本文主要研究了導致組件CTM損失的可能因素，重點分析了造成單晶組件和多晶組件CTM差異的原因。光學損失和B-O復合之間的差異決定了多晶組件的CTM損失要少于單晶組件，對于硼氧復合損失可以想辦法改善，但對于光學損失的差異，針對單晶沒有更好的解決方法。

　　隨著光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，使晶體硅太陽電池及其組件成為研究的熱點，以實現(xiàn)太陽電池組件效益的最大化。電池封裝為組件不僅可以使電池的電壓、電流和輸出功率得到保證，而且還可以保護電池不受環(huán)境損害和機械損傷。晶體硅太陽電池經(jīng)過封裝為組件后，組件的功率（實際功率）與所有電池片的功率之和（理論功率）的差值，稱為組件封裝功率損失，其計算公式為：組件功率損失=（理論功率-實際功率）/理論功率。

　　通常我們使用組件輸出功率與電池片功率總和的百分比（Cell To Module簡稱CTM值）表示組件功率損失的程度，CTM值越高表示組件封裝功率損失的程度越小。如果CTM值較低，組件的輸出功率有可能達不到預期的要求，遭到客戶的投訴，最終造成經(jīng)濟效益的損失。

　　與此相反，如果可以提高CTM值，組件的輸出功率的增加會提高公司組件產(chǎn)品的收益，已達到降低生產(chǎn)成本的目的。在組件產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)單晶組件和多晶組件的CTM差別比較大。在組件生產(chǎn)工序完全一致的情況下，單晶組件CTM損失要高于多晶組件，本文主要針對單晶和多晶組件CTM的差異性進行研究，解釋單多晶組件CTM不同的內(nèi)在原因。

　　1、組件CTM影響因素

　　影響CTM的因素很多，包括：

　　A.光學損耗：制絨絨面不同引起的光學反射、玻璃和EVA等引起的反射損失。

　　B.電阻損耗，電池片本身的串聯(lián)電阻損耗、焊帶，匯流條本身的電阻引起的損耗，焊帶不良導致的接觸電阻、接線盒的電阻。

　　C.不同電流的電池片串聯(lián)時引起的電流失配損失，由于組成組件的各電池片最大工作點電流不匹配造成的失配損失（分檔，低效片混入）。

　　D.熱損耗，組件溫度升高會引起的輸出功率下降。

　　E.B-O復合引起的電池片效率衰減，與本征衰退損失。

　　F.組件生產(chǎn)過程中產(chǎn)生隱裂或碎片。

　　影響單晶和多晶組件CTM差異的因素主要包括2個方面，光學損耗和硼氧復合損耗。光學損耗產(chǎn)生的差異主要為單多晶電池產(chǎn)品的制絨工藝是不同的，反射率的差異性比較大；B-O復合損耗的差異為單多晶原料片生長工藝不同，單晶原料過程中引入的硼氧對要多于多晶原料。本文設計實驗主要針對以上兩點進行實驗設計，分析造成單多晶組件CTM差異性的原因。

　　2、實驗設計

　　2.1、實驗樣品

　　樣品采集自晶澳電池產(chǎn)線，所用硅片厚度為200μm，電阻率為1-3Ω.cm的單晶和多晶電池片各20片，并且20片單晶電池片為同一個功率檔位，20片多晶電池片為同一個功率檔位。

　　2.2、實驗步驟

　　單多晶電池片分別選取10片進行LID測試；單多晶電池片分別選取5片進行量子效率（QE）測試；單多晶電池片分別選5片采用相同的焊接和封裝工藝制成小型組件，并進行QE測試。

　　2.3、實驗測試

　　10片電池片先測量功率等各項參數(shù)，然后在穩(wěn)態(tài)太陽模擬器或自然陽光條件下，連續(xù)照射5小時（控制光強1000w/m2），完成之后重新檢測功率等參數(shù)，分析實驗前后電池片功率損失情況，即為LID測試。

　　QE量子效率是指電池片的量子效率為太陽能電池的電荷載流子數(shù)目與照射在太陽能電池表面一定能量的光子數(shù)目的比率。某一波長的光照射在電池表面時，每一光子平均所能產(chǎn)生的載流子數(shù)目，為太陽能電池的量子效率，也成為光譜響應，簡稱QE。