：RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對(duì) WBG 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料，因其開關(guān)更快且損耗更低，相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域更具優(yōu)勢(shì)。對(duì)于需要關(guān)鍵考量高效率和高功率密度的應(yīng)用來說，這類材料的市場(chǎng)占有率正在不斷增加。
2024-09-27 15:05:25
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MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:572587 
意法半導(dǎo)體新IH系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對(duì)軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場(chǎng)截止（TFS） IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員可以選用這些IGBT，來達(dá)到更高的能效等級(jí)。
2019-03-27 16:05:333437 意法半導(dǎo)體ALED1262ZT 12通道LED驅(qū)動(dòng)器可用于驅(qū)動(dòng)當(dāng)下流行的汽車后組合燈和室內(nèi)照明燈，支持炫酷創(chuàng)新的視覺效果設(shè)計(jì)。
2019-10-09 14:17:572475 意法半導(dǎo)體64通道高壓模擬開關(guān)芯片的集成度達(dá)到前所未有的水平，適用于先進(jìn)的超聲系統(tǒng)、超聲探頭、壓電驅(qū)動(dòng)器、自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和工業(yè)制造過程控制系統(tǒng)。
2019-10-16 16:51:132390 意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流大，高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型 FET 高頻開關(guān)。
2021-09-09 14:47:573139 
? 2023 年 2 月 15 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體發(fā)布了單通道、雙通道和四通道車規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器，采用標(biāo)準(zhǔn)的PowerSSO-16 封裝，引腳分配圖可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)升級(jí)，增加更多驅(qū)動(dòng)通道
2023-02-16 11:12:131344 
穩(wěn)健、高成本效益的高壓發(fā)射脈沖發(fā)生器解決方案。STHV1600為高端超聲成像臺(tái)車系統(tǒng)和超便攜式超聲診斷設(shè)備廠商提供了一個(gè)有價(jià)值的脈沖發(fā)生器解決方案，同時(shí)加強(qiáng)了意法半導(dǎo)體現(xiàn)有的醫(yī)療和工業(yè)超聲設(shè)備用4通道
2018-08-13 14:18:07
中國(guó)，2018年8月27日——意法半導(dǎo)體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導(dǎo)通電阻RDS（ON）的功率開關(guān)管，有助于簡(jiǎn)化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
的新STM32探索套件簡(jiǎn)化移動(dòng)網(wǎng)至云端連接，并提供免費(fèi)試用的第三方服務(wù)意法半導(dǎo)體Bluetooth? Mesh網(wǎng)狀網(wǎng)軟件開發(fā)工具套件加快智能互聯(lián)照明及自動(dòng)化產(chǎn)品的問世意法半導(dǎo)體 sub-1GHz射頻收發(fā)器單片巴倫 讓天線匹配/濾波電路近乎消失
2018-03-12 17:17:45
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國(guó)，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化電池供電機(jī)器人和電器設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)意法半導(dǎo)體（ST）的STM32電機(jī)控制Nucleo開發(fā)套件只需數(shù)秒鐘即可直接開啟運(yùn)轉(zhuǎn)無刷直流電機(jī)
2018-03-22 14:30:41
半導(dǎo)體最初計(jì)劃在云中為每個(gè)STM10器件提供32塊電路板，后續(xù)還會(huì)有更多電路板（來源：意法半導(dǎo)體）優(yōu)化代碼STM32Cube工具箱中的工具.AI包括圖形優(yōu)化器，它可以轉(zhuǎn)換微控制器的TensorFlow
2023-02-14 11:55:49
2 月 15日，意法半導(dǎo)體發(fā)布了單通道、雙通道和四通道車規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器，采用標(biāo)準(zhǔn)的PowerSSO-16 封裝，引腳分配圖可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)升級(jí)，增加更多驅(qū)動(dòng)通道。新柵極驅(qū)動(dòng)器適用于所有的汽車系統(tǒng)設(shè)備
2023-02-16 09:52:39
新聞創(chuàng)新的自適應(yīng)脈寬調(diào)制器為固定通/斷時(shí)間可控的穩(wěn)壓器提供恒定開關(guān)頻率意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)電機(jī)控制芯片讓自動(dòng)化系統(tǒng)尺寸更小，運(yùn)行更順暢、更安靜意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-04 10:37:44
，而提供恒流的驅(qū)動(dòng)電路是由一個(gè)控制器芯片和若干個(gè)元器所組成。意法半導(dǎo)體新款控制器STLED25單片集成能夠驅(qū)動(dòng)多達(dá)10支LED的控制電路，因此STLED25不僅能夠簡(jiǎn)化手機(jī)設(shè)計(jì)，還可為其它功能釋放更多
2011-11-24 14:57:16
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導(dǎo)體新型6kV電流隔離技術(shù)，以及SO-36W寬體封裝。瞬態(tài)抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
有沒有在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源設(shè)計(jì)中被隔離驅(qū)動(dòng)問題而困擾許久的，直到看到了SiLM5350SABCA-DG這款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器能同時(shí)駕馭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。
一、特性：
驅(qū)動(dòng)
2025-11-15 10:00:15
開發(fā)者在電腦上直接使用STM32和STM8設(shè)計(jì)資源意法半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝意法半導(dǎo)體推出封裝小、性能強(qiáng)的低壓差穩(wěn)壓器創(chuàng)新產(chǎn)品`
2018-05-28 10:35:07
深度解析一款在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能隔離驅(qū)動(dòng)芯片：SiLM8263BAHB-DG 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器專為應(yīng)對(duì)高功率密度、高可靠性應(yīng)用的嚴(yán)苛要求而設(shè)計(jì)。核心亮點(diǎn)與關(guān)鍵特性：
強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)
2025-08-16 09:18:54
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
