富士通半導(dǎo)體于日前宣布，利用配備該公司開發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務(wù)器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時還公布了 2013年下半年開始量產(chǎn)硅基板GaN功率器件的目標(biāo)。該公司將
2012-11-12 09:16:21
1405 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計(jì)人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。
2015-11-08 18:00:005701 
使用GaN FET構(gòu)建高速系統(tǒng)并非易事。開關(guān)電場可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無線系統(tǒng)的系統(tǒng)對于整體性能至關(guān)重要。本文著眼于不同封裝技術(shù)對不同應(yīng)用的影響以及這些技術(shù)如何用于構(gòu)建高性能GaN設(shè)備。
2019-03-11 08:04:005383 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小，但同時能夠保證最好的性能，氮化鎵（GaN）的出現(xiàn)，讓這一方案得以實(shí)現(xiàn)。在智能家居
2024-01-19 00:21:004709 應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
的好處。雖然增強(qiáng)型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設(shè)計(jì)，并提供了大大提高性能和效率的設(shè)計(jì)路徑。高壓設(shè)計(jì)案例開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設(shè)計(jì)都采用
2017-05-03 10:41:53
器件的商業(yè)可用性，比如電機(jī)逆變器的GaN HEMT和直流部分的高性能電容器正在不斷滿足設(shè)計(jì)人員對于大功率電機(jī)驅(qū)動的可靠性需求，這些關(guān)鍵部件讓設(shè)計(jì)人員能夠提升現(xiàn)有的產(chǎn)品，是電機(jī)變得更加緊湊、輕便而且價(jià)格
2019-07-16 00:27:49
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
，其設(shè)計(jì)的方案滿足所有這些挑戰(zhàn)；與舊式慢速基于硅的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)相比，成本相近甚至更低?！薄 ?yīng)需而生的GaN功率IC Stephen解釋說，速率與效率是電源設(shè)計(jì)中兩個至關(guān)重要的參數(shù)，至今常用的半導(dǎo)體材料
2017-09-25 10:44:14
都應(yīng)通過這樣的測試。依我看，JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該涵蓋這類測試。您說呢？” 客戶的質(zhì)疑是對的。為使GaN被廣泛使用，其可靠性需要在預(yù)期應(yīng)用中得到證明，而不是僅僅通過硅材料配方合格認(rèn)證（silicon
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
更多是數(shù)字電源控制已準(zhǔn)備好迎接GaN。因此，隨著GaN繼續(xù)開發(fā)，并應(yīng)用于高密度和高性能電源解決方案，我們不必等待開發(fā)控制器時要借助GaN帶給行業(yè)的優(yōu)勢。因此，這就是“準(zhǔn)備就緒”的含義：它是指“現(xiàn)在就開始
2018-08-30 15:05:41
好準(zhǔn)備了嗎？對這一問題的答案要比數(shù)字電源控制是否能夠使用GaN這個問題復(fù)雜。所以，隨著GaN在不斷向前發(fā)展，并且在高密度和高性能電源解決方案中尋找用武之地，我們也不必非要等到控制器發(fā)展到能夠利用GaN優(yōu)勢
2018-09-06 15:31:50
以與LDMOS 相競爭的成本來提供其性能優(yōu)勢。 MACOM的硅上 GaN器件能提供超過 70%的能量效率，并在 900 MHz 和 2.45GHz 頻率下均具有高的增益。這些頻率都是工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)應(yīng)用的開放
2017-05-01 15:47:21
的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化
2018-08-30 15:28:30
苛刻的環(huán)境需要高性能的電源轉(zhuǎn)換
2019-06-03 16:45:06
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
高性能計(jì)算機(jī)的發(fā)展史高性能計(jì)算機(jī)的內(nèi)容高性能計(jì)算機(jī)的應(yīng)用高性能計(jì)算機(jī)的現(xiàn)狀高性能計(jì)算機(jī)的應(yīng)用領(lǐng)域高性能計(jì)算機(jī)的未來展望
2019-09-10 10:42:36
希荻微電子HL7503高性能DCDC通過高通認(rèn)證 希荻微電子推出的3A高性能DCDC芯片HL7503，通過了高通嚴(yán)格的測試認(rèn)證，成為進(jìn)入其高端平臺參考設(shè)計(jì)的全球兩家電源管理芯片公司之一。據(jù)了解，希荻
2015-08-28 10:49:13
采用諧振電感與變壓器磁集成設(shè)計(jì)，配合GaN高頻特性，進(jìn)一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術(shù)實(shí)現(xiàn)體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會上，MACOM上海無線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
采用硅基GaN方案，成本可降低30%-50%，但性能（如耐壓、電流密度）受限；若選擇SiC基，性能更優(yōu)但成本高昂。目前Neway可能采取“硅基為主、SiC為輔”的策略，平衡成本與性能。封裝形式：通過
2025-12-25 09:12:32
OPC、UVLO、OV，開關(guān)頻率和軟啟動通過 LMG1210 上的引腳搭接進(jìn)行死區(qū)時間調(diào)節(jié)電源板和子卡實(shí)現(xiàn)優(yōu)化死區(qū)時間顯示 GaN 效率提高 5%
2019-01-02 16:17:21
PWR系列高性能可編程交流電源的波形編輯功能及應(yīng)用
2021-03-16 14:41:08
下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術(shù)融入到電源
2018-09-11 14:04:25
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
產(chǎn)品重要性的同時，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對集成度越來越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國市場對高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動。當(dāng)務(wù)之急是找出能生產(chǎn)透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮?dǎo)電氧化物
2020-11-27 16:30:52
組件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項(xiàng)背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關(guān)損耗，因此電源開關(guān)的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
2021-09-23 15:02:11
