半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有高資本密集、高專利壁壘、初期高投入低回報的特點，新玩家難以切入，因此在經(jīng)過長期發(fā)展步入成熟期后，市場逐漸被美日荷等巨頭公司壟斷，這些公司普遍在早期成長階段享受了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)啟蒙紅利，而后續(xù)的技術(shù)護城河在高營收利潤下越來越深。從2012年到2016年，全球半導(dǎo)體設(shè)備TOP5廠商名單基本沒有發(fā)生變化。從各設(shè)備的壟斷情況來看，光刻、PVD、刻蝕（Etch）等核心制造設(shè)備的TOP3市場份額均高于90%，后來者幾乎沒有生存空間；CVD和濕法處理設(shè)備壟斷性相對較低，但TOP 3的市場份額也達到了70%-85%。

?清洗環(huán)節(jié)重要性日益凸顯，單片清洗設(shè)備成為主流

隨著集成電路制程工藝節(jié)點越來越先進，對實際制造的幾個環(huán)節(jié)也提出了新要求，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。清洗的關(guān)鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體對雜質(zhì)含量越來越敏感，而半導(dǎo)體制造中不可避免會引入一些顆粒、有機物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質(zhì)對芯片良率的影響，實際生產(chǎn)中不僅僅需要提高單次的清洗效率，還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進行清洗，清洗步驟約占整體步驟的33%。根據(jù)TMR2015年研究報告，全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場前三名為SCREEN、東京電子和LAM，合計占據(jù)市場87.7%的份額?？紤]到半導(dǎo)體設(shè)備高昂的基礎(chǔ)成本和獨立驗證的困難性，與當?shù)刂圃鞆S商聯(lián)合研發(fā)是目前各大廠商的共同策略。

清洗方案大體上可以分為干法和濕法兩類，區(qū)別就在于是通過化學(xué)試劑清洗還是物理力來清洗。目前硅片清洗中，濕法清洗為主流方案，占整個清洗制程90%以上，如RCA清洗就是過去25年來最具代表性的濕法清洗工藝。但濕法清洗由于使用相對多的化學(xué)試劑，也存在晶片損傷、化學(xué)污染和二次交叉污染等問題，而干法清洗雖然環(huán)境友好、化學(xué)用量少，但清洗控制要求和成本較高，難以大量應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)中。因此實際的半導(dǎo)體產(chǎn)線上通常是以濕法清洗為主，少量特定步驟采用干法清洗相結(jié)合的方式互補所短，構(gòu)建半導(dǎo)體制造的清洗方案。

單晶圓清洗取代批量清洗是先進制程的主流。濕法清洗按照一次清洗的對象數(shù)量分為批量清洗（Batch cleaning）和單晶圓清洗（Single wafer cleaning）。批量清洗指的是在一個處理倉中，利用浸泡等方法同時清洗多只晶圓的方法。這種方法由于交叉污染、清洗均勻可控性和后續(xù)工藝相容性等問題，在45nm工藝周期到來時已經(jīng)無法適應(yīng)新的清洗要求，單晶圓清洗開始逐步取代批量清洗。單晶圓清洗首先能夠在整個制造周期提供更好的工藝控制，即改善了單個晶圓和不同晶圓間的均勻性，這提高了良率；其次更大尺寸的晶圓和更緊縮的制程設(shè)計對于雜質(zhì)更敏感，那么批量清洗中若出現(xiàn)交叉污染的影響會更大，進而危及整批晶圓的良率，這會帶來高成本的芯片返工支出；另外圓片邊緣清洗效果更好，多品種小批量生產(chǎn)的適配性等優(yōu)點也是單晶圓清洗的優(yōu)勢之一。