工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
4300 
當(dāng)新能源汽車的續(xù)航里程突破1000公里、800V高壓快充成為標(biāo)配，SiC功率器件正悄然重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。在這場(chǎng)技術(shù)革命背后，一種名為“納米銀燒結(jié)”的封裝材料，正從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線，成為撬動(dòng)萬(wàn)億級(jí)
2025-05-17 01:09:0010055 150℃無(wú)壓燒結(jié)銀最簡(jiǎn)單三個(gè)步驟
作為燒結(jié)銀的全球領(lǐng)航者，SHAREX善仁新材持續(xù)創(chuàng)新，不斷超越自我，最近開(kāi)發(fā)出150℃無(wú)壓燒結(jié)銀AS9378TB，以其獨(dú)特的低溫處理優(yōu)勢(shì)，成為了眾多研究與應(yīng)用中
2025-02-23 16:31:42
嵌入式芯片技術(shù)的PCOC模塊可實(shí)現(xiàn)緊湊、高密度的功率模塊，同時(shí)可大幅降低回路的寄生電感，使其適用于具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間的寬禁帶半導(dǎo)體器件（如SiC等）?！ ∪S封裝技術(shù)消除了模塊中的鍵合線，可以有效
2023-02-27 14:22:06
操作便利性和溫度控制的可視化程度。
半導(dǎo)體風(fēng)水冷溫控平臺(tái)和半導(dǎo)體高低溫實(shí)驗(yàn)設(shè)備也是溫控產(chǎn)品體系的重要組成部分。風(fēng)水冷溫控平臺(tái)提供多種平臺(tái)面積選擇，控溫范圍可按需定制，制冷量處于 15W 到 300W
2025-06-25 14:44:54
器件、傳感器等。推薦善仁新材的芯片封裝導(dǎo)電膠AS6500；低溫芯片封裝導(dǎo)電膠AS6200；超低溫芯片封裝得到銀膠AS6080。從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看，目前傳統(tǒng)汽車上半導(dǎo)體芯片主要集中應(yīng)用于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、車身
2022-04-15 15:38:13
**低溫無(wú)壓燒結(jié)銀在射頻通訊上的5大應(yīng)用
SHAREX善仁新材推出在射頻通訊領(lǐng)域的無(wú)壓燒結(jié)銀系列，可以應(yīng)用的領(lǐng)域主要體現(xiàn)在以下5個(gè)方面：
1 射頻元器件的封裝與連接
高可靠性封裝：納米燒結(jié)銀可用
2024-09-29 16:26:13
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
非常復(fù)雜，尤其是其最核心的微型單元——成千上萬(wàn)個(gè) 晶體管 。我們就來(lái)為大家詳解一下半導(dǎo)體芯片集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。一般的，我們用從大到小的結(jié)構(gòu)層級(jí)來(lái)認(rèn)識(shí)集成電路，這樣會(huì)更好理解。01系統(tǒng)級(jí)我們還是以手機(jī)為例
2020-11-17 09:42:00
半導(dǎo)體芯片焊接方法芯片焊接(粘貼)方法及機(jī)理 芯片的焊接是指半導(dǎo)體芯片與載體（封裝殼體或基片）形成牢固的、傳導(dǎo)性或絕緣性連接的方法。焊接層除了為器件提供機(jī)械連接
2010-02-26 08:57:57
半導(dǎo)體芯片行業(yè)的運(yùn)作模式
2020-12-29 07:46:38
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
素，并可觀察到銀顆粒從底部正極銀膠區(qū)域以枝晶狀延伸形貌逐漸擴(kuò)散到芯片上部P-N結(jié)側(cè)面附近，因此金鑒判定不良燈珠漏電失效極有可能為來(lái)自固晶銀膠的銀離子在芯片側(cè)面發(fā)生離子遷移所造成。銀離子遷移現(xiàn)象是在在
2015-06-12 18:33:48
