Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。
2013-04-19 09:08:31
2269 （Sapphire）與碳化矽（SiC）基板為主，且重大基本專(zhuān)利掌握在日本、美國(guó)和德國(guó)廠商手中。有鑒于專(zhuān)利與材料種種問(wèn)題，開(kāi)發(fā)矽基氮化鎵（GaN-on-Si）磊晶技術(shù)遂能擺脫關(guān)鍵原料、技術(shù)受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39:192854 今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）基板市場(chǎng)發(fā)展急凍。去年5月底，普瑞光電（Bridgelux）與東芝（Toshiba）風(fēng)光宣布，共同成功開(kāi)發(fā)出基于8吋GaN-on-Si基板技術(shù)的發(fā)光二極體（LED
2013-06-21 09:18:322249 隨著全球節(jié)能環(huán)保意識(shí)抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開(kāi)發(fā)，加上電動(dòng)車(chē)、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效率與低耗能設(shè)計(jì)，使得性能更加優(yōu)異的碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等高規(guī)格功率元件有了用武之地。##進(jìn)一步降低SiC成本。
2014-10-03 15:53:226175 市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole）認(rèn)為，市場(chǎng)規(guī)模方面，2020年GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從（2020年將支配市場(chǎng)的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領(lǐng)域，到UPS（不間斷電源）和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181552 
就在20多年前，Nichia推出了第一款氮化鎵（GaN）發(fā)光二極管（LED）。此舉開(kāi)始廣泛使用具有成本效益的藍(lán)色LED。從那時(shí)起，GaN LED的輸出功率和光頻率都有所增加，這使得可以將這些器件與熒光粉結(jié)合使用作為照明源。
2019-03-13 08:56:005128 
在過(guò)去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:002073 
近年來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對(duì)功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體
2022-08-22 09:44:015287 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電壓下可以降低導(dǎo)通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:2914900 
高性能模擬射頻、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010寬帶功率放大器模塊，擴(kuò)展了硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率放大器產(chǎn)品組合。
2019-01-30 13:50:577339 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114437 
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
柵極電荷，它可以使用高開(kāi)關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個(gè)后進(jìn)者，它是一種擁有類(lèi)似于SiC性能優(yōu)勢(shì)的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
為什么
GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅
技術(shù)而言，
GaN這一材料
技術(shù)，大大提升了效率和
功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性?xún)?yōu)值， 硅
技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，
GaN是高頻器件材料
技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系統(tǒng)的架構(gòu)怎樣去選擇？LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)是怎樣降低電視機(jī)的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
，開(kāi)關(guān)速度可達(dá)硅基的10倍。這一特性使得GaN模塊在高頻應(yīng)用中損耗更低，允許通過(guò)提升開(kāi)關(guān)頻率（如10MHz以上）縮小電感、變壓器等被動(dòng)元件尺寸，從而直接提升功率密度。磁集成與拓?fù)鋬?yōu)化：
Leadway
2025-10-22 09:09:58
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿(mǎn)足客戶(hù)最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
頻率：3 GHzTheta J-C：5.3 C / W最高頻率：4,000 MHz最低頻率：0 MHzNPTB00025B 產(chǎn)品詳情MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si技術(shù)提供商。我們提供
2019-11-01 10:46:19
，Neway車(chē)載級(jí)模塊通過(guò)規(guī)?；a(chǎn)，成本較初期降低40%。供應(yīng)鏈議價(jià)權(quán)：大規(guī)模采購(gòu)GaN外延片、被動(dòng)元件等原材料，可獲得供應(yīng)商價(jià)格折扣，進(jìn)一步壓縮成本。技術(shù)路線(xiàn)選擇硅基 vs. SiC基：Neway若
2025-12-25 09:12:32
描述該參考設(shè)計(jì)為客戶(hù)提供有關(guān)電源設(shè)計(jì)中 GaN 與 SI 使用情況的對(duì)比研究。該特定的設(shè)計(jì)使用 TPS40400 控制器來(lái)驅(qū)動(dòng) CSD87381（對(duì)于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對(duì)常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測(cè)試方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，TI已經(jīng)對(duì)GaN進(jìn)行了超百萬(wàn)小時(shí)的加速測(cè)試，并且建立了一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
，隨后進(jìn)一步將電壓降低到數(shù)字電路所需要的電壓電平?，F(xiàn)在，客戶(hù)可以使用更少的轉(zhuǎn)換器，從而減少功率損耗。 在未來(lái)的幾年內(nèi)，GaN可以在提供更大輸出功率的同時(shí)減小適配器尺寸。隨之而來(lái)的將是易于攜帶，同時(shí)又支持
2018-09-11 14:04:25
，GaN-on-Si 將實(shí)現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)。由于硅是一種導(dǎo)電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)。第一個(gè)具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開(kāi)關(guān)
2018-07-19 16:30:38
功率密度射頻應(yīng)用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直徑可達(dá)6 英寸。GaN-on-Si 合并的熱學(xué)性能則低得多，并且具有較高的射頻損耗，但成本也低很多。這就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24:28
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品
2019-09-11 11:51:15