程中導(dǎo)致開關(guān)電流升高?！ ”M管超結(jié)MOSFET開關(guān)管優(yōu)化過的體硅二極管大幅降低了能耗，但IGBT還是能夠利用共同封裝的超快速二極管降低導(dǎo)通能耗?！ ≡诘凸β蕢嚎s機(jī)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET
2018-11-20 10:52:44
，柵極電阻用于限制功率半導(dǎo)體的開關(guān)速度，換向時(shí)的dv/dt與負(fù)載電流密切相關(guān)。另一方面，使用電流源驅(qū)動(dòng)器可以在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)恒定的dv/dt。ROHM 的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 BM60059FV-C
2023-02-21 16:36:47
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
聊聊這款器件的技術(shù)突破點(diǎn)及其對(duì)高可靠性系統(tǒng)的意義。
一、核心定位：為高頻、高密、高可靠場(chǎng)景而生的驅(qū)動(dòng)方案SiLM8246GAHB-DG 是一款 高側(cè)/低側(cè)兼容 的隔離雙通道門極驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)
2025-07-04 08:45:16
? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導(dǎo)體溝槽技術(shù)：長(zhǎng)期方法? 意法半導(dǎo)體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”
2022-10-25 17:20:12
個(gè)優(yōu)勢(shì)。 設(shè)備屬性及其柵極驅(qū)動(dòng) 現(xiàn)在我們已經(jīng)詳細(xì)闡述了SiC材料的特性，并了解到它在高能量應(yīng)用中的參數(shù)優(yōu)于Si，現(xiàn)在是時(shí)候仔細(xì)研究器件和應(yīng)用了。如上所述，意法半導(dǎo)體是SiC市場(chǎng)的佼佼者之一，讓我們
2023-02-24 15:03:59
意法半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
雙通道開關(guān)電路圖
2009-04-13 09:04:482446 
雙通道音頻開關(guān)電路圖
2009-07-03 14:30:051112 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁?b class="flag-6" style="color: red">SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。
2018-08-04 09:20:001168 STGAP2DM柵極驅(qū)動(dòng)器是意法半導(dǎo)體的 STGAP2系列電隔離驅(qū)動(dòng)器的第二款產(chǎn)品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個(gè)電隔離輸出通道，可以驅(qū)動(dòng)單極或雙極型晶體管的柵極。
2018-11-16 15:46:315011 意法半導(dǎo)體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)水平，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級(jí)產(chǎn)品一流水平。
2019-07-18 09:03:001529 意法半導(dǎo)體64通道高壓模擬開關(guān)芯片的集成度達(dá)到前所未有的水平，適用于先進(jìn)的超聲系統(tǒng)、超聲探頭、壓電驅(qū)動(dòng)器、自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和工業(yè)制造過程控制系統(tǒng)。
2019-10-17 14:55:544793 
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005318 
2021年3月22日，STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅（SiC） MOSFET，工作電源電壓高達(dá)1200V。 STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生
2021-03-22 18:11:334416 ADUM3221：隔離的4 A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器
2021-03-21 06:22:18
2 意法半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡(jiǎn)化高達(dá)200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高
2021-10-22 10:06:393307 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:142770 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012624 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:003179 
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393149 這是使用意法半導(dǎo)體高性能雙通道運(yùn)算放大器IC TSH22的雙通道音頻線路驅(qū)動(dòng)器的電路圖。該 IC 的 25 MHz 帶寬、低失真和高輸出電流使其能夠以高調(diào)制水平驅(qū)動(dòng)中等阻抗負(fù)載。
2023-04-02 11:07:462527 
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:451365 2023年7月18日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體 STHV200超聲波 IC單片集成線性驅(qū)動(dòng)器、脈沖驅(qū)動(dòng)器與鉗位電路、開關(guān)和診斷電路，簡(jiǎn)化醫(yī)用和工業(yè)用掃描儀設(shè)計(jì)，縮減尺寸，降低物料成本。
2023-07-18 18:22:431676 意法半導(dǎo)體STHV200超聲波IC單片集成線性驅(qū)動(dòng)器、脈沖驅(qū)動(dòng)器與鉗位電路、開關(guān)和診斷電路，可以簡(jiǎn)化醫(yī)用和工業(yè)用掃描儀設(shè)計(jì)，縮減尺寸，降低物料成本。
2023-07-21 09:32:321566 ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
2023 年 9 月 6 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動(dòng) 為了補(bǔ)
2023-11-02 19:10:011454 
報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:161631 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:361813 
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:431511 榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:522206 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。它通過將控制器輸出
2024-07-19 17:15:2724573 英飛凌近期推出的EiceDRIVER? 2ED314xMC12L系列，是一款專為驅(qū)動(dòng)Si MOSFET、IGBT及SiC MOSFET而設(shè)計(jì)的雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該系列以緊湊的14引腳DSO封裝形式呈現(xiàn)，不僅節(jié)省空間，還確保了設(shè)計(jì)的靈活性。
2024-09-03 14:55:581475 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-11 14:21:390 MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件，能夠有效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 開關(guān) 。提供FAE支持，歡迎咨詢了解。單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-12-20 17:44:511385 
