1947年，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了半導(dǎo)體點(diǎn)接觸式晶體管，從而開創(chuàng)了人類的硅文明時(shí)代。

　　1956年，我國(guó)提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，根據(jù)國(guó)外發(fā)展電子器件的進(jìn)程，提出了中國(guó)也要研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班。請(qǐng)回國(guó)的半導(dǎo)體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路。在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授：北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國(guó)科學(xué)院院士王陽(yáng)元（北京大學(xué)微電子所所長(zhǎng)）、工程院院士許居衍（華晶集團(tuán)中央研究院院長(zhǎng)）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺（北方華虹設(shè)計(jì)公司董事長(zhǎng)）。

　　1957年，北京電子管廠通過(guò)還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當(dāng)年，中國(guó)相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（即晶體管）。

　　1958年，美國(guó)德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路（IC）之后，發(fā)展極為迅猛，從SSI（小規(guī)模集成電路）起步，經(jīng)過(guò)MSI（中規(guī)模集成電路），發(fā)展到LSI（大規(guī)模集成電路），然后發(fā)展到現(xiàn)在的VLSI（超大規(guī)模集成電路）及最近的ULSI（特大規(guī)模集成電路），甚至發(fā)展到將來(lái)的GSI（甚大規(guī)模集成電路），屆時(shí)單片集成電路集成度將超過(guò)10億個(gè)元件。

　　1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。

　　1960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所（河北半導(dǎo)體研究所）。

　　1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。

　　1962年，我國(guó)研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。

　　1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。

　　1964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

　　1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會(huì)，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國(guó)內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。

　　1968年，組建國(guó)營(yíng)東光電工廠（878廠）、上海無(wú)線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

　　1968年，上海無(wú)線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬－氧化物半導(dǎo)體）電路（MOSIC）。拉開了我國(guó)發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無(wú)十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。

　　七十年代初，IC價(jià)高利厚，需求巨大，引起了全國(guó)建設(shè)IC生產(chǎn)企業(yè)的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機(jī)部所屬?gòu)S有749廠（永紅器材廠）、871（天光集成電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風(fēng)光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無(wú)七廠、上無(wú)十四廠、上無(wú)十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體（一）廠、航天部西安691廠等等。

　　1972年，中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。

　　1973年，我國(guó)7個(gè)單位分別從國(guó)外引進(jìn)單臺(tái)設(shè)備，期望建成七條3英寸工藝線，最后只有北京878廠，航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠。

　　1976年11月，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算所研制成功1000萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)，所使用的電路為中國(guó)科學(xué)院109廠（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的ECL型（發(fā)射極耦合邏輯）電路。

　　1982年，江蘇無(wú)錫的江南無(wú)線電器材廠（742廠）IC生產(chǎn)線建成驗(yàn)收投產(chǎn)，這是一條從日本東芝公司全面引進(jìn)彩色和黑白電視機(jī)集成電路生產(chǎn)線，不僅擁有部封裝，而且有3英寸全新工藝設(shè)備的芯片制造線，不但引進(jìn)了設(shè)備和凈化廠房及動(dòng)力設(shè)備等“硬件”，而且還引進(jìn)了制造工藝技術(shù)“軟件”。這是中國(guó)第一次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)。第一期742廠共投資2.7億元（6600萬(wàn)美元），建設(shè)目標(biāo)是月投10000片3英寸硅片的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)2648萬(wàn)塊IC成品，產(chǎn)品為雙極型消費(fèi)類線性電路，包括電視機(jī)電路和音響電路。到1984年達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)量達(dá)到3000萬(wàn)塊，成為中國(guó)技術(shù)先進(jìn)、規(guī)模最大，具有工業(yè)化大生產(chǎn)的專業(yè)化工廠。

　　1982年10月，國(guó)務(wù)院為了加強(qiáng)全國(guó)計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo)，成立了以萬(wàn)里副***為組長(zhǎng)的“電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組”，制定了中國(guó)IC發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。

