國內(nèi)外大多數(shù)光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態(tài)電阻也會隨著增大，在一些高壓大容量的系統(tǒng)中，MOSFET會因其通態(tài)電阻過大而導(dǎo)致增加開關(guān)損耗的缺點。相比之下，絕緣柵雙極晶體管IGBT通態(tài)電流大，正反向組態(tài)電壓比較高，通過電壓來控制導(dǎo)通或關(guān)斷，這些特點使IGBT在中、高壓容量的系統(tǒng)中更具優(yōu)勢，因此采用IGBT構(gòu)成太陽能光伏發(fā)電關(guān)鍵電路的開關(guān)器件，有助于減少整個系統(tǒng)不必要的損耗，使其達(dá)到最佳工作狀態(tài)。

1 原理
1．1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
??? 太陽能光伏發(fā)電的實質(zhì)就是在太陽光的照射下，太陽能電池陣列(即PV組件方陣)將太陽能轉(zhuǎn)換成電能，輸出的直流電經(jīng)由逆變器后轉(zhuǎn)變成用戶可以使用的交流電。原理圖如圖1所示。

??? 逆變器是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，因為它是將直流電轉(zhuǎn)化為用戶可以使用的交流電的必要過程，是太陽能和用戶之間相聯(lián)系的必經(jīng)之路。因此要研究太陽能光伏發(fā)電的過程，就需要重點研究逆變電路這一部分。如圖2(a)所示，是采用功率場效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的比較簡單的推挽式逆變電路，其變壓器的中性抽頭接于電源正極，MOSFET的一端接于電源負(fù)極，功率場效應(yīng)管Q1，Q2交替的工作最后輸出交流電力，但該電路的缺點是帶感性負(fù)載的能力差，而且變壓器的效率也較低，因此應(yīng)用起來有一些條件限制。采用絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的全橋逆變電路如圖2(b)所示。其中Q1和Q2之間的相位相差180°，其輸出交流電壓的值隨Q1和Q2的輸出變化而變化。Q3和Q4同時導(dǎo)通構(gòu)成續(xù)流回路，所以輸出電壓的波形不會受感性負(fù)載的影響，所以克服了由MOSFET構(gòu)成的推挽式逆變電路的缺點，因此采用IGBT構(gòu)成的全橋式逆變電路的應(yīng)用較為廣泛一些。

1．2 IGBT的原理
??? 絕緣柵雙極晶體管IGBT是相當(dāng)于在MOSFET的漏極下增加了P+區(qū)，相比MOSFET來說多了一個PN結(jié)，當(dāng)IGBT的集電極與發(fā)射極之間加上負(fù)電
壓時，此PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，其集電極與發(fā)射極之間沒有電流通過，因此IGBT要比MOSFET具有更高的耐壓性。也是由于P+區(qū)的存在，使得IGBT在導(dǎo)通時是低阻狀態(tài)，所以相對MOSFET來說，IGBT的電流容量要更大一些。表1所示為MOSFET和IGBT的性能對比，其中MOSFET的門柵極驅(qū)動損耗是比較低的，但相比于IGBT來說，IGBT的門柵極驅(qū)動損耗更低一些。

2 電路設(shè)計
??? 逆變電路中的前級DC-DC變換器部分采用PIC16F873單片機(jī)為控制核心，后級DC-AC部分采用高性能DSP芯片TMS320F240為控制核心的全橋逆變電路。為了提升太陽能光伏發(fā)電逆變器的效率，可以通過降低逆變器損耗的方式來完成，其中驅(qū)動損耗和開關(guān)損耗是重點解決對象。降低驅(qū)動損耗的關(guān)鍵取決于功率開關(guān)管IGBT的柵極特性，降低開關(guān)損耗的關(guān)鍵取決于功率開關(guān)管IGBT的控制方式，因此針對驅(qū)動損耗和開關(guān)損耗的特性提出以下解決方案。