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
LED導(dǎo)電膠、石英晶體導(dǎo)電膠、集成電路導(dǎo)電銀膠<br/><br/>
2009-05-31 09:52:55
低溫導(dǎo)電銀膠低溫導(dǎo)電銀漿型號(hào)及用途UNINWELL國(guó)際作為世界高端光電膠粘劑的領(lǐng)導(dǎo)品牌，公司以“您身邊的高端光電粘結(jié)防護(hù)專家”為服務(wù)宗旨。公司開(kāi)發(fā)的導(dǎo)電銀膠、導(dǎo)電銀漿、紅膠
2008-12-05 15:20:56
提供生產(chǎn)效率。BQ-6770、6771系列 此產(chǎn)品系列為中、低溫快固型導(dǎo)電銀膠，用于觸摸屏引線的粘接，具有很好的導(dǎo)電和粘結(jié)性能，對(duì)PET、PC等薄膜具有特強(qiáng)的粘合力及可撓性(抗彎曲
2008-12-05 15:21:40
提供生產(chǎn)效率。BQ-6770、6771系列 此產(chǎn)品系列為中、低溫快固型導(dǎo)電銀膠，用于觸摸屏引線的粘接，具有很好的導(dǎo)電和粘結(jié)性能，對(duì)PET、PC等薄膜具有特強(qiáng)的粘合力及可撓性(抗彎曲
2008-12-05 15:25:06
半導(dǎo)體芯片是現(xiàn)在世界的石油，它們推動(dòng)了經(jīng)歷、國(guó)防和整個(gè)科技行業(yè)。-------------帕特里克-基辛格。
AI的核心是一系列最先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片。那么AI芯片最新技術(shù)以及創(chuàng)新有哪些呢。
本章節(jié)作者
2025-09-15 14:50:58
的不同。隨著AI熱潮的興起，大腦的抽象模型已被提煉成各種的AI算法，并使用半導(dǎo)體芯片技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。
而大腦是一個(gè)由無(wú)數(shù)神經(jīng)元通過(guò)突觸連接而成的復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)，是極其復(fù)雜和精密的。大腦在本質(zhì)上就是一臺(tái)濕潤(rùn)的軟組織
2025-09-06 19:12:03
/點(diǎn)膠性能和暫時(shí)的粘接力。
在燒結(jié)過(guò)程中，熱量會(huì)使有機(jī)載體揮發(fā)或分解。理想情況下，這些有機(jī)物應(yīng)該均勻地、緩慢地通過(guò)銀膏層向上方（空氣側(cè)）逸出。然而，當(dāng)銀膏被夾在兩個(gè)界面之間時(shí)（例如上方的芯片和下方的基板
2025-10-05 13:29:24
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
導(dǎo)電銀膠按導(dǎo)電方向分為各向同性導(dǎo)電銀膠和各向異性導(dǎo)電銀膠。
2019-11-06 09:01:49
導(dǎo)電線路修補(bǔ)福音：低溫燒結(jié)銀漿AS9120P，低溫快速固化低阻值
在當(dāng)今高科技迅猛發(fā)展的時(shí)代，顯示屏作為信息傳遞的重要窗口，其性能與穩(wěn)定性直接關(guān)系到用戶體驗(yàn)及產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。隨著顯示技術(shù)
2025-01-22 15:24:35
是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車等大型車輛客戶對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專門開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
無(wú)壓燒結(jié)銀AS9377的參數(shù)誰(shuí)知道？
2023-12-17 16:11:48
層的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能。
缺點(diǎn)：需要?dú)夥湛刂葡到y(tǒng)，增加設(shè)備和工藝復(fù)雜性。
總結(jié)與建議