　　1983年，針對(duì)當(dāng)時(shí)多頭引進(jìn)，重復(fù)布點(diǎn)的情況，國(guó)務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組提出“治散治亂”，集成電路要“建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”的發(fā)展戰(zhàn)略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽(yáng)，一個(gè)點(diǎn)指西安，主要為航天配套。

　　1986年，電子部廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出“七五”期間我國(guó)集成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣5微米技術(shù)，開發(fā)3微米技術(shù)，進(jìn)行1微米技術(shù)科技攻關(guān)。

　　1988年，871廠紹興分廠，改名為華越微電子有限公司。

　　1988年9月，上無(wú)十四廠在技術(shù)引進(jìn)項(xiàng)目，建了新廠房的基礎(chǔ)上，成立了中外合資公司――上海貝嶺微電子制造有限公司。

　　1988年，在上海元件五廠、上無(wú)七廠和上無(wú)十九廠聯(lián)合搞技術(shù)引進(jìn)項(xiàng)目的基礎(chǔ)上，組建成中外合資公司――上海飛利浦半導(dǎo)體公司（現(xiàn)在的上海先進(jìn)）。

　　1989年2月，機(jī)電部在無(wú)錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出了“加快基地建設(shè)，形成規(guī)模生產(chǎn)，注重發(fā)展專用電路，加強(qiáng)科研和支持條件，振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。

　　1989年8月8日，742廠和永川半導(dǎo)體研究所無(wú)錫分所合并成立了中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司。

　　1990年10月，國(guó)家計(jì)委和機(jī)電部在北京聯(lián)合召開了有關(guān)領(lǐng)導(dǎo)和專家參加的座談會(huì)，并向黨中央進(jìn)行了匯報(bào)，決定實(shí)施九O八工程。

　　1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司――首鋼NEC電子有限公司。

　　1995年，電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略：以市場(chǎng)為導(dǎo)向，以CAD為突破口，產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合，以我為主，開展國(guó)際合作，強(qiáng)化投資，加強(qiáng)重點(diǎn)工程和技術(shù)創(chuàng)新能力的建設(shè)，促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入良性循環(huán)。

　　1995年10月，電子部和國(guó)家外專局在北京聯(lián)合召開國(guó)內(nèi)外專家座談會(huì)，獻(xiàn)計(jì)獻(xiàn)策，加速我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。11月，電子部向國(guó)務(wù)院做了專題匯報(bào)，確定實(shí)施九0九工程。

　　1997年7月17日，由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建的上海華虹NEC電子有限公司組建，總投資為12億美元，注冊(cè)資金7億美元，華虹NEC主要承擔(dān)“九0九”工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)。

　　1998年1月，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定，有效期四年，華晶芯片生產(chǎn)線開始承接上華公司來(lái)料加工業(yè)務(wù)。

　　1998年1月18日，“九0八” 主體工程華晶項(xiàng)目通過(guò)對(duì)外合同驗(yàn)收，這條從朗訊科技公司引進(jìn)的0.9微米的生產(chǎn)線已經(jīng)具備了月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力。

　　1998年1月，中國(guó)華大集成電路設(shè)計(jì)中心向國(guó)內(nèi)外用戶推出了熊貓2000系統(tǒng)，這是我國(guó)自主開發(fā)的一套EDA系統(tǒng)，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要，可處理規(guī)模達(dá)百萬(wàn)門級(jí)，支持高層次設(shè)計(jì)。

　　1998年2月，韶光與群立在長(zhǎng)沙簽訂LSI合資項(xiàng)目，投資額達(dá)2.4億元，合資建設(shè)大規(guī)模集成電路（LSI）微封裝，將形成封裝、測(cè)試集成電路5200萬(wàn)塊的生產(chǎn)能力。

　　1998年2月28日，我國(guó)第一條8英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線建成投產(chǎn)，這個(gè)項(xiàng)目是在北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國(guó)家工程研究中心進(jìn)行的。