對(duì)市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素的分析表明，加速WBG設(shè)備實(shí)現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導(dǎo)致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價(jià)WBG晶體管策略的大量研究。提高轉(zhuǎn)換器工作頻率可以減小儲(chǔ)能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
驅(qū)動(dòng)許多技術(shù)進(jìn)步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，GaN 較之現(xiàn)在的技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)。GaN 能夠提供更高的功率密度，具有多種優(yōu)點(diǎn)：· 尺寸減小· 功耗降低· 系統(tǒng)效率提高我們已經(jīng)
2017-07-28 19:38:38
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開(kāi)關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開(kāi)關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
電子組件。由于功率變換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)組件的尺寸過(guò)大，而且能效不高，它們通常安裝在單獨(dú)的機(jī)柜中，并通過(guò)長(zhǎng)距離的布線(xiàn)連接到機(jī)器人手臂。這便降低了工業(yè)機(jī)器人單位立方米的生產(chǎn)效率。利用GaN技術(shù)，可以更簡(jiǎn)單地將驅(qū)動(dòng)
2019-03-01 09:52:45
問(wèn)題：如何通過(guò)驅(qū)動(dòng)高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
可靠性的綜合性方法很重要。如需了解與TI計(jì)劃相關(guān)的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，請(qǐng)參考Sandeep Bahl的白皮書(shū)，一個(gè)限定GaN產(chǎn)品的綜合方法。為了降低成本，功率GaN目前采用的是6英寸硅基板。由于硅和GaN晶格
2019-07-12 12:56:17
盡可能多天線(xiàn)以達(dá)到目標(biāo)容量，而將GaN－on－Si器件技術(shù)與模塊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)相結(jié)合，便能夠設(shè)計(jì)并部署更小、更輕的產(chǎn)品?！憋@然，GaN的使用的確會(huì)帶來(lái)許多優(yōu)勢(shì)，如集成度更高、高功率密度、低功耗及具有
2019-12-20 16:51:12
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此。 如今存在的兩種主要GaN技術(shù)為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優(yōu)勢(shì)在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術(shù)的機(jī)遇和挑戰(zhàn) ④ 針對(duì)寬禁帶電力電子技術(shù)特性的封裝技術(shù) ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對(duì)比（優(yōu)勢(shì)、驅(qū)動(dòng)上的區(qū)別、結(jié)構(gòu)和成本的影響）五、活動(dòng)報(bào)名電話(huà)：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換?！ 〈送?，自動(dòng)駕駛車(chē)輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線(xiàn)充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線(xiàn)跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
的產(chǎn)值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高頻操作的優(yōu)勢(shì)，仍是各大科技廠矚目的焦點(diǎn)。除了高規(guī)格產(chǎn)品使用GaN-on-SiC的技術(shù)外，GaN-on-Si透過(guò)其成本優(yōu)勢(shì)，成為目前GaN功率組件的市場(chǎng)
2019-05-09 06:21:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
方向?yàn)楦叩?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，更小的體積，更低的成本及損耗。特別是材料迭代方面，從硅Si材料逐漸向氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料升級(jí)，使得功率器件體積和性能均有顯著提升。那么什么是第三代半導(dǎo)體GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
MAMG-100227-010C0L 是一款 GaN-on-Si 混合功率放大器 (PA)，工作頻率為 225 至 2600 MHz。它提供 10 W CW 的輸出功率、22 dB 的功率增益
2022-08-22 16:27:29
MACOM 的 MAGX-101214-500 是一款 GaN-on-Si 功率晶體管，適用于脈沖 L 波段雷達(dá)系統(tǒng)，適用于 1.2 至 1.4 GHz 的機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá) (ASR) 應(yīng)用。它在 50
2022-08-30 15:20:26
透過(guò)先進(jìn)的MOCVD技術(shù)降低LED制造成本
隨著LED的主流應(yīng)用從平板電視背光源進(jìn)入到一般照明的市場(chǎng)，高亮度LED的成長(zhǎng)可說(shuō)是一片看好
2010-03-27 09:31:461017 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專(zhuān)利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專(zhuān)利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281907 
利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達(dá)成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。
2012-07-10 15:36:061162 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，共同開(kāi)發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:311384 來(lái)自德國(guó)的AZZURRO成立于2003年，主要是提供新型態(tài)晶圓給功率半導(dǎo)體與LED廠商使用。AZZURRO擁有獨(dú)家專(zhuān)利氮化鎵上矽（GaN-on-Si）的技術(shù)。
2012-10-22 10:54:412252 松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測(cè)試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212767 
21IC訊 恩智浦半導(dǎo)體擴(kuò)展其豐富的GaN和硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Si-LDMOS）蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合，推動(dòng)創(chuàng)新，以緊湊的封裝提供行業(yè)領(lǐng)先的性能，助力下一代5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)發(fā)展。
2018-06-29 10:30:002551 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001901 問(wèn)題限制了LED照明行業(yè)的發(fā)展，散熱問(wèn)題得不到解決，將會(huì)使LED燈的溫度上升，導(dǎo)致其發(fā)光效率降低、使用壽命縮短。本文從燈具及驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)2個(gè)方面提出降低大功率LED燈溫升及溫控的方法和技術(shù)，有效降低和限制了大功率LED燈的溫升。
2020-05-18 08:00:009102 
