淺談GaN芯片的制備工藝（GaN HEMT工藝為例）

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放大器(221492) 放大器(221492)
振蕩器(142505) 振蕩器(142505)
GaN(79580) GaN(79580)

GaN HEMT器件的結構和工作模式

繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，在消費電子領域，特別是快速充電器產品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應用前景。

2025-09-02 17:18:33

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用于電機控制的GaN技術

基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢。

2022-07-27 14:03:56

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Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業(yè)領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。這兩款全新大功率HEMT

2021-01-09 11:14:21

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同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子

2023-12-27 09:11:36

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GaN HEMT可靠性測試：為什么業(yè)界無法就一種測試標準達成共識

集成電路故障機制的指南。盡管AEC為汽車，國防和航空航天應用提供了指南，但它未能解決正在逐漸轉向GaN功率器件（例如通信基站）的開發(fā)技術。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是場效應晶體管（FET），其

2020-09-23 10:46:20

GaN HEMT在電機設計中有以下優(yōu)點

效率耐高溫，允許使用較小的散熱器高度集成，允許在芯片上集成GaN HEMT（與硅材料不同）較少BOM材料，簡化設計方案，在電機驅動方案中GaN HEMT可以處理各種電流，而不需要IGBT所需的反向二極管

2019-07-16 00:27:49

GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設計

使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優(yōu)的開關能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導體能夠在交流/直流供電

2022-11-07 06:26:02

GaN FET重新定義電源電路設計

FET器件的設計可能是主要由于棘手的柵極驅動電路而具有挑戰(zhàn)性的。除了向GaN功率FET提供正確的柵極驅動電壓之外，電路還必須為過壓驅動或欠壓條件提供保護。3.具有兩個GaN FET的LMG5200

2017-05-03 10:41:53

GaN為硅MOSFET提供的主要優(yōu)點和優(yōu)勢

，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目

2022-11-14 07:01:09

GaN可靠性的測試

都應通過這樣的測試。依我看，JEDEC制定的標準應該涵蓋這類測試。您說呢？” 客戶的質疑是對的。為使GaN被廣泛使用，其可靠性需要在預期應用中得到證明，而不是僅僅通過硅材料配方合格認證（silicon

2018-09-10 14:48:19

GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準備

”就是把手機收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時間做好了準備?！边@個聲明似乎預示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準備，或者說在大量的應用中，已經(jīng)可以使用GaN

2018-09-06 15:31:50

CG2H80015D-GP4 氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）

` 本帖最后由射頻技術于 2021-4-8 09:16 編輯 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括

2021-04-07 14:31:00

CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。氮化鎵與硅或砷化

2020-12-03 11:49:15

Neway第三代GaN系列模塊的生產成本

%。例如，Neway模塊通過磁集成技術減少電感數(shù)量，部分抵消材料成本上升。封裝材料：為適應高頻、高溫環(huán)境，需采用高導熱硅脂、耐高溫塑料等，成本較普通材料高15%-25%。制造工藝成本設備投資：GaN器件制造

2025-12-25 09:12:32

SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT，其內部匹配標準通信頻段，可提供最佳功率和線性度。

SGK5872-20A 類別：GaN 產品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼：I2C 功能：C 波段內部匹配 GaN-HEMT 高輸出功率：P5dB

2025-06-16 16:18:36

SGNE010MK GaN-HEMT

`住友電工的GaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標應用是高電壓的低電流和寬帶應用。高壓操作

2021-03-30 11:37:49

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢？

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢

2021-03-10 08:26:03

T2G6001528-Q3 GaN on SiC HEMT

Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內運行。該器件采用行業(yè)標準

2021-08-04 11:50:58

TGA2573-2-TS功率放大器

TGA2573-2-TS寬帶在Qorvo生產0.25微米SiC工藝制備GaN高功率GaN HEMT放大器。工作從2到18GHz，它達到40 dBm飽和輸出功率，20% PAE，和10分貝小信號增益在漏偏壓為

2018-07-27 11:38:10

TGA2573功率放大器

制備GaN高功率GaN HEMT放大器。工作從2到18 GHz，它達到40 dBm飽和輸出功率，20% PAE，和10分貝小信號增益在漏偏壓為30 V。完全匹配到50歐姆，結合直流阻斷射頻端口

2018-06-19 09:07:36

UMS新型CHA6710-FAB是采用密封金屬陶瓷封裝的GaN 5W X波段功率放大器

效率）可達35%，線性增益可達22.5dB?！　　　HA6710-FAB的電路是基于可靠的0.25μm GaN HEMT工藝的UMS專用基板上設計的?？梢杂糜赬波段雷達和空間Ku波段通信系統(tǒng)等

