LVDT位移傳感器是用于微位移精密測量的高精度位移傳感器。為提高傳感器的測量精度與產(chǎn)品性能，需要從軟、硬件方面綜合考慮，改善位移傳感器的輸出特性。

　　LVDT位移傳感器采用差動變壓器式結(jié)構(gòu)，兩個次級線圈采用反向串聯(lián)的方式連接，輸出與鐵芯位移量存在一定線性關(guān)系的電壓值。當在初級線圈繞組加上適當?shù)募铍妷?，移動鐵芯位置會在兩個次級線圈繞組中相應(yīng)地產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。如果能保證變壓器結(jié)構(gòu)完全對稱，那么在可動鐵芯滑動到平衡位置（就是兩個次級線圈繞組的幾何中間位置）時，會使初級線圈繞組與兩個次級線圈繞組分別作用產(chǎn)生的兩個互感系數(shù)和在數(shù)值上相等，次級線圈感應(yīng)電動勢在數(shù)值上相等。由于變壓器兩個次級線圈繞組采用反向串聯(lián)的連接方式，差動變壓器的輸出電壓為零，這就是LVDT位移傳感器的零位電壓。但是，在目前加工工藝條件下，無法保證變壓器結(jié)構(gòu)完全對稱。因此，LVDT位移傳感器必然存在零殘電壓的缺陷。

　　LVDT位移傳感器產(chǎn)生零殘電壓的主要原因有：

　　由于兩個次級繞組線圈的幾何尺寸和電氣參數(shù)不對稱，氣隙不均勻，致使產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢幅值不相等，相位不同。

　　由于磁性材料的磁化曲線具有非線性，磁路也具有不對稱性（這也是LVDT位移傳感器可能輸出高次諧波的主要原因）。

　　零殘電壓對LVDT位移傳感器的影響主要有：

　　傳感器輸出特性在零點位置附近不靈敏，限制了位移傳感器分辨率的提高；

　　如果傳感器零殘電壓太大，會大幅影響位移傳感器的線性精度，也會使傳感器的靈敏度大幅下降。

　　為了減小LVDT位移傳感器的零殘電壓，線圈繞制過程中藥盡量保證初級線圈與次級線圈結(jié)構(gòu)的均勻與對稱；次級線圈磁路的對稱；鐵芯選材應(yīng)確保材質(zhì)均勻，經(jīng)熱處理改善型材的機械性能和磁性；設(shè)計有效的電路補償。補償電路形式很多，常見的有：電阻串聯(lián)，電阻并聯(lián)，電容并聯(lián)，外加反饋繞組或反饋電容等，是一種簡單有效的方法。