　　1998年3月16日，北京華虹集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司與日本NEC株式會(huì)社在北京長(zhǎng)城-飯店舉行北京華虹NEC集成電路設(shè)計(jì)公司合資合同簽字儀式，新成立的合資公司其設(shè)計(jì)能力為每年約200個(gè)集成電路品種，并為華虹NEC生產(chǎn)線每年提供8英寸硅片兩萬(wàn)片的加工訂單。

　　1998年4月，集成電路“九0八”工程九個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)中心項(xiàng)目驗(yàn)收授牌，這九個(gè)設(shè)計(jì)中心為信息產(chǎn)業(yè)部電子第十五研究所、信息產(chǎn)業(yè)部電子第五下四研究所、上海集成電路設(shè)計(jì)公司、深圳先科設(shè)計(jì)中心、杭州東方設(shè)計(jì)中心、廣東專用電路設(shè)計(jì)中心、兵器第二一四研究所、北京機(jī)械工業(yè)自動(dòng)化研究所和航天工業(yè)771研究所。這些設(shè)計(jì)中心是與華晶六英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目配套建設(shè)的。

　　1998年6月，上海華虹NEC九0九二期工程啟動(dòng)。

　　1998年6月12日，深港超大規(guī)模集成電路項(xiàng)目一期工程――后工序生產(chǎn)線及設(shè)計(jì)中心在深圳賽意法微電子有限公司正式投產(chǎn)，其集成電路封裝測(cè)試的年生產(chǎn)能力由原設(shè)計(jì)的3.18億塊提高到目前的7.3億塊，并將擴(kuò)展的10億塊的水平。

　　1998年10月，華越集成電路引進(jìn)的日本富士通設(shè)備和技術(shù)的生產(chǎn)線開始驗(yàn)收試制投 片，-該生產(chǎn)線以雙極工藝為主、兼顧Bi-CMOS工藝、2微米技術(shù)水平、年投5英寸硅片15萬(wàn)片、年產(chǎn)各類集成電路芯片1億只能力的前道工序生產(chǎn)線及動(dòng)力配套系統(tǒng)。

　　1998年3月，由西安交通大學(xué)開元集團(tuán)微電子科技有限公司自行設(shè)計(jì)開發(fā)的我國(guó)第一個(gè)-CMOS微型彩色攝像芯片開發(fā)成功，我國(guó)視覺芯片設(shè)計(jì)開發(fā)工作取得的一項(xiàng)可喜的成績(jī)。

　　1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)檔次從計(jì)劃中的0.5微米提升到了0.35微米，主導(dǎo)產(chǎn)品64M同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（S－DRAM）。這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標(biāo)志著我國(guó)從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。

　　◎分立器件發(fā)展階段（１９５６--１９６５）

　　１９５６年中國(guó)提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，國(guó)家制訂了發(fā)展各門尖端科學(xué)的“十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃”，明確了目標(biāo)。根據(jù)國(guó)外發(fā)展電子器件的進(jìn)程，提出了中國(guó)也要研究發(fā)展半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一。從半導(dǎo)體材料開始，自力更生研究半導(dǎo)體器件。為了落實(shí)發(fā)展半導(dǎo)體規(guī)劃，中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉行了半導(dǎo)體器件短期訓(xùn)練班。請(qǐng)回國(guó)的半導(dǎo)體專家內(nèi)昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制技術(shù)和半導(dǎo)體線路。參加短訓(xùn)班的約１００多人。

　　當(dāng)時(shí)國(guó)家決定由五所大學(xué)-北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)半導(dǎo)體物理專來(lái)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。五校中最出名的教授有北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德和吉林大學(xué)的高鼎三。１９５７年就有一批畢業(yè)生，其中有現(xiàn)在成為中國(guó)科學(xué)院院士的王陽(yáng)元（北京大學(xué)）、工程院院士的許居衍（華晶集團(tuán)公司）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺等人。之后，清華大學(xué)等一批工科大學(xué)也先后設(shè)置了半導(dǎo)體專業(yè)。