對(duì)于GaN芯片的無(wú)壓燒結(jié)銀工藝，要達(dá)到最佳的可靠性，推薦采用組合拳式的脫泡策略：
標(biāo)準(zhǔn)最佳實(shí)踐流程：
前處理：銀膏從冰箱
2025-10-04 21:11:19
壓力遠(yuǎn)大于外部環(huán)境，會(huì)迅速膨脹并遷移至表面破裂。
方法：
膏體真空處理 ：將裝有銀膏的注射器放入真空箱中脫泡后再進(jìn)行點(diǎn)膠或印刷。
基板真空處理：在絲網(wǎng)印刷或點(diǎn)膠后，立即將整個(gè)基板放入真空箱中進(jìn)行短暫
2025-10-04 21:13:49
深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
1.碳化硅（SiC）基高壓半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)芯片（光觸發(fā)型），半導(dǎo)體材料為SiC；★2.開(kāi)關(guān)芯片陰陽(yáng)極耐壓VAK大于7500V，VKA大于1000V；★3.開(kāi)關(guān)芯片室溫漏電流小于1μA；4.芯片陰極電極
2022-09-28 17:10:27
，從而影響器件的性能。例如，一些有機(jī)材料、半導(dǎo)體材料在高溫下容易發(fā)生降解、性能退化等問(wèn)題。低溫納米燒結(jié)銀漿的低溫燒結(jié)特性，使得這些敏感材料能夠在相對(duì)溫和的溫度條件下與銀漿實(shí)現(xiàn)良好的結(jié)合，避免了高溫對(duì)它們
2025-05-22 10:26:27
無(wú)壓220度全燒結(jié)納米銀膏為響應(yīng)第三代半導(dǎo)體快速發(fā)展的需求，善仁新材宣布了革命性的無(wú)壓低溫銀燒結(jié)技術(shù)的成功。該技術(shù)無(wú)需加壓烘烤即可幫助客戶實(shí)現(xiàn)高功率器件封裝的大批量生產(chǎn)。
2022-03-29 20:22:40
MricoLED/MiniLED低溫燒結(jié)納米銀漿善仁新材開(kāi)發(fā)的MiniLED用低溫燒結(jié)納米銀漿AS9120具有以下特點(diǎn)：1 燒結(jié)溫度低：可以120度燒結(jié)；2電阻率低：低溫燒結(jié)形成的電極
2022-04-08 14:09:50
為了應(yīng)對(duì)高功率器件的發(fā)展，善仁新材推出定制化燒結(jié)銀服務(wù)：目前推出的系列產(chǎn)品如下： 一 AS9300系列燒結(jié)銀膏：包括AS9330半燒結(jié)銀，AS9355銀玻璃芯片粘結(jié)劑；AS9375無(wú)壓燒結(jié)
2023-05-13 21:10:20
。TDS是指銀焊片的主要成分，它是一種預(yù)燒結(jié)銀材料，具有良好的導(dǎo)電性和焊接性能。預(yù)燒結(jié)銀焊片通常用于高溫環(huán)境下的電子元器件焊接，如功率模塊、電源模塊等。它具有較高的
2023-07-23 13:14:48
無(wú)壓燒結(jié)銀優(yōu)勢(shì)、銀燒結(jié)流程及燒結(jié)銀應(yīng)用隨著高功率芯片，器件和模組的日益發(fā)展，散熱性需要大幅度的提高，無(wú)壓燒結(jié)銀是解決散熱性的不二之選。SHAREX善仁新材的無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376得到100多家客戶
2023-11-27 21:57:29
同時(shí)也會(huì)受到基體樹(shù)脂的影響。因此，各組分材料的選擇和添加量的確定對(duì)導(dǎo)電銀膠的性能影響重大。 LED導(dǎo)電銀膠物理、化學(xué)特性和固晶工藝都對(duì)銀膠的粘接、散熱效果發(fā)揮著重要的作用，銀膠的性能優(yōu)劣直接影響LED芯片的可靠性能，所以
2017-09-22 18:47:23
13 技術(shù)的無(wú)壓納米銀，它是一種高可靠性的芯片粘接材料，非常適用于SiC和高功率LED芯片封裝，激光控制芯片等大功率模塊，并且開(kāi)創(chuàng)了220度燒結(jié)的低溫無(wú)壓燒結(jié)銀的先河。 AS9375的優(yōu)點(diǎn)總給如下： 低溫無(wú)壓：銀燒結(jié)技術(shù)是把材料加熱到低于它的熔點(diǎn)溫度，然后
