據(jù)南韓Newsis引用市調(diào)機構(gòu)TrendForce資料指出，2016年第4季出貨的筆記本電腦（NB）中，SSD的搭載比重將達40%以上。分析指出，第1季搭載SSD的NB比重占整體28~29%，預(yù)估到第4季為止將快速攀升的原因為HDD的價格上揚，及V NAND產(chǎn)品的發(fā)展。

　　SSD是傳輸速度較傳統(tǒng)硬盤（HDD）速度快4倍以上，可耐受外來沖擊的儲存裝置。噪音和發(fā)熱問題較少，擁有優(yōu)勢，但價格較HDD高，且儲存容量較不足。

　　一般稱為3D NAND Flash的技術(shù)，是將芯片以垂直堆棧的方式，在較窄的面積上，實現(xiàn)低功率、電路集成度高的產(chǎn)品。不僅提升傳輸速度和生產(chǎn)效益，耗電量也降低。

　　值得關(guān)注的是，V NAND是三星為了展現(xiàn)自家技術(shù)能力而使用的詞匯，顯示目前產(chǎn)品的發(fā)展由三星主導(dǎo)。報導(dǎo)指出，目前可大量生產(chǎn)3D NAND的企業(yè)僅三星一間。其他半導(dǎo)體競爭企業(yè)約要到2017年上半才能量產(chǎn)。

　　三星個人用SSD 2015年在全球市場上掌握了54%市占率，三星陸續(xù)推出SSD新產(chǎn)品，加速領(lǐng)導(dǎo)市場，5月底三星更推出體積較10元硬幣更小的512GB SSD「BGA NVMe SSD」。一個封包內(nèi)建NAND Flash、DRAM和控制器，體積僅2.5吋HDD的1%。

　　在2013年推出超薄型筆記本電腦專用SSD系列產(chǎn)品后，睽違3年再推出搭載面積縮減至5分之1的產(chǎn)品，展現(xiàn)技術(shù)力。三星表示，該產(chǎn)品可提升新一代PC的設(shè)計彈性。未來全球IT企業(yè)將可設(shè)計并推出更薄、更具設(shè)計感的創(chuàng)新PC。

　　除尖端技術(shù)外，三星的普及型系列產(chǎn)品也持續(xù)調(diào)降價格，致力于推動SSD大眾化。5月底三星追加推出750 EVO系列的500GB容量產(chǎn)品。三星2015年推出125GB和250GB產(chǎn)品，考慮消費者需求，再推出大容量的500GB產(chǎn)品，并降低消費者價格負擔(dān)。

　　新聞幕后：三星稱霸SSD市場　各家大廠醞釀反攻

　　據(jù)南韓情報通信技術(shù)振興中心資料，全球SSD出貨量從2015年約1.1萬顆，將會一路成長到2020年的2.4萬顆，預(yù)計這段期間的年平均成長將會達到16.9%。另一方面，HDD則將從2014年的5.64萬顆，衰退到2019年的4.2萬顆，年平均負成長率約為5.7%。

　　到目前為止，全球SSD市場仍是由三星電子（Samsung Electronics）取得壓倒性的市占率。根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IDC指出，三星擁有3D V-NAND技術(shù)的加持，在2015年SSD市場上，以營收基準來看，市占率為39.7%，而出貨量則是40.0%。

　　為了要追上三星，英特爾（Intel）也開始積極地展開戰(zhàn)略投資。自2016年底開始，將會導(dǎo)入比現(xiàn)有3D V-NAND更快，耐久度更好的3D Xpoint內(nèi)存，并投產(chǎn)以此為基礎(chǔ)的SSD Optane。英特爾預(yù)計自2016年下半開始在大陸大連的內(nèi)存廠投資約55億美元進行生產(chǎn)。

　　另一方面，大陸則間接透過收購新帝（SanDisk）來敲開SSD市場大門。目前全球最大的HDD廠商為威騰（WD），威騰最大股東則是大陸清華紫光集團。在2015年10月，威騰展開了對新帝的收購，并在5月完成最后作業(yè)。

　　在企業(yè)用SSD市場中，威騰和新帝合計市占率約為30%，超過了英特爾（24.6%）以及三星（20.6%）。此外，日本東芝（Toshiba）與SanDisk合作打造3D NAND新產(chǎn)線，大陸廠也紛紛發(fā)表了投資3D NAND部門的計劃。

　　這些積極醞釀反攻的各家廠商們，也開始逐步動搖了三星在SSD市場的霸權(quán)地位。

　　360°：3D V-NAND3D V-NAND是一種利用垂直堆棧技術(shù)的閃存，包括三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）和IBM等科技業(yè)者均開發(fā)3D NAND，預(yù)計2014年時將可商用化。

　　3D V-NAND無須縮小內(nèi)存單元（memory cell），而是利用3D堆棧技術(shù)封裝更多的單元，此技術(shù)有諸多好處，包括在一個較小的實體空間里提升容積率（Capacity／Volume ratio），如此將可降低干擾，編程時間也會縮短，再加上各單元互相鏈接長度縮減，意味著電氣性能大為提升，總耗電量跟著減少。

　　三星在2013年發(fā)布世界首款3D V-NAND（垂直閃存），采用電荷擷取閃存（CTF）架構(gòu)，將電荷暫時儲存在閃存非導(dǎo)電層（Non-conductive Layer）的氮化硅（Silicon Nitride）通道中，改善浮點閘極方案中相鄰單元格互相干擾的弊病。

　　三星目前已開始量產(chǎn)第二代32層V-NAND，耗電量降低20%。此外，IM Flash Technologies（IMFT，英特爾和美光合資企業(yè)）、東芝和海力士（Hynix）等NAND廠商也各自有自己的V-Nand計劃。