的POL應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括高達(dá)17 V的DC/DC轉(zhuǎn)換器，允許設(shè)計(jì)人員添加新功能，保持高效率，滿足輻射EMI要求，并適應(yīng)更小的外形尺寸，同時(shí)保持設(shè)計(jì)過(guò)程簡(jiǎn)單和系統(tǒng)成本低。從本質(zhì)上講，Nano模塊可以最大限度地提高功率密度和散熱性能，同時(shí)保持簡(jiǎn)單性
2019-02-27 09:17:00
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XP Power正式宣布推出兩款超寬輸入范圍、高性價(jià)比、高功率密度的DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于鐵路牽引和鐵路車輛。
2019-02-22 08:34:255300 面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級(jí)實(shí)現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。
2020-12-22 09:16:201841 4MHz、雙路、開(kāi)關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器（Maxim）MAXIM INTEGRATED PRODUCTS推出高度靈活的4路輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX15022
2008-10-01 12:24:15
PAM2310 2A低噪聲降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的典型應(yīng)用。 PAM2310是一款2A降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。在高負(fù)載時(shí)，恒定頻率PWM控制可實(shí)現(xiàn)出色的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)。無(wú)需外部補(bǔ)償組件
2019-03-07 09:51:34
DC-DC 轉(zhuǎn)換器 控制環(huán)路如何使用模擬或數(shù)字技術(shù)實(shí)現(xiàn)？如何使用典型的波特圖來(lái)顯示隨頻率變化的相移和環(huán)路增益？
2021-03-11 07:34:21
范圍，開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器在這三種頻率范圍內(nèi)激勵(lì)和傳播 EMI [5]。在功率 MOSFET 開(kāi)關(guān)期間，當(dāng)換向電流的轉(zhuǎn)換率超過(guò) 5A/ns 時(shí)，2nH 寄生電感會(huì)導(dǎo)致 10V 的電壓過(guò)沖。此外，功率回路中
2019-11-03 08:00:00
等級(jí)工作，而使用 1 W 至 2 W 范圍的小型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器難以實(shí)現(xiàn)這種額定能效，因?yàn)槊總€(gè)轉(zhuǎn)換器具有固定的靜態(tài)功耗，而小型轉(zhuǎn)換器的此類功耗比率比大型轉(zhuǎn)換器相對(duì)更高。因此根據(jù)實(shí)際的功率和拓?fù)?，?jīng)
2018-12-03 09:53:40
高頻率、高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
2021-04-06 08:57:04
的是鋁電解，可以在原來(lái)的基礎(chǔ)上加一顆10uF的磁片電容或鉭電容。 (2)在輸出端再加一顆電容和一顆電容對(duì)原來(lái)的電源做一個(gè)LC濾波，會(huì)得到一個(gè)紋波更小的電源。 總之，DC-DC轉(zhuǎn)換器為整個(gè)系統(tǒng)中的各個(gè)電路供電
2018-09-29 15:30:43
一、正確理解DC/DC轉(zhuǎn)換器
DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換 器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器
2023-12-19 07:09:16
設(shè)計(jì)。為推出占位面積更小的解決方案，電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在正集中研究功率密度（一個(gè)功率轉(zhuǎn)換器電路每單位面積或體積的輸出功率）的問(wèn)題。 高密度直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器印刷電路板（PCB）布局最引人矚目
2022-11-18 06:23:45
。此時(shí)，采用謹(jǐn)慎仔細(xì)的布局技術(shù)以降低接地環(huán)路和接地反彈將會(huì)是有好處的。有許多資源可幫助測(cè)量開(kāi)關(guān)電源噪聲。邊帶雜散出現(xiàn)基波的一側(cè)，偏移頻率為開(kāi)關(guān)頻率（本例中為 1.2 MHz）。DC-DC 轉(zhuǎn)換器輸出端
2018-05-28 10:31:11
資源可幫助測(cè)量開(kāi)關(guān)電源噪聲。邊帶雜散出現(xiàn)基波的一側(cè)，偏移頻率為開(kāi)關(guān)頻率（本例中為 1.2 MHz）。DC-DC 轉(zhuǎn)換器輸出端的濾波器有助于降低輸出FFT中表現(xiàn)出來(lái)的開(kāi)關(guān)雜散，如圖 4 所示，其中輸入頻率
2018-10-29 16:53:14
的功率密度。整板重量不足 230g。在穩(wěn)定的 950kHz 開(kāi)關(guān)頻率下，可達(dá)到 97.6% 的峰值效率。 主要特色390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2018-10-26 10:32:18