（GaN）技術(shù)實(shí)現(xiàn)比使用傳統(tǒng)硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數(shù)，這使得功率晶體管具有非常低的導(dǎo)通電阻（R上），從而最大限度地減少了導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)損耗。橫向晶體管結(jié)構(gòu)還實(shí)現(xiàn)了極低
2023-02-21 15:57:35
RF 應(yīng)用來說越來越具有吸引力。邁向5G 之路與GaAs、硅或其他傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，GaN將在5G 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中大放異彩，如高頻和尺寸受限的小型蜂窩。如下圖所示，隨著標(biāo)準(zhǔn)向5G 演變，無線網(wǎng)絡(luò)的強(qiáng)化會
2017-07-28 19:38:38
1VDC負(fù)載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。我們將探討高性能GaN功率晶體管的能力，以使用新方法以更高效率和更高功率密度為功率數(shù)據(jù)中心和電信系統(tǒng)提供電源。此方法在效率和功率密度方面都比
2018-08-29 15:10:47
，實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，減少甚至去除了散熱器。圖2顯示了GaN和硅FET之間48V至POL的效率比較。 圖 2：不同負(fù)載電流下GaN與硅直流/直流轉(zhuǎn)換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
意義上的極限卻是橫亙在硅材料面前的一條無法逾越的鴻溝。與此同時，一種基于GaN的全新電源和轉(zhuǎn)化系統(tǒng)正應(yīng)運(yùn)而生，它們的功率損耗更低，產(chǎn)生的熱量也更少。由于高溫會提高運(yùn)行成本、干擾網(wǎng)絡(luò)信號并誘發(fā)設(shè)備故障
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設(shè)計(jì)過程的風(fēng)險(xiǎn)。
2020-10-28 06:59:27
如何實(shí)現(xiàn)高性能的射頻測試解決方案NI軟硬件的關(guān)鍵作用是什么
2021-05-06 07:24:55
速度環(huán)，內(nèi)環(huán)為電流環(huán)。為了實(shí)現(xiàn)PMSM高性能控制，我們會采用各種復(fù)雜的算法來實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，這其中電流環(huán)相關(guān)算法又是重中之重。但是需要指出，電流環(huán)性能好壞除了與采用的算法有關(guān)之外，還與...
2021-08-27 06:45:22
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
是什么推動著高精度模擬芯片設(shè)計(jì)？如何利用專用晶圓加工工藝實(shí)現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
，固有的快速開關(guān)瞬變，缺乏反向恢復(fù)和高溫工作能力。這些優(yōu)異的性能似乎是高性能功率轉(zhuǎn)換器的完美組合。 然而，要實(shí)現(xiàn)GaN的性能潛力，必須考慮兩個重要方面。首先，人們普遍認(rèn)為GaN的快速瞬態(tài)開關(guān)能力將
2023-02-24 15:09:34
如何去實(shí)現(xiàn)一種高性能IP電話語音終端系統(tǒng)的設(shè)計(jì)？
2021-06-04 06:39:06
傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)接口處理流程包括哪些步驟？如何去實(shí)現(xiàn)一種高性能網(wǎng)絡(luò)接口設(shè)計(jì)？
2021-05-20 06:41:48
如何在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高性能、成本優(yōu)化型實(shí)時控制設(shè)計(jì)
2021-03-16 07:56:20
如何成功實(shí)現(xiàn)高性能數(shù)字無線電？
2021-05-24 06:25:47
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)高性能的SDI信號鏈？對PCB布板和電源設(shè)計(jì)有哪些建議？TI在SDI領(lǐng)域的具體方案是什么？
2021-05-24 06:48:22
更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計(jì)人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會 (JEDEC) 針對硅器件的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)證明是產(chǎn)品
2019-07-12 12:56:17
射頻VMMK器件是怎么提高性能的？通過降低寄生電感和電容嗎？
2019-08-01 08:23:35
)封裝，并且能幫助電源設(shè)計(jì)人員迅速發(fā)揮這種材料的真正優(yōu)勢。為了給GaN創(chuàng)造廣闊的市場發(fā)展空間，TI致力于幫助客戶簡化這款產(chǎn)品的使用性，并優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能
2018-08-30 15:05:40
CJC89888芯片特點(diǎn)是什么？低功耗芯片設(shè)計(jì)要點(diǎn)是什么？怎么實(shí)現(xiàn)低功耗單芯片高性能音頻CODEC的設(shè)計(jì)？
2021-06-03 06:27:25
怎么實(shí)現(xiàn)多內(nèi)核處理器開發(fā)趨勢下的高性能視頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)？
2021-06-03 06:19:40
PCB設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的組建建議是什么高性能PCB設(shè)計(jì)的硬件必備基礎(chǔ)高性能PCB設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和工程實(shí)現(xiàn)
2021-04-26 06:06:45
1.電源右鍵點(diǎn)擊電源圖標(biāo)選擇電源選項(xiàng)—選擇高性能模式。若沒有高性能模式選擇左邊創(chuàng)建電源計(jì)劃（圖一所示）—點(diǎn)擊下一步（如圖二所示）—選擇創(chuàng)建（如圖三所示）圖一圖二圖三2.顯卡①右擊空白桌面，打開英偉達(dá)
2021-12-31 07:03:36
成功實(shí)現(xiàn)高性能數(shù)字無線電
2020-12-22 06:59:41
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
嚴(yán)酷的汽車環(huán)境要求高性能電源轉(zhuǎn)換
2019-09-18 09:31:24
基礎(chǔ)(凌特資料)實(shí)現(xiàn)可靠的高性能數(shù)字電源為了更好地理解數(shù)字電源的架構(gòu)選擇和關(guān)鍵性能參數(shù)，最好先搞清楚使用數(shù)字回路的好處。通過采用數(shù)字回路控制來實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換，可使開發(fā)人員的設(shè)計(jì)和業(yè)務(wù)大大受益。通過可再編程
2020-07-02 14:31:59
怎樣利用可編程邏輯來實(shí)現(xiàn)高性能的罪犯抓捕系統(tǒng)？
2021-04-28 06:39:25
頻率合成器的高性能架構(gòu)實(shí)現(xiàn)技術(shù)詳解
2021-04-07 06:48:49
高性能電源保護(hù)電路
摘要：對電源產(chǎn)品來講，保護(hù)電路是不可缺少的。電源配有一個高性能的保護(hù)電路對其整體性能的提高又是至關(guān)重要
