本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進(jìn)行分割，并使用近似公式計(jì)算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:05
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為了安全使用SiC模塊，需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向?qū)?，即工作在同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計(jì)算方法。
2025-06-18 17:44:464438 
開電源開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開關(guān)損耗就更復(fù)雜，既有本身的因素，也有相關(guān)元器件的影響。
2019-07-22 14:16:0917713 
開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2022-08-12 11:53:211622 功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助
2023-07-01 10:10:052236 
MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？
2023-07-19 15:46:293960 
本文詳細(xì)介紹了開關(guān)電源(SMPS)中各個(gè)元器件損耗的計(jì)算和預(yù)測技術(shù)，并討論了提高開關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點(diǎn)，以選擇最合適的芯片來達(dá)到高效指標(biāo)。
2024-01-22 18:26:0621530 
MOS管損耗的8個(gè)組成部分在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對MOSFET的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用
2025-02-11 10:39:334787 
在前面的內(nèi)容中，我們了解了負(fù)載開關(guān)IC的基本定義、獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)、實(shí)用功能及其操作，今天作為【負(fù)載開關(guān)IC】系列的最后一篇內(nèi)容，芝子將帶著大家了解一下負(fù)載開關(guān)IC數(shù)據(jù)表中相關(guān)術(shù)語和功率損耗計(jì)算方法。
2025-10-15 16:54:501406 
IC可維持性能的溫度的最大的功耗。例如，如果某電源IC的容許損耗為“1.2W”，則單純來說，在該條件下所損耗的功率只要不超1.2W即可。以簡單的LDO穩(wěn)壓器為例，其計(jì)算方式如下：輸入為5V、輸出為
2018-11-30 11:49:59
電源損耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的開通損耗及導(dǎo)通損耗。2.變壓器的銅損和鐵損；3.副邊整流管的損耗；4.橋式整流的損耗。5.采樣電阻損耗；6.吸收電路的損耗；7.其它損耗：PFC電感損耗
2018-09-18 09:13:29
功率電路所需的功能器件有關(guān)，這些器件包括與控制IC相關(guān)的電路以及反饋電路。相比于電源的其他損耗，這些損耗一般較小，但是可以作些分析看看是否有改進(jìn)的可能。 首先是啟動(dòng)電路。啟動(dòng)電路從輸入電壓獲得直流電
2020-08-07 08:06:08
我們將介紹測試電源開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的各個(gè)步驟。 記住，經(jīng)過電源開關(guān)和磁性器件的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗對系統(tǒng)整體損耗有著巨大影響，正因如此，應(yīng)盡可能精確地使這些損耗達(dá)到最小，這一點(diǎn)至關(guān)重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
比如一個(gè)電源，全橋架構(gòu)，副邊用的是橋式整流輸出，輸出電流為10A，假設(shè)二極管的管子壓降為1.5V，那么副邊的二極管通態(tài)損耗怎么樣計(jì)算？可以這樣了解嗎：正半周期一組對角的二極管導(dǎo)通，此時(shí)功耗為1.5V*10*2=30W，同理負(fù)半周期也如此，則副邊二極管損耗為60W。
2018-12-18 14:52:44
跟著人們對多媒體和3g手機(jī)的希望越來越高，對高畫質(zhì)的視頻、音頻的播映、多媒體的數(shù)據(jù)流、更加明晰的顯現(xiàn)及更多文娛等等的要求，手機(jī)中的功用和使用的多元化，以及功率耗費(fèi)的增加，電源辦理IC也就成了手機(jī)
2018-08-17 15:10:32
時(shí)，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細(xì)計(jì)算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來源2.1 MOS開關(guān)損耗MOS在開關(guān)電源中用作開關(guān)器件，顧名思義，MOS會(huì)經(jīng)常的開通和關(guān)斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
