前言：臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱臻驅(qū)科技）是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動力總成及其功率半導體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2 019 年底，臻驅(qū)科技與日本羅姆半導體公司成立了聯(lián)合實驗室，并
2020-11-24 11:51:47
2701 
10月21日，正海集團有限公司（以下簡稱：正海集團）和全球領(lǐng)先的碳化硅芯片/模組供應(yīng)商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱：羅姆）在上海市閔行區(qū)召開合資公司發(fā)布會。
2021-10-23 08:00:003686 2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812442 
海飛樂技術(shù)有限公司是一家以快速恢復二極管（FRD）、快恢復模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導體芯片及器件的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為主營業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是： 碳化硅圓片的價格還較高,其缺陷也多。 三、碳化硅肖特基二極管的特點 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低，約
2019-01-11 13:42:03
2020年初與羅門子公司SiCrystal就SiC晶圓供應(yīng)達成了協(xié)議，僅舉出一些戰(zhàn)略舉措。這一戰(zhàn)略對意法半導體來說非常有效，因此意法半導體成為快速增長的SiC市場的關(guān)鍵參與者。為了不只流口水，現(xiàn)在讓我們
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲?b class="flag-6" style="color: red">為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜偷姆蔷€性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
成熟，資源豐富，碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢了，但是行業(yè)規(guī)模很小，政策資金方面的風險能力很大，行業(yè)秩序也需要進一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛，越來越多的新行業(yè)也正在開發(fā)，線切割為代表的新行業(yè)正
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計：電感值為6.7 nH，有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng)，提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
多半仍以機械結(jié)構(gòu)為主，造價高昂，且產(chǎn)品相當笨重，更需要經(jīng)常維修。為了改良這些缺點，以電力電子為基礎(chǔ)的新一代大功率電力設(shè)備應(yīng)運而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設(shè)備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關(guān)管?！ ‘擳2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
場效應(yīng)管（Si MOSFET）以前從未考慮過的應(yīng)用而變得更具有吸引力?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET越來越多用于千瓦級功率水平應(yīng)用，涵蓋如通電源，和服務(wù)器電源，和快速增長的電動汽車電池充電器市場等領(lǐng)域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
一體的高科技企業(yè)，產(chǎn)品研發(fā)骨干來自北京清華大學和韓國延世大學，掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)。再加上薩科微總經(jīng)理宋仕強先生深耕華強北多年，深度了解華強北的商業(yè)模式，薩科微slkor的多年積累，為現(xiàn)階段快速
2023-02-21 09:24:40
系列電源模塊，支持多種柵極輸出電壓，可靈活應(yīng)用于碳化硅MOSFET驅(qū)動。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 設(shè)計緊湊， 通用性強。原作者：基本半導體
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
羅姆碳化硅產(chǎn)品介
2018-02-24 17:06:29
14 碳化硅市場，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時候也相繼宣布將擴大碳化硅產(chǎn)能，碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00140328 意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481766 問題使得其應(yīng)用變得撲朔迷離。碳化硅器件到底好在哪？目前主要應(yīng)用領(lǐng)域？成本與硅相比差多少？發(fā)展前景如何？最近，碳化硅主要供應(yīng)商羅姆半導體公司舉辦座談會，羅姆半導體(北京)有限公司技術(shù)中心所長水原德建先生就這些問
2022-12-27 18:08:191883 前言：臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅(qū)科技”）是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動力總成及其功率半導體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2019年底，臻驅(qū)科技與日本羅姆半導體公司成立了聯(lián)合實驗室，并簽
2020-12-24 14:04:071575 。 合資新公司以功率模塊為主營業(yè)務(wù)，包括研發(fā)、設(shè)計、制造和銷售。新公司的名字取正海集團和羅姆的融合之意——上海海姆希科半導體有限公司（以下簡稱：海姆?？疲?。根據(jù)海姆?？瓶偨?jīng)理高崎 哲介紹稱，合資公司的出資比例為正海集團出資80%，羅姆出資
2021-10-27 09:32:172842 桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強硬創(chuàng)平臺達成協(xié)議，授權(quán)世強代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產(chǎn)品代理。
2022-02-24 16:14:142054 得多，而且隨著對 SiC 器件的需求不斷增加，制造它們的公司必須確定 SiC 晶圓的來源。 例如，羅姆和意法半導體最近簽署了一項多年協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，SiCrystal（羅姆集團的一部分）將向意法半導體提供價值超過 1.2 億美元的 150 毫米 SiC 晶圓。SiCrystal 將為意
2022-07-28 17:05:012979 
為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力，堪比功率半導體里的“學霸”。
2022-08-01 14:58:551638 正海集團與羅姆已同意組建合資公司，創(chuàng)建新的功率模塊公司。新公司名為“HAIMOSIC”，將于2021年12月在中國成立，正海集團旗下的上海正海半導體科技有限公司（正海半導體）持股80%，羅姆持股20
2022-08-03 15:50:241335 
雙方將圍繞車載碳化硅功率器件的開發(fā)助力新能源汽車技術(shù)革新 日前，深圳基本半導體有限公司（以下簡稱“基本半導體”）與全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）在位于日本京都
2022-11-16 12:15:021150 通過此次的共創(chuàng)項目，羅姆將能夠從整車層面深入了解功率半導體要具備的性能和更好的驅(qū)動方法，這將有助于今后開發(fā)出更具競爭力的碳化硅MOSFET和模塊。
2022-11-24 14:57:001153 ? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆（ROHM）12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費約20年推進了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24993 搭載的逆變器和碳化硅功率模塊簽署了聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。 馬自達汽車株式會社 董事 專務(wù)執(zhí)行官 ?研發(fā)與成本改革及創(chuàng)新部門統(tǒng)括 ?廣瀨 一郎（圖左）、ROHM Co., Ltd. 董事 專務(wù)執(zhí)行官 ?COO? 東 克己（圖右） e-Axle是電機、減速器和逆變器一體化的“EV的心臟”，是影響
