為了選出一個合適的LDO ，我們需要注意一些關(guān)鍵的指標(biāo)，它們包括：輸入電壓值VIN (min),VIN (max),輸出電壓和輸出電流VOUT,IOUT,耗散功率,最小電壓差,電源紋波抑制比（PSRR),靜態(tài)電流
VIN (max):我們所需要輸入的最大電壓是多少,可以在輸入電壓上留有25%的余量。例如輸入電壓是5V，我們可以選擇輸出最大能夠支持5V*1.2=6V這種。

VOUT：LDO輸出的基本原理由分壓電阻和運放，以及MOS管（三極管）作為開關(guān)使用。以下為LDO的基本原理框圖：

IOUT：所選LDO的電流輸出能力必須滿足應(yīng)用的需要，負(fù)載電流與輸入輸出電壓差的乘積又決定了功耗，這些都必須被同時考慮到。LDO因為采用外部MOS管（也可用三極管）來提供電流，可以有更大的電流輸出能力。

耗散功率（Power Dissipation)

LDO的功耗是由跨過LDO輸入、輸出端的電壓降（VIN-VOUT）乘上流過它的電流所決定的，其計算公式為PD = (VIN - VOUT)* ILOAD。

下圖顯示了特定功耗值下允許的LDO電壓降與電流之間的關(guān)系曲線。

流過LDO的電流或落在LDO上的電壓降增加時 ，會迅速導(dǎo)致功耗的增加，在選擇LDO的封裝時必須考慮到這一因素，確保其可以承擔(dān)這一功耗，否則LDO會過熱。

輸入輸出電壓差（Dropout Voltage)

LDO是低壓差的線性穩(wěn)壓器，意味著即使輸入電壓非常接近輸出電壓時它仍然能夠保持輸出電壓的穩(wěn)定。

LDO的最小電壓差被定義為跨過它的電壓低至它開始不能維持其穩(wěn)定輸出電壓時的輸入輸出電壓差。

這是一個使用P溝道 的MOS管的LDO的基本電路， MOS管的源極與VIN相連接到VIN 。為了調(diào)節(jié)輸出電壓，誤差放大器控制著相對于VIN的P-MOS的柵極電壓，因而控制著MOS的導(dǎo)通程度。

電源紋波抑制比(PSRR)

PSRR是電源紋波抑制比(Power Supply Ripple Rejection)的縮寫。LDO的 PSRR數(shù)據(jù)是用來量化LDO對不同頻率的輸入電源紋波的抑制能力的，它反映了LDO不受噪聲和電壓波動、保持輸出電壓穩(wěn)定的能力，PSRR越大越好。

在此樣圖中顯示了PSRR與頻率之間的關(guān)系。在頻率高在低頻（10kHz以下 ），該 LDO具有高的開環(huán)電壓增益，有較強的紋波抑制能力。

當(dāng)頻率增加時，環(huán)路增益因為LDO的帶寬限制而降低，PSRR曲線隨之變高。更高的LDO負(fù)載電流將負(fù)荷極點推向上方，所以在高負(fù)荷條件下的單位增益頻率也較高。在此范例中，10mA負(fù)載時的LDO單位增益頻率為300kHz，300mA負(fù)載時就變成了1MHz，這可以從圖中曲線的峰值上看出來。

靜態(tài)電流 (IQ)

LDO的靜態(tài)電流是指由IC內(nèi)部的反饋控制和驅(qū)動電路所消耗的電流，通過對流過LDO接地引腳的電流進(jìn)行測量可以獲得該數(shù)據(jù)。