2022-04-02 02:29:19934 燒結(jié)銀選購(gòu)22條軍規(guī) 燒結(jié)銀在實(shí)際應(yīng)用中也有著千差萬(wàn)別的要求，因此正確選擇燒結(jié)銀就成為在電子和光電器件生產(chǎn)工藝中關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。善仁新材根據(jù)多家客戶選擇燒結(jié)銀的經(jīng)驗(yàn)，把燒結(jié)銀的選擇條件總結(jié)如下，供愛(ài)好者
2022-04-06 10:12:586130 如何降低納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率成為目前研究的重要內(nèi)容。
2022-04-09 20:13:566556 
銀 （Ag）/銅 （Cu） 壓力燒結(jié)（見(jiàn)圖 1）是一種應(yīng)用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。據(jù) AMX 稱，燒結(jié)目前被認(rèn)為是連接電力電子器件中最可靠的技術(shù)。銀
2022-08-03 08:04:341714 
半導(dǎo)體的發(fā)展靠的是生態(tài)，不論黃金搭檔們是握手言笑還是怒目相對(duì)，只要是健康的競(jìng)爭(zhēng)都是有益于整體的發(fā)展，這個(gè)世界，從不存在絕對(duì)的沒(méi)有制衡的力量。 都在說(shuō)這個(gè)時(shí)代，是半導(dǎo)體的“黃金時(shí)代”，應(yīng)運(yùn)而生的還有
2022-11-11 10:15:092253 和工藝提出了更高、更全面的可
靠性要求。
實(shí)現(xiàn)上述要求“非它不可”材料和工藝已經(jīng)在路上，它就是無(wú)壓低溫燒結(jié)銀焊料和銀燒結(jié)互連技術(shù)，特別是它將為大功率器件帶
來(lái)受用不盡的好處。
2023-02-15 16:08:410 作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
2023-03-31 12:44:274419 燒結(jié)銀選購(gòu)22條軍規(guī)燒結(jié)銀在實(shí)際應(yīng)用中也有著千差萬(wàn)別的要求，因此正確選擇燒結(jié)銀就成為在電子和光電器件生產(chǎn)工藝中關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。善仁新材根據(jù)多家客戶選擇燒結(jié)銀的經(jīng)驗(yàn)，把燒結(jié)銀的選擇條件總結(jié)如下，供愛(ài)好者
2022-04-15 13:42:211418 
無(wú)壓燒結(jié)銀工藝和有壓燒結(jié)銀工藝流程區(qū)別如何降低納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率成為目前研究的重要內(nèi)容。燒結(jié)銀的燒結(jié)工藝流程就顯得尤為重要了。善仁新材
2022-04-08 10:11:342808 
燒結(jié)銀9大特點(diǎn)解決客戶的4大痛點(diǎn)善仁新材作為全球低溫無(wú)壓燒結(jié)銀的領(lǐng)導(dǎo)品牌，一直引領(lǐng)低溫燒結(jié)溫度，從客戶要求的220度，到200度，到180度，到170度。170度燒結(jié)是目前已知的全球低溫燒結(jié)銀的極限
2022-03-29 16:12:144836 
通過(guò)原子擴(kuò)散連接的方法轉(zhuǎn)變成塊狀材料。納米銀的燒結(jié)過(guò)程中，一個(gè)重要的理論是固態(tài)燒結(jié)的擴(kuò)散機(jī)制。納米銀低溫燒結(jié)機(jī)制屬于固相燒結(jié)，是通過(guò)原子間的擴(kuò)散作用而形成致密化的連接，根據(jù)擴(kuò)散而實(shí)現(xiàn)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。從熱力學(xué)
2022-04-09 11:03:212790 
的無(wú)壓納米銀，它是一種高可靠性的芯片粘接材料，非常適用于SiC和高功率LED芯片封裝，激光控制芯片等大功率模塊，并且開(kāi)創(chuàng)了220度燒結(jié)的低溫無(wú)壓燒結(jié)銀的先河。AS
2022-04-02 09:37:361837 