Buck開關(guān)電源損耗如何估算？
2021-10-11 08:18:13
出現(xiàn)上述情況。計(jì)算損耗是一個(gè)迭代過程。在每一次迭代計(jì)算IC功率損耗時(shí)，都需要評估結(jié)溫和相應(yīng)的RDSON，以得到精確的效率結(jié)果。WEBENCH Power Designer能很好的處理這一過程；還能顯示被動(dòng)元件
2018-08-30 14:59:56
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
另外半個(gè)工頻周期內(nèi)電流為0，因此反向恢復(fù)損耗為0； 6、IGBT導(dǎo)通損耗計(jì)算 導(dǎo)通損耗的計(jì)算是按照Vce電壓和電流I進(jìn)行積分求取如下： 其中Vce （t）代表IGBT的導(dǎo)通壓降，ic （t）代表流過
2023-02-24 16:47:34
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
。
為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功率損耗的需求，需要更高的能源轉(zhuǎn)換效率，這些與時(shí)俱進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)范要求，對于電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者會(huì)是日益嚴(yán)厲的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對前述之規(guī)范需求，除使用各種新的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?topology
2025-03-24 15:03:44
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
驅(qū)動(dòng)損耗，指柵極接受驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)造成之損耗驅(qū)動(dòng)損耗的計(jì)算確定驅(qū)動(dòng)電源電壓 Vgs 后，可通過如下公式進(jìn)行計(jì)算：Pgs= Vgs × Qg × fs說明Qg 為總驅(qū)動(dòng)電量，可通過器件規(guī)格書查找得到。6
2019-09-02 08:30:00
，也就是說將近5mA的電流損耗在7805里了。有沒有低損耗的電源芯片，可以最大限度的降低損耗呢？哪位神哥給推薦一個(gè)??！
2019-10-25 03:59:57
對于常見功率器件，整流橋，電解電容，IGBT，MOS管，這些功率器件的熱損耗功率該怎么計(jì)算？
尤其是電解電容，在母線支撐電路中，受到母線電壓跌落幅值的影響功率損耗很大，所以在常規(guī)的380V變頻器電解電容選型中，以輸出電流為準(zhǔn)，多少A的電流應(yīng)該配備多大容量的電解電容？
2024-06-12 16:44:14
計(jì)算公式 （1）有功損耗： ΔP=P0+KTβ2PK-------（1） ?。?）無功損耗：ΔQ=Q0+KTβ2QK-------（2） （3）綜合功率損耗：ΔPZ=ΔP+KQΔQ----
2020-06-19 16:06:49
黑盒方式評估電源的耗散功率白盒方式計(jì)算電源的耗散功率開關(guān)損耗產(chǎn)生過程詳細(xì)分析電源方案的耗散功率如何計(jì)算？
2021-03-17 06:52:55
如何計(jì)算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開關(guān)MOS的損耗如何計(jì)算？
2021-03-02 08:36:47
電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-29 08:43:49
的電壓尖峰 Vspike 疊加其 上，此值可大致按經(jīng)驗(yàn)估算。 5、驅(qū)動(dòng)損耗Pgs 驅(qū)動(dòng)損耗，指柵極接受驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)造成之損耗 驅(qū)動(dòng)損耗的計(jì)算 確定驅(qū)動(dòng)電源電壓 Vgs 后，可通過如下公式進(jìn)行計(jì)算
2019-09-06 09:00:00
的壽命。 04附加損耗附加損耗與所有運(yùn)行功率電路所需的功能器件有關(guān)，這些器件包括與控制IC相關(guān)的電路以及反饋電路。相比于電源的其他損耗，這些損耗一般較小，但是可以作些分析看看是否有改進(jìn)的可能。 首先是
2020-08-27 08:07:20
最高的電容的壽命?！ 「郊?b class="flag-6" style="color: red">損耗 附加損耗與所有運(yùn)行功率電路所需的功能器件有關(guān)，這些器件包括與控制IC相關(guān)的電路以及反饋電路。相比于電源的其他損耗，這些損耗一般較小，但是可以作些分析看看是否有改進(jìn)
2023-03-16 16:37:04
開關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些
2021-03-11 07:22:34
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
這兩條曲線所包圍的面積。例如圖1的開通損耗可用式(3)計(jì)算。這個(gè)結(jié)果只是功率開關(guān)開通期間的損耗值，再加上關(guān)斷和導(dǎo)通損耗可以得到開關(guān)期間的總損耗值。與輸出整流器有關(guān)的損耗在典型的非同步整流器開關(guān)電源內(nèi)部
