需要精確匹配外圍電路(用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等)才能運(yùn)行,所以信號(hào)質(zhì)量較差。 有源晶振有4只引腳,里面除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器,信號(hào)質(zhì)量好,比較穩(wěn)定,而且連接方式相對(duì)
2023-11-03 16:22:51
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晶振電路中的電容和電阻是調(diào)整和維持晶振振蕩穩(wěn)定性的關(guān)鍵元件。KOAN凱擎小妹帶大家了解一下晶振電路中電容電阻的一些基本原理和作用。
2024-02-20 16:22:26
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晶振30PF所指得是外掛電容30PF,一般情況下,無源晶振的負(fù)載電容最大選項(xiàng)為20PF。PF是電容單位,卻常出現(xiàn)在無源晶振實(shí)際應(yīng)用中。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">電容大小的選擇可以直接影響到無源晶振的起振時(shí)間、輸出頻率精度及頻率穩(wěn)定性。
2024-10-22 16:51:44
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晶振,就像是一個(gè)需要伙伴才能跳舞的人,而這個(gè)伙伴就是負(fù)載電容。晶振有兩條線,這兩條線會(huì)連接到IC塊(一個(gè)集成電路塊)里面,那里有一些有效的電容。為了讓晶振能夠正常工作,我們需要在晶振的外面再接上一個(gè)電容,這個(gè)電容就是負(fù)載電容。
2024-11-27 14:55:09
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無論是智能手機(jī)、微控制器、電腦,還是工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng),需要時(shí)鐘信號(hào)的電子設(shè)備中都能看到晶振的身影。在電路圖上,晶振旁邊常常配有兩個(gè)電容。這兩個(gè)電容到底起著怎樣的作用呢?
2025-05-29 16:55:32
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請(qǐng)問晶振負(fù)載電容和晶振兩邊的電容有何不同?比如我看到11.0592的晶振兩邊的電容是30pF,請(qǐng)問這個(gè)30pF是怎樣計(jì)算出來的?計(jì)算公式是什么?
2018-10-29 11:29:02
50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí),陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器
2015-01-27 15:28:28
在電路圖的設(shè)計(jì)過程中我們經(jīng)常會(huì)遇到一個(gè)非常常見與實(shí)際的問題,那就是MCU的心臟——晶振,它所匹配的電容該選多大呢?前輩們給我們的經(jīng)驗(yàn)是22pf或者是6.8pf,那為什么選這樣的值呢?讓我們來看
2021-08-12 08:27:58
本文講解的是在晶振電路中如何選擇電容C1C2(1):因?yàn)槊恳环N晶振都有各自的特性,所以最好按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。(2):在許可范圍內(nèi),C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器
2016-07-25 11:13:52
對(duì)電路的影響不大,但會(huì)降低電路的時(shí)鐘振蕩器的穩(wěn)定性. 為了電路的穩(wěn)定性起見,ATMEL公司只是建議在晶振的兩引腳處接入兩個(gè)10pf-50pf的瓷片電容接地來削減偕波對(duì)電路的穩(wěn)定性的影響,所以晶振所配的電容
2012-12-18 17:39:49
,那就是負(fù)載電容值,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率. 一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振,再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端,每個(gè)
2012-12-18 17:38:43
,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振,再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端,每個(gè)電容的另一端再接
2016-11-09 12:07:01
各位好,dds的芯片晶振選擇十分重要,而且常常要倍頻,比如一個(gè)300M的DDS,我們是該選擇30M晶振10倍頻還是50M晶振6倍頻,選擇哪個(gè)會(huì)產(chǎn)生更好的頻譜效果?為什么?
2018-10-08 10:55:00
所需要外接的電容,也是使晶振兩端的等效電容(電路之間的分布電容)等于負(fù)載電容,負(fù)載就是晶振起振的電容,這時(shí)候電容的作用就很明顯了,充電,晶振起振。負(fù)載電容很重要,決定著晶振是否可以在產(chǎn)品中正常起振工作
2017-04-13 11:59:05
振并處于合理的激勵(lì)態(tài)下,對(duì)頻率也有一定的“微調(diào)”作用。對(duì)MCU,正確選擇晶振的匹配電容,關(guān)鍵是微調(diào)晶體的激勵(lì)狀態(tài),避免過激勵(lì)或欠激勵(lì),前者使晶體容易老化影響使用壽命并導(dǎo)致振蕩電路EMC特性變劣,而后
2012-06-10 19:56:26
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 13:28 編輯
晶振與配置電容的關(guān)系是什么?如何選擇相應(yīng)的配置電容?求高手大牛解答
2012-11-30 17:25:33
的影響是晶振需要攻克的難題之一。對(duì)于老化問題,首先必須從晶體制作角度著手,為推遲晶體老化時(shí)間,封裝時(shí)應(yīng)檢查好氣密性;其次用戶在選擇晶振時(shí)要把老化部分考慮進(jìn)去,這樣就可以減少晶體對(duì)電路的影響。 電子產(chǎn)品輕薄
2017-06-29 14:26:49
晶體相對(duì)于晶振而言其缺陷是信號(hào)質(zhì)量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低
2010-01-20 21:46:05
晶體相對(duì)于晶振而言其缺陷是信號(hào)質(zhì)量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低
2010-01-20 21:48:08
`晶振有很多參數(shù),其中包括電容和電阻。這些參數(shù)究竟是什么,對(duì)晶振來說又有什么作用?晶振的負(fù)載電容,負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容
2017-06-30 14:32:46
哪位大俠知道晶振和電容的配置關(guān)系啊,比如13M的晶振要怎么配電容???