2020-07-07 08:50:16

《炬豐科技-半導體工藝》GaN 半導體材料與器件手冊

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性

2021-07-08 13:08:32

《炬豐科技-半導體工藝》GaN 基板的表面處理

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關鍵詞： GaN 襯底

2021-07-07 10:26:01

《炬豐科技-半導體工藝》GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應用的蝕刻工藝

`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com

2021-07-08 13:11:24

《炬豐科技-半導體工藝》GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法

2021-07-08 13:09:52

《炬豐科技-半導體工藝》GaN的晶體濕化學蝕刻

。這個蝕刻步驟可以產生光滑的晶體表面，并且可以通過改變第一步驟的方向、化學試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學蝕刻是一個非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能

2021-07-07 10:24:07

《炬豐科技-半導體工藝》n-GaN的電化學和光刻

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：n-GaN的電化學和光刻編號：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要本文利用

2021-10-13 14:43:35

《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵發(fā)展技術

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個

2021-07-06 09:38:20

為什么GaN會在射頻應用中脫穎而出？

鎵(Ga) 是一種化學元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產過程中的副產品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。纖鋅礦晶體結構（如下圖所示）呈六

2019-08-01 07:24:28

什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？

什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？

2021-05-06 07:52:03

什么是氮化鎵（GaN）？

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜

2019-07-31 06:53:03

利用GaN技術實現(xiàn)5G移動通信：為成功奠定堅實基礎

GaN 應用到移動電話首款GaN 應用是針對大功率軍事使用開發(fā)的，例如雷達或反IED 干擾機，然后逐漸擴展至商用基站和有線電視轉播機。這些應用的典型工作電壓范圍為28 至48 V。但是，手持式設備的平均

2017-07-28 19:38:38

圖形藍寶石襯底GaN基發(fā)光二極管的研制

)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm

2010-04-22 11:32:16

在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉換產品組合

就可以將更多的主板裝入給定的機架中，最大限度地提高數(shù)據(jù)中心吞吐量和性能。在圖1所示的典型電信電源系統(tǒng)中，48VDC輸入電壓必須進一步降低到中間母線電壓（在此例中為3.3V），然后用一個或多個降壓

2019-07-29 04:45:02

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設計和損耗分析

目前傳統(tǒng)硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限，即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium

2023-09-18 07:27:50

基于GaN的1.5kW LLC諧振變換器模塊

為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸

2023-06-16 11:01:43

基于GaN的開關器件

在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力

2019-06-21 08:27:30

基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真

大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請?zhí)崆皫椭?，謝謝。以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hello everyone! i am

2018-11-13 10:21:37

如何利用非線性模型幫助GaN PA進行設計？

氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量

2019-07-31 08:13:22

晶體管管芯的工藝流程？

晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答

2019-05-26 21:16:27

求“Motorola MPC755”處理器的制備工藝參數(shù)

有哪位同仁知道Motorola MPC755的詳細制備工藝嗎？是220nm的工藝，5層金屬如果知道的話，可以發(fā)到我的郵箱里mht_84@126.com多謝了啊

2011-02-24 16:11:17

電子器件制備工藝

2012-08-20 22:23:29

直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點

受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型

2020-10-27 06:43:42

表面安裝pcb設計工藝淺談

2012-08-20 20:13:21

適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術

　　本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至

2020-12-21 07:09:34

非線性模型如何幫助進行GaN PA設計？

2018-08-04 14:55:07

高增益50W GaN HEMT功率放大器

Toshiba推出C-BAND SATCOM應用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導體高電子遷移晶體管(HEMT)。 Toshiba 的

2010-06-10 10:47:33

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科銳公司推出兩項新型GaN工藝技術

科銳公司（CREE）宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術相比

2012-07-18 14:30:56

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高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能指南

這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。

2017-06-27 08:54:11

移動無線基礎設施和WiMAX氮化鎵(GaN)工藝技術

ABI研究公司一位研究人員表示，對于那些通過氮化鎵(GaN)工藝技術來開發(fā)并生產設備的廠商來說，無線基礎設施領域所需的RF功率半導體可能并不是他們最好的機會。除了一些軍事應用和微波通信，GaN主要

2017-12-13 16:02:01

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GaN有哪些特點為什么5G通信要使用GaN技術來實現(xiàn)

產品包括SBD、常關型FET、常開型FET、級聯(lián)FET等產品，面向無線充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。

2019-02-03 12:54:00

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5G射頻前端市場蓬勃發(fā)展 GaN的優(yōu)勢異常明顯