低溫無(wú)壓：銀燒結(jié)技術(shù)是把材料加熱到低于它的熔點(diǎn)溫度，然后材料中的銀顆粒聚集結(jié)合，并實(shí)現(xiàn)顆粒之間的結(jié)合強(qiáng)度。傳統(tǒng)銀燒結(jié)采用對(duì)材料或設(shè)備加壓、加熱直至形成金屬接點(diǎn)的方法。然而，在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，這種加壓
2022-04-02 18:02:156174 
燒結(jié)銀分類和型號(hào)上海的疫情阻擋不住客戶對(duì)公司燒結(jié)銀的熱情。善仁新材市場(chǎng)部統(tǒng)計(jì)了一下，截至到2022年6月10號(hào)，目前在國(guó)內(nèi)和國(guó)際上有126家客戶在測(cè)試善仁新材公司的各種燒結(jié)銀產(chǎn)品，其中有30幾家已經(jīng)
2022-06-13 09:21:443965 
最近善仁新材公司和中國(guó)某領(lǐng)先的芯片封裝企業(yè)深度合作，開(kāi)發(fā)出用于邦定裸硅芯片和金焊盤的最新型號(hào)的無(wú)壓燒結(jié)銀，得到客戶的好評(píng)。AS9375燒結(jié)銀封裝芯片這家客戶的項(xiàng)目負(fù)責(zé)人在市面上找了幾家國(guó)外的燒結(jié)銀
2022-09-06 10:32:211788 
低溫燒結(jié)銀的三個(gè)誤區(qū)
2022-09-17 11:54:567097 
芯片封裝燒結(jié)銀工藝
2022-12-26 12:19:222875 
半導(dǎo)體指紋識(shí)別模塊指紋傳感芯片封裝膠應(yīng)用方案由漢思新材料提供客戶是一家經(jīng)營(yíng)銀行卡電子支付終端產(chǎn)品（POS終端、固定無(wú)線電話機(jī)）、電子支付系統(tǒng)產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)產(chǎn)品及電子產(chǎn)品的技術(shù)開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)，移動(dòng)支付終端
2023-03-17 14:55:031582 
所謂的燒結(jié)銀，又叫燒結(jié)銀膏，銀焊膏等，就是將納米級(jí)銀顆粒燒結(jié)成銀塊的一種新的高導(dǎo)通銀材料，燒結(jié)銀燒結(jié)技術(shù)也被稱為低溫連接技術(shù)，產(chǎn)品具有低溫燒結(jié)，高溫服役，高導(dǎo)熱低阻值，無(wú)污染等特點(diǎn)。是寬禁帶半導(dǎo)體模塊中的關(guān)鍵導(dǎo)熱散熱封裝技術(shù)。
2023-07-05 10:47:531482 
燒結(jié)銀原理、銀燒結(jié)工藝流程和燒結(jié)銀膏應(yīng)用
2024-01-31 16:28:075351 
半導(dǎo)體行業(yè)射頻芯片賽道研究系列一
2023-01-13 09:06:506 軟件定義汽車，AI芯片黃金賽道
2023-01-13 09:07:495 低溫無(wú)壓燒結(jié)銀對(duì)鍍層的四點(diǎn)要求
2023-11-25 13:50:261108 低溫無(wú)壓燒結(jié)銀對(duì)鍍層的四點(diǎn)要求
2023-11-25 10:55:471763 
摘要：選取了一種半燒結(jié)型銀漿進(jìn)行粘接工藝研究，通過(guò)剪切強(qiáng)度測(cè)試和空洞率檢測(cè)確定了合適的點(diǎn)膠工藝參數(shù)，并進(jìn)行了紅外熱阻測(cè)試和可靠性測(cè)試。結(jié)果表明，該半燒結(jié)型銀漿的工藝操作性好，燒結(jié)后膠層空洞率低；當(dāng)膠
2023-12-04 08:09:572600 
選擇燒結(jié)銀的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
2023-12-17 15:46:172246 
歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 （株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司?新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室） 摘要： 主要研究了應(yīng)用于?IGBT?模塊封裝中的銀燒結(jié)工藝和銅引線鍵合工藝，依據(jù)系列質(zhì)量表征和評(píng)價(jià)