　　中國(guó)半導(dǎo)體材料從鍺（Ｇｅ）開始。通過(guò)提煉煤灰制備了鍺材料。１９５７年北京電子管廠通過(guò)還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一研究所開發(fā)鍺晶體管。前者由王守武任半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室主任，后者由武爾楨負(fù)責(zé)。１９５７可國(guó)依靠自己的技術(shù)開發(fā)，相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（即晶體管）。 　　為了加強(qiáng)半導(dǎo)體的研究，中國(guó)科學(xué)院于１９６０年在北京建立了半導(dǎo)體研究所，同年在河北省石家莊建立了工業(yè)性專業(yè)研究所-第十三研究所，即現(xiàn)在的河北半導(dǎo)體研究所。到六十年代初，中國(guó)半導(dǎo)體器件開始在工廠生產(chǎn)。此時(shí)，國(guó)內(nèi)搞半導(dǎo)體器件的已有十幾個(gè)廠點(diǎn)。當(dāng)時(shí)北方以北京電子管廠為代表，生產(chǎn)了ＩＩ－６低頻合金管和ＩＩ４０１高頻合金擴(kuò)散管；南方以上海元件五廠為代表。

　　在鍺之后，很快也研究出其他半導(dǎo)體材料。１９５９年天津拉制了硅（Ｓｉ）單晶?！。保梗叮材暧纸又屏松榛墸ǎ牵幔粒螅﹩尉В髞?lái)也研究開發(fā)了其他種化合物半導(dǎo)體。

　　硅器件開始搞的是合金管。１９６２年研究成外延工藝，并開始研究采用照相制版、光刻工藝，河北半導(dǎo)體研究所在１９６３年搞出了硅平面型晶體管，１９６４年搞出了硅外延平面型晶體管。在平面管之前不久，也搞過(guò)錯(cuò)和硅的臺(tái)面擴(kuò)散管，但一旦平面管研制出來(lái)后，絕大部分器件采用平面結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗m合于批量生產(chǎn)。

　　當(dāng)時(shí)接制的單晶棒的直徑很小，也不規(guī)則。一般將硅片切成方片的形狀，如７＊７、　１０＊１０、１５＊１５ｍｍ２。后來(lái)單晶直徑拉大些后，就開始采用不規(guī)則的圓片，但直徑一般在３５－４０ｍｍ之間。

　　在半導(dǎo)體器件批量生產(chǎn)之后，六十年代主要用來(lái)生產(chǎn)晶體管收音機(jī)，電子管收音機(jī)在體積上大為縮小，重量大為減輕。一般老百姓把晶體管收音機(jī)俗稱為“半導(dǎo)體”。它在六十年代成為普通居民所要購(gòu)買的“四大件”之一。（其他三大件為縫紉機(jī)、自行車和手表）另一方面，新品開發(fā)主要研究方向是硅高頻大功率管，目的是要把部隊(duì)所用的采用電子管的“八一”電臺(tái)換裝為采用晶體管的“小八一”電臺(tái)，它曾是河北半導(dǎo)體所和北京電子管廠當(dāng)年的主攻任務(wù)。

　　除了收訊放大管之外，之后也開發(fā)了開關(guān)管。中國(guó)科學(xué)院在半導(dǎo)體所之外建立了一所實(shí)驗(yàn)工廠，取名１０９廠。（后改建為微電子中心）它所生產(chǎn)的開關(guān)管，供中國(guó)科學(xué)院計(jì)算研究所研制成第二代計(jì)算機(jī)。隨后在北京有線電廠等工廠批量生產(chǎn)了ＤＪＳ－１２１型鍺晶體管計(jì)算機(jī)，速度達(dá)到1萬(wàn)次以上。后來(lái)還研制出速度更快的１０８機(jī)，以及速度達(dá)２８萬(wàn)次、容量更大的ＤＪＳ－３２０型中型計(jì)算機(jī)，該機(jī)采用硅開關(guān)管。