2009-07-17 11:35:32950 
氮化鎵(GaN)技術(shù)超越硅 實(shí)現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換效率——來自安森美半導(dǎo)體Onsemi
2015-12-23 11:06:20
28 氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
2016-05-09 17:06:563382 此網(wǎng)絡(luò)研討會強(qiáng)調(diào)了通過為高性能Python實(shí)施多種英特爾工具和技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的顯著性能提升。
2018-11-08 06:06:003226 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:062913 此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒有反向恢復(fù)電荷（QRR），使其非常適合硬開關(guān)應(yīng)用。
2020-04-29 16:07:464215 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全、精確的測試
2020-11-18 10:38:0028 如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)……因此可實(shí)現(xiàn)更高
2022-02-25 10:12:552996 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-25 09:15:051075 
的創(chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進(jìn)的速度顯著放緩。同時，新材料 GaN 正穩(wěn)步朝著理論性能邊界邁進(jìn)，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6,000 倍，比當(dāng)今市場上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍（圖 1）。
2022-07-27 16:42:351185 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-29 08:06:371093 
隨著硅基 MOSFET 和功率器件接近其物理極限，功率工程師已開始轉(zhuǎn)向氮化鎵 （GaN） 以提高性能并減小整體解決方案尺寸。
2022-08-03 14:49:261608 。與此同時，一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩(wěn)步前進(jìn)，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比當(dāng)今市場上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍（圖1）。 圖 1：一平方毫米器件的理論導(dǎo)通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代（紫色圓點(diǎn)）和
2022-08-04 11:17:551186 
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:081408 
GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用。
2022-08-05 08:05:041244 
電力電子系統(tǒng)的性能發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變，它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶體管驅(qū)動。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了顯著提高，從而在幾個新應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)性能，這是過去
2022-08-08 11:56:151478 
是一種高度移動的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體 (HEMT)，被證明在滿足新應(yīng)用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:243647 
在過去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:121064 
氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因?yàn)樗梢?b class="flag-6" style="color: red">實(shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設(shè)計(jì)。在許多特定的應(yīng)用中，GaN已經(jīng)取代了傳統(tǒng)
2023-10-13 15:25:331507 
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?；?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311826 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)可靠高性能數(shù)字電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 15:02:580 為幫助業(yè)界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術(shù)，在電動汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，這些全新高功率密度傳感器能夠降低能量損耗，同時改進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的效率和可靠性。
2024-03-04 16:50:181303 推動更高效的能源利用、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及研發(fā)了冷卻操作的技術(shù)都能夠實(shí)現(xiàn)減少電動機(jī)的功耗，雖然硅MOSFET等開關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，但它們通常無法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)。相反
2024-05-23 10:56:371576 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN如何實(shí)現(xiàn)更高效、更緊湊的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 10:00:151 中的未來前景。 如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會問道： 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體，可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實(shí)現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551179 
特征●高性能GaN技術(shù)：具有超低輸入和輸出電容，零反向恢復(fù)特性，可將開關(guān)損耗降低約80%，同時低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴可降低EMI。●可調(diào)節(jié)驅(qū)動強(qiáng)度：通過RDRV引腳連接電阻
2025-11-29 11:25:34188 
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