2019-07-01 10:20:34
與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗都有哪些？
2019-09-11 13:57:01
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗，雖然實(shí)際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率，但是，一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平，效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的工作效率可以在特定的工作條件下測得，數(shù)據(jù)資料
2021-10-28 08:49:17
插入損耗的計(jì)算
2009-09-23 17:43:24
圖1所示為評估模塊（EVM）示意圖。圖1：設(shè)計(jì)原理圖柵極電荷和IC損耗在諸如LM2673的典型非同步降壓穩(wěn)壓器中，功耗部件包括集成電路、電感器和箝位二極管。穿過輸入和輸出電容和寄生等效串聯(lián)電阻（ESR）的均方根（RMS）電流非常低；因此，你可以忽略這些組件的損耗。由于結(jié)構(gòu)關(guān)系…
2022-11-16 07:54:35
DC-DC電源模塊待機(jī)的時(shí)候，輸出端無負(fù)載 ，但產(chǎn)品又存在待機(jī)損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？本文將一探究竟。 一、 啟動(dòng)電路損耗 一般的啟動(dòng)電路都是R+C啟動(dòng)，如圖1
2023-03-20 16:59:01
今天，Ms.參與大家共同了解實(shí)際流體，談?wù)劻黧w運(yùn)動(dòng)時(shí)的損耗計(jì)算。 1 實(shí)際流體及其運(yùn)動(dòng)方程與理想流體相比，實(shí)際流體存在著粘滯性，管道對流體也存在各種形式的阻力，因此管道中的流體(如電機(jī)中的空氣)流動(dòng)
2018-10-29 17:13:18
不錯(cuò)，但“流過電機(jī)的電流×電源電壓”中卻含有電機(jī)的功耗，因此，正確的做法是應(yīng)先求出電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的輸出功耗，再加上IC電路的功耗。輸出功耗通過“損耗電壓×輸出電流”來計(jì)算。后續(xù)會(huì)介紹在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC
2021-11-12 07:00:00
的散熱性能和結(jié)溫。不正確的散熱可以導(dǎo)致RDSON的大幅增加，引起最大負(fù)載效率的大幅下降。當(dāng)IC的連接焊盤（DAP）與IC板上的焊接不正確時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)上述情況。計(jì)算損耗是一個(gè)迭代過程。在每一次迭代計(jì)算
2018-06-07 10:17:46
如何正確計(jì)算2.4GHz頻段模塊的路徑損耗？
2021-05-21 06:46:15
5、無源元件損耗??我們已經(jīng)了解MOSFET 和二極管會(huì)導(dǎo)致SMPS 損耗。采用高品質(zhì)的開關(guān)器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優(yōu)化電源效率的元件。圖1 詳細(xì)介紹了一個(gè)典型的降壓型轉(zhuǎn)換器IC
2021-12-31 06:19:44
IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究：器件的損耗對系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IG
2009-06-20 08:33:53
98 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型,分析了開關(guān)器件在Boost 電路中的損耗,并計(jì)算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺(tái)3kW的Boost 型PFC 整流電源進(jìn)
2009-10-17 11:06:0672 線路電能損耗計(jì)算方法:線路電能損耗計(jì)算方法 A1 線路電能損耗計(jì)算的基本方法是均方根電流法，其代表日的損耗電量計(jì)算為： ΔA=3 Rt×10-3 (kW•h) (Al-1) Ijf = (A) (Al-2) 式
2010-01-27 11:53:4939 光鏈路總損耗計(jì)算公式：
A=0.25L+10 lg(1/K)+E+0.3N
4)光鏈路計(jì)算 ?、?b class="flag-6" style="color: red">計(jì)算依據(jù) 光纖損耗<0.2 dB/km(使用1級
2008-08-13 01:48:496116 變壓器空載損耗、負(fù)載損耗、阻抗電壓的計(jì)算
空載損耗：當(dāng)變壓器二次繞組開路，一次繞組施加額定頻率正弦波形的額定電壓時(shí)，所消耗的有功功率稱空載損耗。算法
2009-04-30 09:18:042988 變壓器空載損耗、負(fù)載損耗、阻抗電壓的計(jì)算
空載損耗：當(dāng)變壓器二次繞組開路，一次繞組施加額定頻率正弦波形的額定電壓時(shí)
2009-12-11 10:22:331433 車載電源的無負(fù)載損耗 無負(fù)載損耗也叫空載電流，是指車載電源在無負(fù)載的情況下，自身消耗的最小