參考設(shè)計(jì)，旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實(shí)現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是意法半導(dǎo)體的創(chuàng)新之作，它將GaN功率晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器完美整合于一個(gè)封裝內(nèi)。這一設(shè)計(jì)不僅顯著提升了電源的性能和可靠性，還通過高度集成的方式，極大地加快了設(shè)計(jì)速度，并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統(tǒng)
2024-12-25 14:19:481143 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331279 川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布，該系列產(chǎn)品為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2025-01-10 18:08:421604 
????????意法半導(dǎo)體STSPIN32系列集成化電機(jī)驅(qū)動(dòng)器新增八款產(chǎn)品，滿足電動(dòng)工具、家用電器、工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的低成本、高性能要求。
2025-01-23 10:13:21990 開關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器作為控制和驅(qū)動(dòng)IGBT的核心器件，其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端：信號(hào)接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動(dòng)
2025-04-27 15:45:02693 
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器的過流
2025-05-16 17:32:51728 
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準(zhǔn)，這有利于雙極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。
2025-05-17 11:36:49900 
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:581135 開關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器作為控制和驅(qū)動(dòng)IGBT的核心器件，其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端：信號(hào)接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動(dòng)
2025-08-12 14:42:491877 Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于工作電壓高達(dá)2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達(dá) ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774 
Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動(dòng)器的典型峰值驅(qū)動(dòng)
2025-09-18 14:47:59757 
UCC27624V是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V具有 5A 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，可減少電源開關(guān)的上升和下降時(shí)間，降低
2025-09-26 15:27:34694 
該UCC21330是一個(gè)隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-10-11 16:20:142360 
意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵（GaN）柵極驅(qū)動(dòng)器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專門設(shè)計(jì)，電源軌額定最大電壓
2025-10-29 10:47:06540 了解專為N溝道增強(qiáng)模式GaN晶體管打造的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的最新技術(shù)成果。此類器件具有無與倫比的效率和可靠性，堪稱SMPS、電池充電器、適配器、泵、壓縮機(jī)等各種消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。意法半導(dǎo)體
2025-12-03 10:03:18568 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)時(shí)。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NCP51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，這款產(chǎn)品憑借其卓越的性能和豐富的特性，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-12-03 11:21:50312 
在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的應(yīng)用極為廣泛，而其柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討安森美（onsemi）的NCx575y0系列隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，包括NCD57530、NCV57530、NCD57540和NCV57540這幾款產(chǎn)品。
2025-12-05 11:18:251488 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的 NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)，以及在實(shí)際應(yīng)用中需要注意的要點(diǎn)。
2025-12-05 15:33:08336 
在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NCV51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，它具備諸多出色特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-05 15:41:49354 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（NCP51563 EVB），了解其特性、操作方法以及性能表現(xiàn)。
2025-12-08 14:20:24347 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCP51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器憑借其出色的性能和豐富的功能，在眾多
2025-12-09 10:17:20363 
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658 IC.pdf 1. 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC，專為驅(qū)動(dòng)Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關(guān)而設(shè)計(jì)。所有產(chǎn)品都采用
2025-12-20 20:35:051020 探索GD3162：先進(jìn)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)xEV牽引逆變器時(shí)，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下NXP的GD3162——一款先進(jìn)的單通道
2025-12-24 14:25:02223
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