　　總之，向科學(xué)進(jìn)軍的號(hào)如下，中國(guó)的知識(shí)分子、技術(shù)人員在外界封鎖的環(huán)境下，在海外回國(guó)的一批半導(dǎo)體學(xué)者帶領(lǐng)下，憑藉知識(shí)和實(shí)驗(yàn)室發(fā)展到實(shí)驗(yàn)性工廠和生產(chǎn)性工廠，開始建立起自己的半導(dǎo)體行業(yè)。這期間蘇聯(lián)曾派過(guò)半導(dǎo)體專家來(lái)指導(dǎo)，但很快因中蘇關(guān)系惡化而撤走了。這一發(fā)展分立器件的階段歷時(shí)十年，與國(guó)外差距為十年。

　　◎ＩＣ初始發(fā)展階段（１９６５－１９８０年）

　　在有了硅平面工藝之后，中國(guó)半導(dǎo)體界也跟隨世界半導(dǎo)體開始研究半導(dǎo)體集成電路，當(dāng)時(shí)稱為固體電路。國(guó)際上是在１９５８年由美國(guó)的得克薩斯儀器公司（ＴＩ）和仙蘭公司各自分別發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路。當(dāng)初研制的是采用ＲＴＬ（電阻一晶體管邏輯）型式的最基本的門電路，將單個(gè)的分立器件：電阻和晶體管，在同一個(gè)硅片上集合而成一個(gè)電路，故稱之為“集成電路”（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ?。茫椋颍悖颍颍椋?，簡(jiǎn)稱ＩＣ）。中國(guó)第一塊半導(dǎo)體集成電路究竟是由哪一個(gè)單位首先研制成功的？這一問(wèn)題有過(guò)爭(zhēng)議。在相差不遠(yuǎn)的時(shí)間里，有中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，河北半導(dǎo)體研究所，它在１９６５年１２月份召開的產(chǎn)品鑒定會(huì)上鑒定了一批半導(dǎo)體管，并在國(guó)內(nèi)首先鑒定了ＤＴＬ型（二極管-晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。這是十室提交鑒定的，當(dāng)時(shí)采用的還不是國(guó)外普遍使用的P-N結(jié)隔離，而是僅在國(guó)外文獻(xiàn)中有所報(bào)導(dǎo)的Ｓｉｏ２介質(zhì)隔離，通過(guò)反外延方法制備基片。 　
　在研究單位之后，工廠在生產(chǎn)平面管的基礎(chǔ)上也開始研制集成電路。北方為北京電子管廠，也采用介質(zhì)隔離研制成ＤＴＬ數(shù)字電路，南方為上海元件五廠，在華東計(jì)算機(jī)所的合作下，研制出采用Ｐ－Ｎ結(jié)隔離的ＴＴＬ型（晶體管-晶體管邏輯）數(shù)字電路，并在１９６６年底，在工廠范圍內(nèi)首家召開了產(chǎn)品鑒定會(huì)鑒定了TTL電路。

　?。模裕毯停裕裕潭际请p極型數(shù)字集成電路，主要是邏輯計(jì)算電路，以基本的與非門為基礎(chǔ)，當(dāng)時(shí)都是小規(guī)模集成電路，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。主要用途是用于電子計(jì)算機(jī)。中國(guó)第一臺(tái)第三代計(jì)算機(jī)是由位于北京的華北計(jì)算技術(shù)研究所研制成功的，采用ＤＴＬ型數(shù)字電路，與非門是由北京電子管廠生產(chǎn)，與非驅(qū)動(dòng)器是由河北半導(dǎo)體研究所生產(chǎn)，展出年代是１９６８年。