2010-01-04 13:52:361052 您是否曾詳細(xì)計(jì)算過設(shè)計(jì)中的預(yù)計(jì)組件損耗，結(jié)果卻發(fā)現(xiàn)與實(shí)驗(yàn)室測量結(jié)果有較大出入呢?本電源設(shè)計(jì)小貼士介紹了一種簡便方法，以幫助您消除計(jì)算結(jié)果與實(shí)際測量結(jié)果之間
2010-08-13 16:15:451253 
我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來計(jì)算電源損耗：
下一步是利用上述簡單表達(dá)式，并將其放入效
2010-08-14 09:02:131357 
根據(jù)MOSFET的簡化模型，分析了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，通過典型的修正系數(shù)，修正了簡化模型的極間電容。通過開關(guān)磁鐵電源的實(shí)例計(jì)算了工況下MOSFET的功率損耗，計(jì)算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 使用示波器測量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 電源設(shè)計(jì)的參考設(shè)計(jì)：零損耗高壓檢測信號斷接IC，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:4511 損耗計(jì)算器工具用戶指南
2017-09-18 11:01:1313 1、概述 電源的功耗是多方面的，包括開關(guān)損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要介紹 算起來很簡單的電感損耗。電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二
2017-11-10 14:31:074 工頻電源測量鐵磁元件鐵心損耗的低頻測量法。該方法通過施加幾個(gè)頻率的低頻電壓，測量低頻下的鐵損耗PFe，得到不同頻率的E/f（電動(dòng)勢／頻率）PFe曲線，再通過樣條插值法計(jì)算頻率不同、E/f相等時(shí)的鐵損耗，根據(jù)最小二乘原理計(jì)算折算
2018-02-07 13:59:421 本文主要介紹了介質(zhì)損耗怎樣計(jì)算_介質(zhì)損耗計(jì)算公式。什么是介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。介質(zhì)損耗與外施電壓、電源頻率
2018-03-20 10:03:0288979 
電源設(shè)計(jì)小貼士11&12：解決電源電路損耗問題
2018-08-08 00:33:005636 ，對電源熱耗的評估的目的是為了保證電源始終工作在一個(gè)安全的狀態(tài)（不會(huì)被熱保護(hù)或者燒毀）。評估熱耗的第一步工作是計(jì)算電源方案的耗散功率（被損耗掉的功率），評估耗散功率有兩種方法，黑盒和白盒。 一、黑盒方式評估電源
2018-09-06 11:23:2618805 要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。
2019-06-20 10:01:295813 本文主要闡述了變壓器空載損耗計(jì)算公式及變壓器空載損耗對照表。
2020-01-15 08:54:26104499 
IC的容許損耗（適用于大多數(shù)電子部件），意指不超過其IC可維持性能的溫度的最大的功耗。
2020-04-05 10:46:001294 
使用在“電源IC的功率損耗計(jì)算示例”中計(jì)算得到的結(jié)果。為方便起見，下面給出計(jì)算損耗時(shí)的條件和損耗的計(jì)算結(jié)果。
2020-04-05 10:22:003211 
在光纖安裝中，對光纖鏈路進(jìn)行準(zhǔn)確的測量和計(jì)算是驗(yàn)證網(wǎng)絡(luò)完整性和確保網(wǎng)絡(luò)性能非常重要的步驟，光纖內(nèi)會(huì)因光吸收和散射等造成明顯的信號損失（即光纖損耗），從而影響光傳輸網(wǎng)絡(luò)的可靠性，那么光纖損耗如何計(jì)算
2020-11-04 15:44:1220261 
在光纖安裝中，對光纖鏈路進(jìn)行準(zhǔn)確的測量和計(jì)算是驗(yàn)證網(wǎng)絡(luò)完整性和確保網(wǎng)絡(luò)性能非常重要的步驟，光纖內(nèi)會(huì)因光吸收和散射等造成明顯的信號損失（即光纖損耗），從而影響光傳輸網(wǎng)絡(luò)的可靠性，光纖損耗如何計(jì)算的呢？
2020-11-20 16:13:209178 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ，分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計(jì)算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ，給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2021-05-11 11:01:2524 本文介紹了電動(dòng)自行車無刷電機(jī)控制器的熱設(shè)計(jì)。其中包括控制器工作原理的介紹、MOSFET功率損耗的計(jì)算、熱模型的分析、穩(wěn)態(tài)溫升的計(jì)算、導(dǎo)熱材料的選擇、熱仿真等。
2021-06-10 10:34:2966 磁性元件的損耗在開關(guān)電源中占相當(dāng)大的比例，因此磁芯損耗的計(jì)算在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中相當(dāng)重要。 文中首先介紹了計(jì)算磁芯損耗的 Steinmetz 模型，然后對頻率、溫度、非正弦勵(lì)磁、直流偏置對磁芯損耗