2019-05-27 05:55:14
了?! ≈v的通俗易懂一點(diǎn),用一個(gè)曾經(jīng)聽過的笑話來比喻,大概意思就是本飛機(jī)被我劫持了,其他劫持者等下次吧。這個(gè)電容就是本次劫機(jī)者。 晶振電路其實(shí)是個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩電路,輸出是正玄波晶體等效于電感,加兩個(gè)槽路
2018-10-23 16:14:02
的頻率范圍很窄,所以即使其他元件的參數(shù)變化很大,這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù),那就是負(fù)載電容值,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路
2014-12-25 15:12:28
如果晶振的外接電容值選擇不當(dāng),可能會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生以下影響 :
1.頻率穩(wěn)定性: 電容值過小可能導(dǎo)致頻率穩(wěn)定性下降,容易受到外界因素的干擾。電容值過大可能會(huì)使頻率偏離標(biāo)稱值。
2.起振問題: 電容值
2024-03-04 11:33:16
很大的變化.晶振有一個(gè)重要的參數(shù),那就是負(fù)載電容值,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率. 一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振,再有
2016-08-12 20:34:53
石英諧振器簡(jiǎn)稱晶振。如果用人體來類比電路的話,晶振就是“心臟”,晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘就是“脈搏”。晶振的分類按晶振的功能和實(shí)現(xiàn)技術(shù)可分為:TCXO、VCXO、OCXO;晶振選擇五要素輸出頻率、頻率穩(wěn)定性
2022-02-11 08:02:03
晶振的老搭檔負(fù)載電容分為C1和C2兩個(gè)貼片電容,負(fù)載電容的作用就是消減其他雜波所帶來的干擾,從而提高電路的穩(wěn)定性。大家在選擇負(fù)載電容時(shí),可以按照電容的具體大小計(jì)算公式是(C1*C2)/(C1+C2
2020-03-13 01:11:27
方式:晶體的切割方式也會(huì)影響其振動(dòng)頻率。不同切割方向的晶體,其振動(dòng)模式和振動(dòng)頻率都會(huì)有所不同。因此,在設(shè)計(jì)晶振時(shí),需要根據(jù)所需的頻率選擇合適的切割方式。
3. 晶體的尺寸:晶體的尺寸(如厚度、長(zhǎng)度
2024-04-26 15:40:13
振蕩器的設(shè)計(jì)和應(yīng)用都有其特定的要求,選擇合適的驅(qū)動(dòng)方式取決于所需的頻率穩(wěn)定性、功耗、尺寸、成本和應(yīng)用場(chǎng)合。在設(shè)計(jì)和應(yīng)用時(shí),還需考慮晶振的負(fù)載、電源電壓、溫度范圍等因素,以確保振蕩器的性能滿足系統(tǒng)需求
2024-05-20 16:36:52
晶振負(fù)載電容外匹配電容計(jì)算與晶振振蕩電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)總結(jié) (sohu.com)前面對(duì)于晶振的匹配電容選取一直模棱兩可,選一個(gè)1.5倍負(fù)載電容的電容上去芯片也能用,后面覺得這樣對(duì)自己和對(duì)項(xiàng)目都不
2022-02-25 06:02:54
個(gè)“負(fù)載電容”的條件,在工作時(shí)滿足這個(gè)條件,振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致。一般來講,有低負(fù)載電容(串聯(lián)諧振晶體)?! 「哓?fù)載電容(并聯(lián)諧振晶體)之分。在電路上的特征為:晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上
2013-11-28 14:44:26
:晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd Cg)] Cic △C式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,Cic(集成電路內(nèi)部電容) △C(PCB上電容)一般為3至5pf. 所以我們?cè)诓少?gòu)
2016-05-18 20:38:27
影響晶振的振蕩幅度,進(jìn)而影響電路的性能。
總之,合理設(shè)置晶振電路中的電阻和電容,可以有效預(yù)防晶振過驅(qū)現(xiàn)象,確保電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。在實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)根據(jù)晶振的特性及電路需求,選擇合適的電阻和電容值。
2024-08-29 16:22:31
大家好!~現(xiàn)在ST的MCU大家應(yīng)該都有在用吧。我現(xiàn)在遇到一個(gè)疑問,就是我使用的MCU是STM8S207,我現(xiàn)在買的晶振是隨便買的一款16M的貼片的晶振,我也看了下官網(wǎng)的MCU的規(guī)格書,里面沒有推薦使用的晶振型號(hào)。我就想問下大家都使用什么品牌的晶振呢?還有其外接電容的選擇?多謝多謝!~
