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　　八大半導(dǎo)體制造工藝包括：晶圓制造→氧化工藝→光刻工藝→蝕刻工藝→沉積和離子注入工藝→金屬化工藝→EDS工藝→封裝工藝。本篇文章主要介紹半導(dǎo)體晶圓制造工藝。

　　半導(dǎo)體集成電路和晶圓有何關(guān)系？

　　半導(dǎo)體集成電路是將許多元件集成到一個(gè)芯片中以處理和存儲(chǔ)各種功能的電子組件。由于半導(dǎo)體集成電路是通過在晶圓的薄基板上制造多個(gè)相同電路而產(chǎn)生的，因此晶圓是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，就像制作披薩時(shí)添加配料之前先做面團(tuán)一樣。晶圓是指將硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等生成的單晶柱切成薄片的圓盤。大部分晶圓都是由沙子中提取的硅制成的。地球上有大量的硅，可以穩(wěn)定供應(yīng)，并且硅具有無毒、環(huán)保的特點(diǎn)。

　　▲ 半導(dǎo)體晶圓制造工藝

　　第一階段

　　制造錠（Ingot）

　　為了將從沙子中提取的硅作為半導(dǎo)體材料使用，首先需要經(jīng)過提高純度的提純工序。將硅原料高溫熔解，制造高純度的硅熔液，并使其結(jié)晶凝固。這樣形成的硅柱叫做錠（Ingot）。用于半導(dǎo)體中的錠采用了數(shù)納米（nm）微細(xì)工藝，是超高純度的硅錠。

　　第二階段

　　錠切割成薄晶圓（Wafer Slicing）

　　為了將圓陀螺模樣的錠制成圓盤狀的晶圓，需要使用金剛石鋸將其切成均勻厚度的薄片。薄片的直徑?jīng)Q定了晶圓的尺寸。晶圓的尺寸有 150mm（6英寸）、200mm（8 英寸）、300mm （12 英寸）等等。晶圓越薄，制造成本越低，直徑越大，一次可生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片數(shù)量就越多，因此晶圓的厚度和大小呈逐漸變薄和擴(kuò)大的趨勢(shì)。

　　第三階段

　　晶圓表面拋光 （Lapping&Polishing）

　　切割后的晶圓需要進(jìn)行加工，以使其像鏡子一樣光滑。這是因?yàn)閯偳懈詈蟮木A表面有瑕疵且粗糙，可能會(huì)影響電路的精密度，因此需要使用拋光液和拋光設(shè)備將晶圓表面研磨光滑。加工前的晶圓就像處于沒有穿衣服的狀態(tài)一樣，所以叫做裸晶圓（Bare wafer）。經(jīng)過物理、化學(xué)多個(gè)階段的加工后，可以在表面形成 IC。經(jīng)過加工階段后，會(huì)成為如下形狀。

　　1.晶圓（Wafer）：晶圓是半導(dǎo)體集成電路的核心材料，是一種圓形的板。

　　2.晶粒（Die）：很多四邊形都聚集在圓形晶圓上。這些四邊形都是集成電子電路的 IC 芯片。

　　3.分割線（Scribe Line）：看上去各個(gè)晶粒像是粘在一起，但實(shí)際上晶粒和晶粒之間具有一定的間隙。該間距稱為分割線。在晶粒和晶粒之間設(shè)置分割線的是為了在晶圓加工完成后將這些晶粒一個(gè)個(gè)割斷，然后組裝成芯片，也是為了留出用金剛石鋸切割的空間。

　　4.平坦區(qū)（Flat Zone）：平坦區(qū)是為區(qū)分晶圓結(jié)構(gòu)而創(chuàng)建的區(qū)域，是晶圓加工的標(biāo)準(zhǔn)線。由于晶圓的晶體結(jié)構(gòu)非常精細(xì)并且無法用肉眼判斷，因此以這個(gè)平坦區(qū)為標(biāo)準(zhǔn)來判斷晶圓的垂直和水平。

　　5.凹槽（Notch）：如今也出現(xiàn)了具有凹槽的晶圓。和平坦區(qū)晶圓相比，凹槽晶圓可以制造更多的晶粒，因此效率很高。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)包括生產(chǎn)晶圓的晶圓產(chǎn)業(yè)以及以晶圓為材料設(shè)計(jì)和制造的晶圓加工產(chǎn)業(yè)——制造行業(yè)（Fabrication，F(xiàn)AB）。另外，還有組裝產(chǎn)業(yè)，它將加工過的晶圓切割成晶粒，并包裝好以防止受潮或受壓。

　　編輯：黃飛