浙江大學(xué)近期首次報(bào)道了沒(méi)有電流折疊（即沒(méi)有動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過(guò)了目前最先進(jìn)的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:516069 面積大幅減少，并簡(jiǎn)化周邊電路設(shè)計(jì)，達(dá)成減少模塊、系統(tǒng)周邊零組件及冷卻系統(tǒng)體積目標(biāo)，GaN應(yīng)用范圍包括射頻、半導(dǎo)體照明、激光器等領(lǐng)域。 現(xiàn)行GaN功率元件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進(jìn)行制造，其中GaN-on-SiC強(qiáng)調(diào)適合應(yīng)用在高溫、高頻的操作環(huán)境，因此在散熱性能
2018-11-09 11:44:01458 今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線(xiàn)，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。
2018-12-18 16:52:145865 GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類(lèi)產(chǎn)品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長(zhǎng)，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:308210 
本文將概述GaN在硅的開(kāi)發(fā)方面的最新技術(shù)，以及通過(guò)利用大批量，大尺寸，晶圓尺寸的半導(dǎo)體加工技術(shù)，它可以降低生產(chǎn)成本。在英國(guó)，Plessey Semiconductors是首批在Si晶圓上使用GaN
2019-03-13 08:54:004484 自從20年前第一批商用產(chǎn)品問(wèn)世，GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為L(zhǎng)DMOS和GaAs的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時(shí)
2019-05-09 10:25:185447 
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線(xiàn)，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線(xiàn)，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線(xiàn)。
2019-08-01 15:00:038442 
新產(chǎn)品硅氮化鎵（GaN-on-Si）高功率白光LED。 TL1L4-DW0，TL1L4-NT0，TL1L4-NW0和TL1L4-WH0有助于提高發(fā)光效率并降低LED照明的功耗。新型TL1L4系列
2019-08-09 15:21:402699 本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan?；谝唤M在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn)，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專(zhuān)利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
2020-03-01 19:45:153317 科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時(shí)，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進(jìn)現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時(shí)該技術(shù)還可擴(kuò)展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:574183 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311 
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來(lái)，開(kāi)發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降低每片芯片的成本。今年初，這家初創(chuàng)公司宣布了其
2021-03-30 16:37:203721 射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化,硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2020-12-25 16:42:13826 1月5日消息，知名供應(yīng)鏈媒體 Digitimes 昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，Unikorn 開(kāi)始生產(chǎn) 100W 的 GaN-on-Si 芯片，且有望在今年為蘋(píng)果生產(chǎn)相應(yīng)的產(chǎn)品。當(dāng)然，蘋(píng)果的 GaN 充電器大概率是用于 Mac 系列電腦而非手機(jī)，
2021-01-05 10:40:332086 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
四十年來(lái)，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進(jìn)速度已顯著放緩
2022-08-04 11:17:551186 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計(jì)人員越來(lái)越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161672 
微反射器和預(yù)聚焦 LED 制造工藝顯著節(jié)省空間
2022-08-24 18:04:591689 
功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:162258 傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:002558 
付出更大的成本？本文會(huì)以適配器（Adaptor）的應(yīng)用來(lái)做說(shuō)明。圖1目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用種類(lèi)氮化鎵（GaN）是橫向結(jié)構(gòu)的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的閘極電荷（
2022-12-09 14:41:087739 
年復(fù)一年，越來(lái)越多的用戶(hù)通過(guò)無(wú)線(xiàn)方式傳輸越來(lái)越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢(shì)并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動(dòng)通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來(lái)的發(fā)展。5G 可實(shí)現(xiàn) 10Gbit/s 的峰值數(shù)據(jù)速率，而 6G 預(yù)計(jì)從 2030 年起將以 100Gbit/s 的速度運(yùn)行。除了應(yīng)對(duì)更多數(shù)據(jù)和連接之外，研究人員還研究下一代無(wú)線(xiàn)通信如何支持自動(dòng)駕駛和全息存在等新用例。
2023-07-06 10:00:101355 
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。
2023-08-09 16:10:101535 
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開(kāi)發(fā)出650V、900V、以及1200V HEMT產(chǎn)品，推動(dòng)氮化鎵向更高壓、更高功率應(yīng)用領(lǐng)域邁進(jìn)。
2023-11-16 11:56:224043 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:541870 
珠海鎵未來(lái)科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:092856 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 08:30:370 電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15674 
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、Horse、Hofer、Vitesco-本篇為節(jié)選
2025-08-07 06:53:441554 
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢(shì)展現(xiàn)出巨大潛力。然而，Si與GaN材料之間嚴(yán)重的晶格失配導(dǎo)致外延層中存在高密度缺陷
2025-09-26 16:48:581017 
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