和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub－6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內人士認為，GaN技術的運用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。

2019-02-14 10:49:38

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GaN器件技術能實現(xiàn)5G通信，靠的是這些特性

充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。

2020-07-27 10:26:00

GaN HEMT增強型器件技術路線及關鍵科學問題

在實際應用中，為實現(xiàn)失效安全的增強模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結構的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強型GaN HEMT器件。在實際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性

2020-10-09 14:18:50

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納微專家談：氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎？

工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向導通，那到底有還是沒有體二極管？

2021-03-15 09:41:07

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探究Si襯底的功率型GaN基LED制造技術

介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術，提供了

2021-04-21 09:55:20

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淺談GaN基準垂直肖特基功率二極管(SBD)的設計與制備

依托先進的半導體器件仿真設計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊實現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準垂直肖特基功率二極管的設計方案（SFP-SBD：具有側壁場板的GaN基準垂直肖特基功率二極管

2021-07-14 16:46:55

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光伏電池制備工藝-擴散

光伏電池制備工藝-擴散(開關電源技術的節(jié)能意義)-光伏電池制備工藝-擴散? ? ? ? ? ? ? ? ??

2021-09-23 14:11:49

GaN HEMT概述/分類/結構/工作原理

氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。

2022-02-10 15:27:43

30174

新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術——激光減薄技術

而此次他們通過實驗證明，該技術同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄，該技術可顯著降低 GaN 襯底的消耗。

2022-05-12 10:45:55

5781

GaN組件的單片集成提升了功率集成電路?

本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設計具有擴展的功能

2022-07-29 08:56:44

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肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成

Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型（d-mode）高電子遷移率晶體管（HEMT）在基于 p 型氮化鎵（GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發(fā)的 on-SOI 智能功率集成電路（IC）平臺。

2022-07-29 15:34:03

1812

新的GaN技術簡化了驅動基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅動器電路需要仔細設計。首先，通常關閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關閉并將其保持在關閉狀態(tài)，從而避免意外開啟。

2022-07-29 09:27:17

2427

GaN芯片的制備工藝

GaN作為第三代半導體的典范正在被廣泛使用，就連電梯間也能看到快充品牌直接拿GaN做廣告語了。

2022-08-23 10:21:58

5995

高功率GaN HEMT的可靠性設計

2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。

2022-09-19 09:33:21

3472

GaN HEMT基本概述、分類及工作原理

2022-09-27 10:30:17

7365

GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設計？（第一部分，共兩部分）

GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設計？（第一部分，共兩部分）

2022-12-26 10:16:25

2036

GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計

GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計

2023-01-30 14:17:44

1434

用熱反射測溫技術測量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度

第三代半導體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強的自熱效應，在大功率工作條件下會產生較高的結溫。根據(jù)半導體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。

2023-02-13 09:27:52

3312

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結構如圖1所示， AlGaN/GaN異質結采用MOCVD技術在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設定為30%。

2023-02-14 09:31:16

5006

GaN HEMT外延材料表征技術研究進展

研究進展，簡要總結了外延材料表征技術的發(fā)展趨勢，為 GaN HEMT 外延層的材料生長和性能優(yōu)化提供了反饋和指導。

2023-02-20 11:47:22

3015

GaN基準垂直肖特基功率二極管(SBD)的設計與制備

依托先進的半導體器件仿真設計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊實現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準垂直肖特基功率二極管的設計方案（SFP-SBD：具有側壁場板的GaN 基準垂直肖特基功率

2023-02-27 15:50:38

絕緣柵Si基GaN平面器件關鍵工藝

傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下

2023-04-29 16:46:00

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CHK8201-SYA?GAN HEMT微波晶體管UMS

致力于高至4GHz的普遍射頻功率應用領域需求設計。CHK8201-SYA特別適合多功能應用領域，例如空間和電信網(wǎng)絡 CHK8101-SYC在SIC技術上使用的GAN是種表面評估的HEMT工藝技術，根據(jù)

2023-05-09 11:32:02

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GaN HEMT大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)

2023-05-24 09:40:01

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GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設備。

2023-05-25 15:14:06

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GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應，AlGaN/GaN異質結無需進行調制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎上發(fā)展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料

2023-06-14 14:00:55

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量產GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導體制造設備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開發(fā)了一種針對GaN（氮化鎵）晶圓生產而優(yōu)化的工藝。通過該工藝，可以同時提高GaN晶圓片產量，并縮短生產時間。

2023-08-25 09:43:52

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AlGaN/GaN結構的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰(zhàn)之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現(xiàn)常關操作的有用選擇之一。

2023-10-10 16:21:11

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