2021-06-18 15:15:3127 在BUCK型開關(guān)電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-22 15:05:5927 電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:5954 關(guān)于變頻電源的效率與損耗，中港揚(yáng)盛技工分析由于輸出的諧波問題，這些諧波會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的銅耗和鐵耗,使電機(jī)固定損耗增加,電機(jī)溫升增高,降低運(yùn)行效率和功率因數(shù),因此變頻電源供電下電動(dòng)機(jī)的諧波損耗是一個(gè)大
2021-11-08 17:21:012 5、無源元件損耗??我們已經(jīng)了解MOSFET 和二極管會(huì)導(dǎo)致SMPS 損耗。采用高品質(zhì)的開關(guān)器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優(yōu)化電源效率的元件。圖1 詳細(xì)介紹了一個(gè)典型的降壓型轉(zhuǎn)換器IC
2022-01-11 13:11:560 電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所以有部分人對于它計(jì)算還有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2316 MOS管損耗的8個(gè)組成部分
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形
2022-02-11 14:06:463 開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2022-03-21 17:31:395050 開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2023-01-29 09:35:171374 今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識。
2023-02-07 15:32:385521 
繼上一篇“死區(qū)時(shí)間損耗”之后，本文將探討控制IC（Controller）自身功耗中的損耗?？刂?b class="flag-6" style="color: red">IC的自身功率損耗，在該例中，使用同步整流式控制IC、即未內(nèi)置功率開關(guān)的控制器型IC作為電源用IC。
2023-02-23 10:40:501507 
此前計(jì)算了損耗發(fā)生部分的損耗，本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進(jìn)行計(jì)算的例子。電源IC的功率損耗計(jì)算示例（內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC），圖中給出了從“電源IC的損耗”這個(gè)角度考慮時(shí)相關(guān)的部分。
2023-02-23 10:40:512445 
上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計(jì)算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡單”的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。
2023-02-23 10:40:513760 
MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:5510933 
BOSHIDA模塊電源待機(jī)損耗在哪 怎樣降低功耗 如何去減小損耗 模塊電源待機(jī)損耗在哪？怎樣降低待機(jī)功耗？DC-DC電源模塊待機(jī)的時(shí)候，輸出端無負(fù)載 ，但產(chǎn)品又存在待機(jī)損耗，這些損耗都耗在了哪里
2023-04-17 09:26:301590 在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。
2023-06-10 09:25:012381 電源的體積進(jìn)一步縮小。要在有限的體積及溫升范圍內(nèi)正常工作，這就對系統(tǒng)的效率提出了更高的要求。影響系統(tǒng)效率的主要損耗有功率管導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、續(xù)流損耗、變壓器銅損和磁損、二極管整流損耗、驅(qū)動(dòng)、采樣及控制電路損耗等。下面針對每一種損耗簡單說下自己的理解和分析。
2023-06-23 09:47:002060 
現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家
2023-01-14 10:05:302724 開關(guān)電源在工作過程中會(huì)產(chǎn)生一定的損耗，這些損耗主要表現(xiàn)為兩種形式：一種是在輸出端產(chǎn)生的功率損耗，另一種是在電源內(nèi)部產(chǎn)生的能量損耗。在電源內(nèi)部，能量損耗主要包括開關(guān)器件的導(dǎo)通和截止過程中的開關(guān)損耗、磁芯中的鐵損耗、電容中的電能損耗等。這些能量損耗都會(huì)以熱量的形式散發(fā)出來，導(dǎo)致電源的效率下降。
2024-10-01 16:39:002196
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