存儲(chǔ)。在兩級(jí)使用GaN和超過(guò)100 kHz的開(kāi)關(guān)頻率極大地提高了當(dāng)前設(shè)計(jì)的效率。除了dc-dc轉(zhuǎn)換器，POL轉(zhuǎn)換器和逆變器之外，其他GaN應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類大功率音頻放大器。突破性產(chǎn)品使用eGaN
2017-05-03 10:41:53
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
成其他的直流電壓(1.5V或5.0V)，我們稱這個(gè)轉(zhuǎn)換器為DC/DC轉(zhuǎn)換器，或稱之為開(kāi)關(guān)電源或開(kāi)關(guān)調(diào)整器。DCDC的意思是直流變（到）直流（不同直流電源值的轉(zhuǎn)換），只要符合這個(gè)定義都可以叫dc/dc
2018-07-28 14:21:01
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
的替代方案，降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器可完美替代MP2459，二者典型參數(shù)對(duì)比如下圖1所示。 鄭生 ***1、一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。SL3037B在5.5-60V 寬輸入
2022-05-17 09:17:27
ADP1607-EVALZ，用于ADP1607，2 MHz，同步升壓，DC-DC轉(zhuǎn)換器的評(píng)估板。 ADP1607是一款高效，同步，固定頻率，升壓型DC-DC開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器，具有1.8 V至3.3 V的可調(diào)輸出電壓，適用于便攜式應(yīng)用
2019-09-25 06:11:25
ROHM開(kāi)發(fā)出以2MHz開(kāi)關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高降壓比的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9V100MUF-C”，并已于2017年6月開(kāi)始出售樣品，于2017年12月投入量產(chǎn)。從2016年的CEATEC起
2019-04-04 06:20:41
CINCON電源DC-DC轉(zhuǎn)換器替換VICOR
VICOR的DC-DC電源模塊轉(zhuǎn)換器，以其高功率密度和低噪音特性著稱，采用堅(jiān)固耐用的封裝設(shè)計(jì)，展現(xiàn)了卓越的功率處理能力。這款轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)緊湊、效率出眾
2025-02-24 09:25:00
Flex電源模塊（Flex Power Modules）宣布推出其DC-DC轉(zhuǎn)換器系列中的最新型號(hào)PKB4216HDPI，旨在用于電信市場(chǎng)領(lǐng)域的射頻功率放大器（RFPA）應(yīng)用。繼最近推出的750W
2020-10-30 06:17:55
。邊帶雜散出現(xiàn)基波的一側(cè)，偏移頻率為開(kāi)關(guān)頻率（本例中為 1.2 MHz）。DC-DC 轉(zhuǎn)換器輸出端的濾波器有助于降低輸出FFT中表現(xiàn)出來(lái)的開(kāi)關(guān)雜散，如圖 4 所示，其中輸入頻率為 170 MHz。圖4
2018-10-30 11:52:25
克服了上述問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開(kāi)關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
，開(kāi)關(guān)速度可達(dá)硅基的10倍。這一特性使得GaN模塊在高頻應(yīng)用中損耗更低，允許通過(guò)提升開(kāi)關(guān)頻率（如10MHz以上）縮小電感、變壓器等被動(dòng)元件尺寸，從而直接提升功率密度。磁集成與拓?fù)鋬?yōu)化：
Leadway
2025-10-22 09:09:58
）靈活的設(shè)計(jì)配置實(shí)現(xiàn)了最大限度地降低功耗?！ TC3774低至0.2mΩ的功率電感器DCR可用來(lái)在大電流應(yīng)用中最大限度地提高轉(zhuǎn)換器效率，増加功率密度并降低輸出紋波電壓。新穎的DCR檢測(cè)電流模式控制減輕了
2018-11-29 11:15:48
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
在隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）具有低傳導(dǎo)損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)功率及低電感等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)更高功率密度、在高頻時(shí)更大電流及高效以及在諧振設(shè)計(jì)的占空比更高，從而
2019-04-04 06:20:39
功率電感器的嘯叫現(xiàn)象是什么？為什么DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率電感器會(huì)發(fā)出“嘰”的嘯叫呢？如何去解決呢？
2021-07-12 06:33:09
。DC-DC轉(zhuǎn)換器IC應(yīng)放置在最靠近CPU的位置。注意，圖1和圖2顯示了傳統(tǒng)高電流電源（即開(kāi)關(guān)模式控制器和外部FET）的原理圖?？刂?b class="flag-6" style="color: red">器FET解決方案可以處理上述應(yīng)用所需的高電流負(fù)載。控制器解決方案