2022-12-07 16:15:06824 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165682 
縱觀整個SiC芯片市場，主要的碳化硅芯片制造商包括英飛凌、安森美、羅姆、意法半導體（STM）和Wolfspeed，無疑，這些SiC芯片供應(yīng)商正成為車企爭相綁定的“寵兒”。
2023-02-13 12:22:171982 ，我國初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈。 但記者在采訪中了解到，國內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征，未來五年將是整合期，車規(guī)級碳化硅功率器件與國外公司還有較大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:452 什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473720 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導體技術(shù)制造而成，可以實現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān)，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:224048 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:201105 %的份額。到2027財年，將碳化硅功率半導體業(yè)務(wù)的銷售額提升到2700億日元（約人民幣139億）。 為此，羅姆在收購端開始發(fā)力，羅姆已與Solar Frontier達成協(xié)議，收購Solar
2023-07-19 19:37:011445 ? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點，因此在新能源
2023-09-05 09:04:423465 智新半導體有限公司是東風公司與中國中車2019年在武漢成立的，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)項目。
2023-11-03 16:48:16946 
11月上旬，羅姆株式會社社長松本功在財報電話會議上宣布，他們將在日本宮崎縣的國富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓，預計將于2024年開始。
2023-11-25 16:07:341866 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
和增產(chǎn)方面的一項合作計劃已得到日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的認可，后者將其視為一項有助于實現(xiàn)日本政府安全、穩(wěn)定半導體供應(yīng)目標的舉措而予以大力支持。羅姆和東芝將分別對碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件進行增效投資，有效提升其供應(yīng)能
2023-12-21 08:15:031012 
與存儲株式會社（"東芝電子設(shè)備與存儲"）合作生產(chǎn)和增加功率器件產(chǎn)量的計劃得到了經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的認可，并將作為支持日本政府實現(xiàn)安全穩(wěn)定的半導體供應(yīng)目標的一項措施得到支持。ROHM 公司和東芝電子器件和存儲公司將分別在碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件方面加大投資力度，有效
2023-12-26 15:45:381402 
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 中宜創(chuàng)芯，即河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司，成立于2023年，注冊資本金為3億。它由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資控股集團聯(lián)合出資組建，主營高品質(zhì)碳化硅材料的制造與運營。
2024-01-09 15:06:131884 材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質(zhì)原子難以在其中擴散。因此，在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:141646 
英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達成了一項重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:351190 羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，
2024-04-23 10:17:57957 代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴大合作。根據(jù)新簽署的長期供貨協(xié)議
2024-04-26 11:30:001058 
羅姆集團與全球知名的半導體巨頭意法半導體（簡稱ST）近日共同宣布，雙方將深化合作關(guān)系，進一步擴展在碳化硅（SiC）襯底晶圓領(lǐng)域的合作。此次合作基于雙方現(xiàn)有的針對150mm（6英寸）碳化硅襯底晶圓的多年長期供貨協(xié)議，意法半導體將獲得羅姆集團旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅襯底晶圓供應(yīng)。
2024-05-07 10:16:491123 在全球汽車電動化的浪潮下，汽車半導體領(lǐng)域的功率電子器件作為汽車電動化的核心部件，成為了車企和電機控制器Tire1企業(yè)關(guān)注的熱點。車用功率模塊已從硅基IGBT為主的時代，開始逐步進入以碳化硅
2024-08-01 16:09:254263 
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點、應(yīng)用領(lǐng)域及其發(fā)展前景。
2024-09-11 10:44:301739 
全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，使得碳化硅功率器件在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
2024-09-13 10:56:421990 
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用及其未來的發(fā)展前景。
2024-09-13 11:00:371836 
????????意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
2024-12-05 10:41:211095 器件設(shè)計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設(shè)計公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競賽：頭部企業(yè)構(gòu)建護城河 技術(shù)門檻高企 ：碳化硅
2025-02-24 14:04:38933 
近日，三安光電與意法半導體在重慶合資設(shè)立的安意法半導體碳化硅晶圓工廠正式通線，預計2025年四季度批量生產(chǎn)，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng)，結(jié)合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發(fā)展歷程，不難看出國產(chǎn)碳化硅功率半導體必須走自立自強與突圍之路：從合資依賴到自主創(chuàng)新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141016 近日，博世汽車電子中國區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步，也進一步提升了本土市場的響應(yīng)速度，增強了博世智能出行集團的競爭力。
2025-03-06 18:09:291113 9 月 28 日消息，兩家重要功率半導體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議，雙方
2025-09-29 18:24:361709 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）安森美在12月10日宣布，已經(jīng)與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon
2024-12-15 07:30:004194 
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