2023-12-20 08:41:093728 
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商，SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力控制技術(shù)，除確保基本高強(qiáng)度燒結(jié)鍵合，對(duì)應(yīng)導(dǎo)熱性
2024-01-03 14:04:451753 
測(cè)試和可靠性測(cè)試。結(jié)果表明，該半燒結(jié)型銀漿的工藝操作性好，燒結(jié)后膠層空洞率低；當(dāng)膠層厚度控制在30 μm左右時(shí)，剪切強(qiáng)度達(dá)到25.73 MPa；采用半燒結(jié)型銀漿+TSV轉(zhuǎn)接板的方式燒結(jié)功放芯片，其導(dǎo)熱性能滿足芯片的散熱要求；經(jīng)過(guò)可靠性測(cè)
2024-01-17 18:09:112624 
碳化硅模塊使用燒結(jié)銀雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢(shì)與實(shí)現(xiàn)方法 新能源車的大多數(shù)最先進(jìn) (SOTA)?電動(dòng)汽車的牽引逆變器體積功率密度范圍從基于 SSC-IGBT?的逆變器的 當(dāng)然，隨著新能源車碳化硅
2024-02-19 14:51:151804 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對(duì)SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:471543 
功率芯片載體裝配工藝中應(yīng)用廣泛。傳統(tǒng)的手工燒結(jié)方式具有熔融時(shí)間長(zhǎng)、生產(chǎn)效率低、可靠性差等缺點(diǎn)，通過(guò)對(duì)基于銦鉛銀低溫焊料的真空燒結(jié)工藝的助焊劑選取、焊料厚度和尺寸、工裝夾具設(shè)計(jì)、真空燒結(jié)曲線調(diào)試等幾個(gè)方面進(jìn)行研究，最終摸索出一種適
2024-03-19 08:44:051926 
TPAK SiC優(yōu)選解決方案：有壓燒結(jié)銀+銅夾Clip無(wú)壓燒結(jié)銀
2024-04-25 20:27:401834 
AS9373是一款使用了善仁銀燒結(jié)技術(shù)的無(wú)壓納米銀，它是一種高可靠性的芯片粘接材料，非常適用于射頻器件、激光器件、SiC和高功率LED產(chǎn)品等功率模塊。 無(wú)壓銀燒結(jié)技術(shù)是把材料加熱到低于它的熔點(diǎn)溫度，然后材料中的銀顆粒聚集結(jié)合，并實(shí)現(xiàn)顆粒之間的結(jié)合強(qiáng)度。傳統(tǒng)
2024-05-23 20:25:15938 GVF9880預(yù)燒結(jié)銀焊片用于碳化硅模組。
2024-06-17 18:10:481613 
銀及其合金在電子、電力、航空航天等眾多領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。為了提高銀材料的物理和機(jī)械性能，常采用燒結(jié)工藝進(jìn)行材料制備。燒結(jié)工藝根據(jù)施加壓力的不同，可分為無(wú)壓燒結(jié)和有壓燒結(jié)兩種。本文旨在詳細(xì)探討無(wú)壓燒結(jié)銀與有壓燒結(jié)銀工藝流程的區(qū)別，并分析各自的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。
2024-07-13 09:05:563661 
IGBT模塊對(duì)高可靠性的需求。在這一背景下，銀燒結(jié)工藝（LTJT）作為一種新型連接技術(shù)，正逐漸成為IGBT封裝領(lǐng)域的研究與應(yīng)用熱點(diǎn)。
2024-07-19 10:23:202397 
低溫燒結(jié)銀AS9378近年來(lái)在電子材料領(lǐng)域迅速崛起，其火爆程度令人矚目。這款采用納米技術(shù)和低溫燒結(jié)工藝的高性能材料，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在眾多應(yīng)用中脫穎而出。以下，我們將深入探討低溫燒結(jié)銀AS9378火爆的六大原因。