2021-12-01 09:38:22
穩(wěn)壓器，依據(jù)其轉(zhuǎn)換方式的不同而命名。
DC/DC轉(zhuǎn)換器工作原理
DC/DC轉(zhuǎn)換器的工作原理主要基于開(kāi)關(guān)電源技術(shù)，其核心在于利用高頻開(kāi)關(guān)（如MOSFET）和儲(chǔ)能元件（如電感和電容）來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定
2024-09-29 15:26:59
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
、更高的功率密度、以及更高的魯棒性和可靠性 。此項(xiàng)研究將展示在 500 kHz 到 1.5 MHz 下，SiC MOSFET 在 6.6 kW DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的性能。高頻率操作的主要優(yōu)點(diǎn)是變壓器
2023-02-27 14:02:43
ROHM開(kāi)發(fā)出以2MHz開(kāi)關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高降壓比的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9V100MUF-C”，并已于2017年6月開(kāi)始出售樣品，于2017年12月投入量產(chǎn)。從2016年的CEATEC起
2018-12-05 10:04:10
：靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗靜態(tài)功耗對(duì)應(yīng)于實(shí)現(xiàn)芯片功能所需的能量，通常情況下，I Q是靜態(tài)電流，V S是電源電壓。動(dòng)態(tài)功耗對(duì)應(yīng)于將所需功率傳輸?shù)截?fù)載所需的能量。在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，主要貢獻(xiàn)者是能量損失：在切換
2018-07-24 17:34:16
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開(kāi)關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開(kāi)關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開(kāi)關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開(kāi)關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高
2022-06-14 10:14:18
輸入和48 V輸出下測(cè)得的EPC9137轉(zhuǎn)換器效率?！ ≡跐M負(fù)載下，EPC eGaN FET 可在 250 kHz 開(kāi)關(guān)頻率下以 96% 的效率運(yùn)行，與硅基解決方案相比可實(shí)現(xiàn) 750 W/相，硅基
2023-02-21 15:57:35
的功率密度。整板重量不足 230g。在穩(wěn)定的 950kHz 開(kāi)關(guān)頻率下，可達(dá)到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
的。這款轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)損耗接近于零，因而該轉(zhuǎn)換器能在極高的開(kāi)關(guān)頻率下工作，頻率高達(dá)幾MHz，因而可實(shí)現(xiàn)超高的功率密度。此外，在二次側(cè)上實(shí)現(xiàn)完全零電流開(kāi)關(guān)（ZCS）并在一次側(cè)實(shí)現(xiàn)部分ZCS（誤差是由磁化
2021-11-20 08:00:00
的。這款轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)損耗接近于零，因而該轉(zhuǎn)換器能在極高的開(kāi)關(guān)頻率下工作，頻率高達(dá)幾MHz，因而可實(shí)現(xiàn)超高的功率密度。此外，在二次側(cè)上實(shí)現(xiàn)完全零電流開(kāi)關(guān)（ZCS）并在一次側(cè)實(shí)現(xiàn)部分ZCS（誤差是由磁化
2021-11-23 06:30:00
300kHz的開(kāi)關(guān)頻率條件下，可實(shí)現(xiàn)84％的最高效率，而在20 A條件下，實(shí)現(xiàn)的效率約為83.5％。降壓構(gòu)件（不包括控制器）的功率密度約為300 W/in3。對(duì)于600 kHz條件下操作的基于變壓器的方法，可
2018-08-29 15:10:47
損耗，實(shí)現(xiàn)了更高的開(kāi)關(guān)頻率，減少甚至去除了散熱器。圖2顯示了GaN和硅FET之間48V至POL的效率比較。 圖 2：不同負(fù)載電流下GaN與硅直流/直流轉(zhuǎn)換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開(kāi)關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開(kāi)關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升壓從動(dòng)器PFC通過(guò)調(diào)整來(lái)提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡(jiǎn)化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動(dòng)損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開(kāi)關(guān)損耗和循環(huán)能量，提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計(jì)可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來(lái)了進(jìn)一步發(fā)展的機(jī)遇提高電動(dòng)汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