　　為了加速發(fā)展半導(dǎo)體集成電路，四機(jī)部（后來(lái)改名為電子工業(yè)部）決定籌建第一個(gè)專門從事半導(dǎo)體集成電路的專業(yè)化工廠，由北京電子管廠抽一部分技術(shù)力量，在１９６８年建立了國(guó)營(yíng)東光電工廠（代號(hào)：８７８廠），當(dāng)時(shí)正處于動(dòng)亂的十年“文革”初期，國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)號(hào)召建設(shè)大三線，四機(jī)部新建工廠，采用“８”字頭的都是在內(nèi)地大三線，唯獨(dú)８７８廠，為了加快建成專業(yè)化集成電路生產(chǎn)廠，破例地建在首都北京。與此同時(shí)，上海儀表局也將上海元件五廠生產(chǎn)ＴＴＬ數(shù)字電路的五車間搬遷到近郊，建設(shè)了上海無(wú)線電十九廠（簡(jiǎn)稱上無(wú)十九廠）。到１９７０年兩廠均已建成投產(chǎn)。從此，七十年代形成了中國(guó)ＩＣ行業(yè)的“兩霸”，南霸上無(wú)十九廠，北霸８７８廠。在國(guó)外實(shí)行對(duì)華封鎖的年代里，集成電路屬于高新技術(shù)產(chǎn)品，是禁止向中國(guó)出口的。因此，在封閉的自力更生、計(jì)劃經(jīng)濟(jì)年代里，這兩廠的ＩＣ一度成為每年召開兩次電子元器件訂貨會(huì)上最走俏的產(chǎn)品。當(dāng)時(shí)一塊Ｊ－Ｋ觸發(fā)器要想馬上拿到手，得要部長(zhǎng)的親筆批條。在中國(guó)實(shí)行改革開放政策之前，ＩＣ在中國(guó)完全是賣方市場(chǎng)。七十年代上半期，一個(gè)工廠的ＩＣ年產(chǎn)量，只有幾十萬(wàn)塊，到七十年代末期，上無(wú)十九廠年產(chǎn)量才實(shí)破５００萬(wàn)塊，位居全國(guó)第一。

　　文化大革命開始后，陳伯達(dá)向***主席提出了“電子中心論”。一時(shí)間采用群眾運(yùn)動(dòng)的方式“全民”大搞半導(dǎo)體．為了打破尖端迷信，報(bào)上宣傳說(shuō)城市里了道老太太在弄堂里拉一臺(tái)擴(kuò)散爐，也能做出半導(dǎo)體．批判８７８廠建廠時(shí)鋪了水磨石地板為“大，洋，全”。這股風(fēng)使工廠里不重視產(chǎn)品質(zhì)量，這曾導(dǎo)致８７８廠為北京大學(xué)電子儀器廠生產(chǎn)ＴＴＬ和　　Ｓ－ＴＴＬ（肖特基二極管鉗位的ＴＴＬ）電路研制百萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)“推倒重來(lái)”。最后質(zhì)量改進(jìn)后的電路才使北大在１９７５年研制成中國(guó)第一臺(tái)真正達(dá)到１００萬(wàn)次運(yùn)算速度的大型電子計(jì)算機(jī)－１５０機(jī)。（在此之前，由上無(wú)十九廠生產(chǎn)的ＴＴＬ電路，供華東計(jì)算所研制出達(dá)到８０多萬(wàn)次速度的大型計(jì)算機(jī)，號(hào)稱“百萬(wàn)次”。）

　　隨后，中國(guó)科學(xué)院１０９廠研制了ＥＣＬ型（發(fā)射極藕合邏輯）電路，提供給中國(guó)科學(xué)院計(jì)算所，在１９７６年１１月研制成功１０００萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)。

　　總之，在中國(guó)ＩＣ初始發(fā)展階段的十五年間，在開發(fā)集成電路方面，盡管國(guó)外實(shí)行對(duì)華封鎖，中國(guó)還是能夠依靠自己的技術(shù)力量，相繼研制并生產(chǎn)了ＤＴＬ、ＴＴＬ、 ＥＣＬ各種類型的雙極型數(shù)字邏輯電路，支持了國(guó)內(nèi)計(jì)算機(jī)行業(yè)，研制成百萬(wàn)次、千萬(wàn)次級(jí)的大型電子計(jì)算機(jī)。但這都是小規(guī)模集成電路。