2024-09-20 17:27:251160 在科技日新月異的今天，材料科學(xué)作為推動(dòng)工業(yè)進(jìn)步的重要基石，正不斷涌現(xiàn)出令人矚目的創(chuàng)新成果。其中，善仁燒結(jié)銀膠作為微電子封裝領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，正以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，逐步成為連接芯片與基板、實(shí)現(xiàn)微細(xì)
2024-09-20 17:28:39912 作為全球燒結(jié)銀的領(lǐng)航者，善仁新材重“芯“出發(fā)，再次開(kāi)發(fā)出引領(lǐng)燒結(jié)銀行業(yè)的革命----推出裸硅芯片的無(wú)壓燒結(jié)銀AS9332，此款燒結(jié)銀得到客戶的廣泛認(rèn)可。
2024-10-29 18:16:541185 逐步取代傳統(tǒng)硅功率器件。然而，SiC功率器件的高結(jié)溫和高功率特性對(duì)封裝技術(shù)提出了更高的要求。納米銀燒結(jié)技術(shù)作為一種先進(jìn)的界面互連技術(shù)，以其低溫燒結(jié)、高溫使用的優(yōu)點(diǎn)
2024-12-25 13:08:302228 
簡(jiǎn)單易行以及無(wú)鉛監(jiān)管的要求。這些都對(duì)焊接材料和工藝提出了更高、更全面的可靠性要求。而銀燒結(jié)技術(shù)，作為一種新型的高可靠性連接技術(shù)，正在逐漸成為功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域
2025-01-08 13:06:132115 
在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來(lái)，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。然而，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中
2025-02-24 11:17:061760 
燒結(jié)銀的導(dǎo)電性能比其他導(dǎo)電膠優(yōu)勢(shì)有哪些？？？
2025-02-27 21:41:15623 隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢(shì)，封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。在SiC芯片封裝過(guò)程中，銀燒結(jié)
2025-03-05 10:53:392553 
傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商
2025-05-03 15:29:13628 
嶄露頭角。本文深入探討了功率器件采用銀燒結(jié)技術(shù)的原因，從銀燒結(jié)技術(shù)的原理出發(fā)，分析了其在熱性能、電性能、機(jī)械性能以及可靠性等方面的優(yōu)勢(shì)，并結(jié)合SiC和IGBT功率器
2025-06-03 15:43:331152 
從 2D 到 3.5D 封裝的演進(jìn)過(guò)程中，錫膏、助焊劑、銀膠、燒結(jié)銀等焊材不斷創(chuàng)新和發(fā)展，以適應(yīng)日益復(fù)雜的封裝結(jié)構(gòu)和更高的性能要求。作為焊材生產(chǎn)企業(yè)，緊跟封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，持續(xù)投入研發(fā)，開(kāi)發(fā)出更高效、更可靠、更環(huán)保的焊材產(chǎn)品，將是在半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)中保持競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。
2025-08-11 15:45:261360 