，這些特性便顯得尤為重要。GaN可處理更高頻率和更高能效的電源，與硅組件相比，它可以在尺寸和能耗減半的條件下輸送同等的功率。由此便可以提高功率密度，幫助客戶在不增大設(shè)計(jì)空間的同時(shí)滿足更高的功率要求。更高
2019-03-01 09:52:45
大降低電壓應(yīng)力和電磁干擾(EMI)，提高系統(tǒng)的可靠性。采用FDMF8811的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器被充分優(yōu)化，以在最佳能效水平達(dá)到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，實(shí)在沒(méi)有理由再使用分立器件！請(qǐng)觀看FDMF8811概述視頻以了解更多關(guān)于該產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)。
2018-10-24 08:59:37
如何為DC/DC直流電源轉(zhuǎn)換器選擇最佳的開(kāi)關(guān)頻率呢？有哪幾種設(shè)計(jì)方案？
2021-11-01 07:58:03
功率電子轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)人員不斷努力以最高效率實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換器功率密度?？紤]到減少二氧化碳排放和負(fù)責(zé)任地使用電能和材料的共同目標(biāo)，這一點(diǎn)變得更加重要。為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的改進(jìn)，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器
2023-02-20 15:32:06
尺寸，應(yīng)用通常極其受到空間限制（參見(jiàn)圖2）。需要更高功率密度的解決方案，換句話講，需要可在更小空間中處理更多電流的FET。[url=http://www.deyisupport.com
2017-08-21 14:21:03
的-5V轉(zhuǎn)換器功能的成本。許多公司生產(chǎn)各種額定功率和占位面積的dc / dc轉(zhuǎn)換器IC和模塊。但是，對(duì)于僅需要負(fù)偏置電壓和低工作電流的簡(jiǎn)單單芯片應(yīng)用而言，這些典型的dc / dc轉(zhuǎn)換器可能會(huì)顯得過(guò)高。對(duì)于
2020-06-03 13:57:17
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
RMS(50%占空比)。圖2：同相和異相配置三相DC轉(zhuǎn)換器對(duì)比。如上文所述，使用相移技術(shù)可顯著減小輸入和輸出電容要求。RMS輸入電流由公式1規(guī)定：其中，n為相數(shù)，L為輸出電感，F(xiàn)s為開(kāi)關(guān)頻率，k(n
2018-12-03 11:26:43
94% 的效率提供超過(guò) 2A 的負(fù)載電流，同時(shí)以每相 1MHz 的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作 (輸出紋波頻率為 4MHz)。另外，用多相方法設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換器與設(shè)計(jì)傳統(tǒng)單相轉(zhuǎn)換器沒(méi)有不同。所有電源開(kāi)關(guān)都在內(nèi)部，因此 4
2019-05-13 14:11:41
轉(zhuǎn)換器IC應(yīng)放置在最靠近CPU的位置。注意，圖1和圖2顯示了傳統(tǒng)高電流電源（即開(kāi)關(guān)模式控制器和外部FET）的原理圖。控制器FET解決方案可以處理上述應(yīng)用所需的高電流負(fù)載?？刂?b class="flag-6" style="color: red">器解決方案的問(wèn)題是外部FET
2021-12-07 08:00:00
為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)（POL）電源？效率和精度是兩大優(yōu)勢(shì)，但實(shí)現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)的最佳方法之一。負(fù)載
2021-12-14 07:00:00
`DC/DC轉(zhuǎn)換器是利用MOSFET開(kāi)關(guān)閉合時(shí)在電感器中儲(chǔ)能，并產(chǎn)生電流。當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，貯存的電感器能量通過(guò)二極管輸出給負(fù)載。如下圖所示。所示三種變換器的工作原理都是先儲(chǔ)存能量，然后以受控方式釋放
2019-03-25 16:31:54
轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)。其中Vin是輸入電壓；S1是上開(kāi)關(guān)管，用功率MOSFET實(shí)現(xiàn)，控制電路決定其導(dǎo)通和關(guān)斷；S2是下開(kāi)關(guān)管，一般用MOSFET或肖特基二極管實(shí)現(xiàn)；L，C為濾波元件；R是負(fù)載電阻
2020-12-09 15:28:06