　　在發(fā)展雙極型電路（Ｂｉｐｏｌａｒ　ＩＣ）之后，不久也開始研究ＭＯＳ（金屬--氧化物一一半導(dǎo)體）電路（ＭＯＳ　ＩＣ）。 １９６８年研究出ＰＭＯＳ電路，這是上海無(wú)線電十四廠首家搞成的。到七十年代初期，永川半導(dǎo)體研究所，即２４所，（它由石家莊１３所十一室搬到四川水川擴(kuò)大而建的）上無(wú)十四廠和北京８７８廠相繼研制成ＮＭＯＳ電路。之后，又研制成ＣＭＯＳ電路。

　　在七十年代初期，由于受國(guó)外ＩＣ迅速發(fā)展和國(guó)內(nèi)“電子中心論”的影響，加上當(dāng)時(shí)ＩＣ的價(jià)格偏高（一塊與非門電路不變價(jià)曾哀達(dá)５００元，利潤(rùn)較大ｆ銷售利潤(rùn)率有的廠高達(dá)４０％以上），而貨源又很緊張，因而造成各地ＩＣ廠點(diǎn)大量涌現(xiàn)，曾經(jīng)形成過(guò)一股“ＩＣ熱”。不少省市自治區(qū)，以及其他一些工業(yè)部門都興建了自己的ＩＣ工廠，造成--哄而起的局面。 在這期間，全國(guó)建設(shè)了四十多家集成電路工廠。四機(jī)部直屬?gòu)S有７４９廠（永紅器材廠）、 ８７１廠（天光集成電路廠）、 ８７８廠（東光電工廠）、 ４４３３廠（風(fēng)光電工廠）和４４３５廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠中有名的有：上海元件五廠、上無(wú)七廠、上無(wú)十四廠、上無(wú)十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京市半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體（一）廠、航天部西安６９１廠等等。

　　集成電路一經(jīng)出現(xiàn)，隨著設(shè)備和工藝的不斷發(fā)展，集成度迅速提高。從小規(guī)模集成　?。ǎ樱樱桑?jīng)過(guò)中規(guī)模集成（ＭＳＬ），很快發(fā)展到大規(guī)模集成（ＬＳＩ），這在美國(guó)用８年時(shí)間。而中國(guó)在初始發(fā)展階段中出僅用７年時(shí)間走完這段路，與國(guó)外差距還不是很大。

　?。保梗罚材曛袊?guó)第一塊ＰＭＯＳ型ＬＳＴ電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功，為了加速發(fā)展ＬＳＩ，中國(guó)接連召開了三次全國(guó)性會(huì)議，第一次１９７４年在北京召開，第二次　　１９７５年在上海召開；第三次１９７７年在大三線貴州省召開。

　　為了提高工藝設(shè)備的技術(shù)水平，并了解國(guó)外ＩＣ發(fā)展的狀況，在１９７３年中日邦交恢復(fù)一周年之際，中國(guó)組織了由１４人參加的電子工業(yè)考察團(tuán)赴日本考察ＩＣ產(chǎn)業(yè)，參觀了日本當(dāng)時(shí)八大ＩＣ公司：日立、ＮＥＣ、東芝、三菱、富士通、三洋、沖電氣和夏普，以及不少設(shè)備制造廠。原先想與ＮＥＣ談成全線引進(jìn)，因政治和資金原因沒有成勻丟失了一次機(jī)迂。后來(lái)改為由七個(gè)單位從國(guó)外購(gòu)買單位臺(tái)設(shè)備，期望建成七條工藝線。最后成線的只有北京８７８廠，航天部陜西驪山７７１所和貴州都勻４４３３廠。

　　這一階段１５年，從研制小規(guī)模到大規(guī)模電路，在技術(shù)上中國(guó)都依靠自己的力量，只是從國(guó)外進(jìn)口了一些水平較低的工藝設(shè)備，與國(guó)外差距逐漸加大。在這期間美國(guó)和日本已先后進(jìn)入ＩＣ規(guī)模生產(chǎn)的階段。