電路和共漏放大電路是基本的放大電路類型，它們在實(shí)際電路中經(jīng)常出現(xiàn)。雖然這兩種放大電路可以用不同的方式來實(shí)現(xiàn)，在它們各自的電路結(jié)構(gòu)中，都存在特定的優(yōu)缺點(diǎn)
2023-09-21 15:55:408383 
為什么只有共源級有密勒效應(yīng)，而共柵級、共漏級沒有密勒效應(yīng)？ 密勒效應(yīng)是指在半導(dǎo)體器件中，頻率越高時(shí)電路增益越低的現(xiàn)象。 該現(xiàn)象是由于半導(dǎo)體器件電容的存在而導(dǎo)致的，而這個(gè)電容主要是空乏區(qū)電容和晶體管
2023-09-21 15:55:432431 共源共柵放大器用于增強(qiáng)模擬電路的性能。利用共源共柵是一種常見的方法，可用于晶體管和真空管的應(yīng)用。Roger Wayne Hickman 和 Frederick Vinton Hunt 在 1939
2023-09-28 11:23:206757 
在半導(dǎo)體開關(guān)中使用共源共柵拓?fù)湎桌招?yīng)
2023-12-07 11:36:431446 
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司于2月25日至29日參加2024年美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)（APEC），并重點(diǎn)展示其在業(yè)界非常全面的功率電子器件。英飛凌的寬禁帶解決方案具有高能效
2024-04-07 14:00:32880 
共源放大器（Common Source Amplifier）是一種常見的晶體管放大器配置，主要應(yīng)用于模擬電路設(shè)計(jì)中。它使用一個(gè)晶體管作為放大元件，通過控制輸入信號的電壓來改變輸出信號的電壓。 1.
2024-09-27 09:29:402810 共源共柵放大器是一種特殊的場效應(yīng)晶體管（FET）放大器，它結(jié)合了共源放大器和共柵放大器的優(yōu)點(diǎn)。在這種放大器中，一個(gè)晶體管作為共源放大器，另一個(gè)晶體管作為共柵放大器。這種放大器具有高增益、低噪聲、高
2024-09-27 09:38:422191 共源共柵放大器的偏置電壓取值是一個(gè)相對復(fù)雜的過程，需要考慮多個(gè)因素以確保放大器能夠穩(wěn)定且高效地工作。以下是一個(gè)大致的步驟和考慮因素： 一、確定工作點(diǎn)電流 分析場效應(yīng)管特性 ：首先，需要了解所
2024-09-27 09:41:331902 共源共柵放大器的增益是一個(gè)相對復(fù)雜的參數(shù)，它受到多個(gè)因素的影響，包括晶體管的跨導(dǎo)、負(fù)載電阻、源電阻、以及電路的具體設(shè)計(jì)等。因此，無法直接給出一個(gè)具體的增益值，而需要根據(jù)具體的電路情況來計(jì)算
2024-09-27 09:45:072171 
共源共柵放大器（Cascode）是一種在集成電路設(shè)計(jì)中常用的放大器結(jié)構(gòu)，它結(jié)合了共源放大器和共柵放大器的優(yōu)點(diǎn)，具有高輸入阻抗、高輸出阻抗和較大的電壓擺幅。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，共源共柵放大器的增益
2024-09-27 09:46:381932 共源共柵放大器（Cascode amplifier）是一種在模擬電路設(shè)計(jì)中常用的放大器結(jié)構(gòu)，它結(jié)合了共源（Common Source，CS）和共柵（Common Gate，CG）兩種放大器的優(yōu)點(diǎn)
2024-09-27 09:48:124243 折疊共源共柵放大器（Folded Cascode Amplifier）是一種在模擬集成電路設(shè)計(jì)中常用的放大器結(jié)構(gòu)，它結(jié)合了共源（Common Source）和共柵（Common Gate）放大器
2024-09-27 09:50:034777 ?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司；?通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少15%以上；?新技術(shù)可用于各種應(yīng)用，包括英飛凌的AI賦能路線圖；?超薄晶圓技術(shù)
2024-10-31 08:04:38826 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:23:257 常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。 然而，開關(guān)模式在應(yīng)用中通常需要常關(guān)狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅MOSFET以cascode 配置結(jié)合在一起，構(gòu)造出一個(gè)常關(guān)開關(guān)模式“FET”，這種結(jié)構(gòu)保留了大部分SiC JFET的優(yōu)點(diǎn)。 Cas
2025-06-14 23:47:191065 
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用場景，核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能特點(diǎn)和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論