新應(yīng)用，產(chǎn)生了對(duì)超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉(zhuǎn)換器的需求。車載牽引電機(jī)驅(qū)動(dòng)器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達(dá)2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
。 圖1：四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器功率級(jí)布局和原理圖在筆者看來(lái)，這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)： 組件技術(shù)。組件技術(shù)的進(jìn)步是降低整體功耗的關(guān)鍵，尤其在較高的開(kāi)關(guān)頻率下對(duì)濾波器無(wú)源組件
2018-09-05 15:24:36
：25A同步降壓型轉(zhuǎn)換器PCB布局和實(shí)施方案本設(shè)計(jì)的主要原則是實(shí)現(xiàn)高功率密度和低材料清單（BOM）成本。它總共占用的PCB面積為2.2cm2（0.34in2），每單位面積產(chǎn)生的有效電流密度為11.3A
2018-09-05 15:24:34
積極推銷高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器，聲稱可以減少電路板空間占用。工作在1MHz或者2MHz下的DC/DC轉(zhuǎn)換器似乎是一個(gè)好主意，但開(kāi)關(guān)頻率對(duì)電源系統(tǒng)產(chǎn)生的影響遠(yuǎn)不止體積和效率兩方面。本文介紹了幾個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例
2011-10-14 12:49:33
輸出，可與TPS54160一起使用的最高頻率為750 kHz。在選擇更高的開(kāi)關(guān)頻率之前，TI設(shè)計(jì)人員建議檢查DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的數(shù)據(jù)表，以確保最小可控導(dǎo)通時(shí)間。由于效率和功耗是DC/DC轉(zhuǎn)換器
2019-07-16 23:54:06
TI推出 60 V、2.2MHz DC/DC轉(zhuǎn)換器--TPS54362-Q1
TI 宣布推出符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器，該裝置采小型單芯片封
2009-05-20 15:49:21877 Murata推出2W尺寸3W輸出的單輸出隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器
Murata Power Solutions推出了一系列的隔離單輸出DC/DC轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的功率密度、效率和監(jiān)管。ME
2009-09-22 10:25:561325 Linear推出電流模式、固定頻率升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器LT3581
凌力爾特公司 (Linear) 推出電流模式、固定頻率升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3581，該器件具集成的故障保護(hù)功能，用于在輸出短
2010-04-12 10:17:401371 
Picorpower推出60-W dc/dc轉(zhuǎn)換器PI3101,創(chuàng)新了尺寸和功率密度基準(zhǔn)，PI3101冷卻電源高密度隔離dc/dc轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)有一半尺寸的解決方案內(nèi)提供60W輸出功率，功率密度為105W/in.2，創(chuàng)建新的功率
2010-06-11 11:20:261208 設(shè)計(jì)指南-空間限定的集成FET的DC - DC轉(zhuǎn)換器
2018-06-24 03:03:004290 白板向?qū)?空間限定的集成FET的DC - DC轉(zhuǎn)換器視頻教程
2018-06-26 08:35:005493 關(guān)鍵詞：PowerSoC , Enpirion , FPGA電源 按照系統(tǒng)要求，將芯片經(jīng)過(guò)全面測(cè)試和特征化從而實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)保證，該最新的PowerSoC 實(shí)現(xiàn)56W/cm2高功率密度，解決方案相比業(yè)界
2018-08-08 12:39:01704 例如，在本文中，我們將研究一個(gè)廣泛的輸入， 20采用EPC的eGaN FET（如EPC2001和EPC2021）在寬負(fù)載變化范圍內(nèi)設(shè)計(jì)的非隔離降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。此設(shè)計(jì)中使用的降壓控制器是凌力爾特
2019-03-20 09:26:002896 
：TXN）今日推出業(yè)界首款可堆疊多至四個(gè)集成電路（IC）的新型40-A SWIFT DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器。TPS546D24A PMBus降壓轉(zhuǎn)換器可在85°C的環(huán)境溫度下提供高達(dá)160A的輸出電流
2020-03-12 09:29:023397 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率級(jí)集成電路，專為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)，用于具有高功率密度的運(yùn)算應(yīng)用及針對(duì)電動(dòng)車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