。 從光固化龍頭到半導(dǎo)體材料新銳 久日新材的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型始于2020年。通過(guò)收購(gòu)大晶信息、大晶新材等企業(yè)，強(qiáng)勢(shì)切入半導(dǎo)體化學(xué)材料賽道。2024年11月，久日新材控股公司年產(chǎn)4500噸光刻膠項(xiàng)目進(jìn)入試生產(chǎn)階段，其中面板光刻膠4000噸、半導(dǎo)體光刻膠500噸
2025-08-12 16:45:381162 錫膏和燒結(jié)銀在新能源汽車?yán)?，不是替代關(guān)系，而是互補(bǔ)關(guān)系。錫膏靠低成本、高量產(chǎn)、夠用的性能，撐起了汽車?yán)锎蟛糠制胀?b class="flag-6" style="color: red">芯片的焊接需求。燒結(jié)銀靠耐高溫、高導(dǎo)熱、高可靠，守住了高功率芯片的 安全底線。
2025-08-29 10:44:472276 
本文從微焊料廠家視角出發(fā)，剖析了燒結(jié)銅受企業(yè)青睞的原因。在成本上，其價(jià)格遠(yuǎn)低于燒結(jié)銀，具有極大成本優(yōu)勢(shì)；性能方面，導(dǎo)電導(dǎo)熱性優(yōu)異，熱穩(wěn)定性和可靠性出色；工藝上，能較好地兼容現(xiàn)有銀燒結(jié)設(shè)備。這些優(yōu)勢(shì)使燒結(jié)銅在汽車電子和半導(dǎo)體行業(yè)中成為極具潛力的材料選擇。
2025-09-19 14:54:541594 燒結(jié)銅在工藝上的優(yōu)勢(shì)集中于三方面：一是兼容現(xiàn)有銀燒結(jié)產(chǎn)線，僅需升級(jí)氣氛控制系統(tǒng)，大幅降低設(shè)備改造成本與技術(shù)轉(zhuǎn)換風(fēng)險(xiǎn)；二是工藝條件持續(xù)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)低溫無(wú)壓燒結(jié)與簡(jiǎn)化防氧化流程，提升批量生產(chǎn)穩(wěn)定性；三是
2025-09-22 10:22:26577 
在芯片封裝生產(chǎn)的精細(xì)流程中，有一個(gè)看似簡(jiǎn)單卻至關(guān)重要的環(huán)節(jié)——銀膠烘焙。這道工序雖不像光刻或蝕刻那樣備受關(guān)注，卻直接決定著芯片的穩(wěn)定性和壽命。銀膠烘焙定義銀膠烘焙，專業(yè)術(shù)語(yǔ)稱為EpoxyCuring
2025-09-25 22:11:42494 
國(guó)內(nèi)某半導(dǎo)體頭部企業(yè)的嚴(yán)苛測(cè)試與多輪驗(yàn)證，并已獲得首批訂單，標(biāo)志著該國(guó)產(chǎn)高性能燒結(jié)銀膏正式進(jìn)入主流半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，為功率半導(dǎo)體封裝材料的國(guó)產(chǎn)化替代注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。 攻克“卡脖子”難題，核心技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破 燒結(jié)銀膏作為第三代半導(dǎo)體（如碳
2025-10-09 18:15:24751 今日，國(guó)內(nèi)高端電子材料領(lǐng)域迎來(lái)里程碑時(shí)刻。鉅合（上海）新材料科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鉅合新材”）宣布，其歷經(jīng)十年潛心研發(fā)的SECrosslink系列芯片燒結(jié)銀膏，已通過(guò)全球多家半導(dǎo)體企業(yè)的嚴(yán)格測(cè)試與評(píng)估，憑借卓越的產(chǎn)品性能與穩(wěn)定的可靠性，正式確立其在半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌地位。
2025-10-14 17:28:16591 ”的涂層材料，僅用于制作電極/屏蔽層（如光伏電池電極），靠絲網(wǎng)印刷成型，成本最低；燒結(jié)銀漿是“納米銀粉+低樹(shù)脂”的互連材料，高溫燒結(jié)形成冶金連接，適配SiC模塊、航天
2025-10-17 16:35:141583 
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