有一種電平轉(zhuǎn)換電路可以輕松的實現(xiàn)3.3V到5V，12V的電平轉(zhuǎn)換，暫時還沒嘗試。電路如下：

其中注意事項如下：

上圖中，S1，S2為兩個信號端，VCC_S1和VCC_S2為這兩個信號的高電平電壓。另外限制條件為：

1，VCC_S1《=VCC_S2.

2，S1的低電平門限大于0.7V左右（視NMOS內(nèi)的二極管壓降而定）。

3，Vgs《=VCC_S1.

4，Vds《=VCC_S2

對于3.3V和5V/12V等電路的相互轉(zhuǎn)換，NMOS管選擇AP2306即可。

此系統(tǒng)，慢速系統(tǒng)中可以應用。

原理如下：

電平轉(zhuǎn)換器的操作

在電平轉(zhuǎn)換器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài)：

1 沒有器件下拉總線線路?！暗碗妷骸辈糠值目偩€線路通過上拉電阻Rp 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的門極和源極都是3.3V，所以它的VGS 低于閥值電壓，MOS-FET 管不導通。這就允許“高電壓”部分的總線線路通過它的上拉電阻Rp 拉到5V。此時兩部分的總線線路都是高電平，只是電壓電平不同。

2 一個3.3V 器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET 管的源極也變成低電平，而門極是3.3V。 VGS上升高于閥值，MOS-FET 管開始導通。然后“高電壓”部分的總線線路通過導通的MOS-FET管被3.3V 器件下拉到低電平。此時，兩部分的總線線路都是低電平，而且電壓電平相同。

3 一個5V 的器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET 管的漏極基底二極管“低電壓”部分被下拉直到VGS 超過閥值，MOS-FET 管開始導通?！暗碗妷骸辈糠值目偩€線路通過導通的MOS-FET 管被5V 的器件進一步下拉到低電平。此時，兩部分的總線線路都是低電平，而且電壓電平相同。

這三種狀態(tài)顯示了邏輯電平在總線系統(tǒng)的兩個方向上傳輸，與驅(qū)動的部分無關(guān)。狀態(tài)1 執(zhí)行了電平轉(zhuǎn)換功能。狀態(tài)2 和3 按照I2C 總線規(guī)范的要求在兩部分的總線線路之間實現(xiàn)“線與”的功能。

除了3.3V VDD1 和5VVDD2 的電源電壓外，還可以是例如：2VVDD1 和10V VDD2。在正常操作中，VDD2必須等于或高于VDD1（在開關(guān)電源時允許VDD2 低于VDD1）。

R1可以省去，或者降到100歐姆一下，不然影響速度。？？？？

gate上的電阻，主要還是怕萬一mos燒掉會拖累燒掉電源吧，這種線路也不可能用來做高速應用的，這就夠了。

思路引用amos電子論壇。