2020-03-20 16:57:445320 Murata Power Solutions推出的一系列的隔離單輸出DC/DC轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的功率密度、效率和監(jiān)管。MEV3系列能以先前額定2W封裝提供3W的可用輸出功率為設(shè)計(jì)者節(jié)省潛在的電路板空間高達(dá)68%。
2020-11-26 12:48:001034 峰值功率，并具有高達(dá)1540W的額定連續(xù)輸出功率，因此成為了當(dāng)今市場(chǎng)上最高功率密度的數(shù)字DC/DC隔離轉(zhuǎn)換器。
2020-12-10 11:32:011989 ADP1607：2 MHz、同步升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器
2021-03-19 10:26:18
12 ADP1610：1.2 MHz DC-DC升壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表
2021-04-26 08:48:5015 LT1935：帶2A開(kāi)關(guān)的ThinSOT中的1.2 MHz Boost DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品手冊(cè)
2021-05-22 19:55:126 LTC3539：2A，1 MHz/2 MHz同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表
2021-05-24 10:15:399 ）的問(wèn)題。
?
高密度直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器印刷電路板（PCB）布局最引人矚目的范例涉及功率級(jí)組件的放置和布線。精心的布局可同時(shí)提高開(kāi)關(guān)性能、降低組件溫度并減少電磁干擾（EMI）信號(hào)。請(qǐng)
2021-11-24 14:20:442077 所有隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器都有產(chǎn)生電噪聲的開(kāi)關(guān)器件。當(dāng)功率開(kāi)關(guān)器件帶感性負(fù)載（如變壓器）時(shí)，就一定避免不了與功率開(kāi)關(guān)器件的寄生電感或電容發(fā)生諧振。在幾百赫茲的中等開(kāi)關(guān)頻率下工作的DC/DC轉(zhuǎn)換器可產(chǎn)生高達(dá)20MHz的噪聲。
2022-03-30 17:06:436601 
在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開(kāi)關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高功率密度，軟開(kāi)關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
除了顯著提高各種拓?fù)浜?b class="flag-6" style="color: red">功率級(jí)別的商用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率外，基于 GaN 的 FET 還表現(xiàn)出對(duì)伽馬輻射和單事件效應(yīng) (SEE) 的非凡彈性。所有這些特性使 GaN FET 非常適合用于衛(wèi)星和運(yùn)載火箭的電源。
2022-07-25 09:22:413553 
當(dāng)今充電器和適配器應(yīng)用中最流行的電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫菧?zhǔn)諧振 （QR） 反激拓?fù)?，這要?dú)w功于其簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)和控制、低物料清單成本以及由于谷底開(kāi)關(guān)操作而產(chǎn)生的高效率。然而，開(kāi)關(guān)的頻率相關(guān)開(kāi)關(guān)損耗和變壓器的泄漏能量損耗限制了 QR 反激轉(zhuǎn)換器的最大開(kāi)關(guān)頻率，從而限制了功率密度。
2022-07-29 08:06:562873 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 所有電子系統(tǒng)（包括開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器）都會(huì)發(fā)出不需要的電磁輻射（稱為EMI）。采用擴(kuò)頻脈寬調(diào)制（SSPWM）作為控制方案可增強(qiáng)EMI的抑制。用偽隨機(jī)噪聲（PN）驅(qū)動(dòng)MAX1703 DC-DC轉(zhuǎn)換器的外部時(shí)鐘
2023-03-10 10:38:311447 
與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。
2023-07-24 14:15:30908 
DC-DC轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)各種電壓電平的高效電源轉(zhuǎn)換和供電，但是隨著需求的不斷上升，需要更高功率密度更高效率以及更小的尺寸，DC-DC轉(zhuǎn)換的PCB設(shè)計(jì)就更為重要了。下面說(shuō)一說(shuō)DC-DC轉(zhuǎn)換器 PCB設(shè)計(jì)的一些要點(diǎn)。
2023-10-23 11:24:151677 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
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