2017-09-26 15:06:56
溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO),是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器. 傳統(tǒng)的 TCXO 是采用模擬器件進(jìn)行補(bǔ)償,隨著補(bǔ)償技術(shù)的發(fā)展,很多
2016-09-06 11:32:51
從事電子這一行的人或多或少都知道一般的單片機(jī)晶振旁邊會(huì)有2個(gè)起振電容,那么,它們起到什么作用?為什么晶振電路中要使用起振電容?接下來松季電子解答如下?! ≈挥性谕獠克?b class="flag-6" style="color: red">電容為匹配電容的情況下
2013-12-04 16:04:54
我嘗試在 STMCUBEMX 中為 RTC 啟用外部晶振,但我無法在 STMCUBEMX 中選擇外部晶振。請(qǐng)任何人幫助我解決這個(gè)問題。
2023-01-16 08:41:56
不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù),那就是負(fù)載電容值,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率?! ∫话愕?b class="flag-6" style="color: red">晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振
2012-12-10 14:02:58
振蕩電路,由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄,所以即使其他元件的參數(shù)變化很大,這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。 晶振有一個(gè)重要的參數(shù),那就是負(fù)載電容,一般的晶振的負(fù)載電容為10PF或20pF.選擇與負(fù)載
2017-06-23 14:26:15
關(guān)于時(shí)鐘電路:使用atmega16a,時(shí)鐘選擇8MHz,還是16MHz,電容還是選用22pF嗎?晶振是選用有源還是無源?封裝如何選擇?
2016-09-24 16:30:41
電路該電路不只是有一個(gè)晶振,還有兩個(gè)電容,這兩個(gè)電容有什么作用呢?這兩個(gè)電容一般稱為“匹配電容”或者“負(fù)載電容”、“諧振電容”。晶振電路中加這兩個(gè)電容是為了滿足諧振條件。一般外接電容,是為了使晶振兩端
2022-12-03 08:00:00
如何正確選擇晶振?
2021-06-08 06:34:35
500lmz的晶振。(4)選擇負(fù)載電容。應(yīng)用晶振選準(zhǔn)了諧振頻率后,還要特別注意晶振的負(fù)載電容屬性,辨明它是低負(fù)載電容型還是高負(fù)載電容型。只有諧振頻率、負(fù)載電容兩項(xiàng)參數(shù)同時(shí)滿足實(shí)際電路的需求,才算選擇正確
2016-11-22 14:35:15
。晶體振蕩器(晶振)是電子設(shè)備中常用的頻率源,其性能的穩(wěn)定性很大程度上取決于外接負(fù)載電容的選擇。然而,直接使用晶振規(guī)格書上的負(fù)載電容CL值并不是一個(gè)準(zhǔn)確的做法。以下是如何正確計(jì)算并使用晶振外接負(fù)載電容
2024-08-09 15:40:20
單片機(jī)的外部晶振電路是怎么回事,如何計(jì)算所選電容的大小。如何計(jì)算晶振的大???
2013-09-02 14:53:53
晶振旁外接電容的選擇現(xiàn)階段的淺顯認(rèn)識(shí),參考了很多別人的文章。以后如果有新的認(rèn)識(shí)后會(huì)繼續(xù)補(bǔ)充。 負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。換句話說,晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的,能最大
2021-11-24 07:17:25
的穩(wěn)定,過濾掉不需要的信號(hào)成分,從而確保電子設(shè)備的正常運(yùn)行。
旁路電容和去耦電容在晶振電路中的應(yīng)用,是確保電路穩(wěn)定性和信號(hào)純凈度的關(guān)鍵。通過合理選擇和布局這兩種電容,可以有效地提高晶振電路的性能,為電子設(shè)備的可靠運(yùn)行提供保障。在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)充分考慮這兩種電容的作用,以實(shí)現(xiàn)最佳的設(shè)計(jì)效果。
2024-08-12 16:00:43
連接方式要簡(jiǎn)單(主要是做好電源濾波,通常使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò),輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過濾信號(hào)即可),不需要復(fù)雜的配置電路。相對(duì)于無源晶體,有源晶振的缺點(diǎn)就是信號(hào)電平是固定的,需要
2012-10-07 14:35:40
一般來說,無源晶振指所有諧振器系列,成本低,內(nèi)部沒有獨(dú)立的起振電路,需要外部電路配合,并精準(zhǔn)匹配外部電容才能輸出電信號(hào)。有源晶振指所有振蕩器系列,成本較高,但輸出信號(hào)質(zhì)量好,穩(wěn)定度高,不受外部電路
2020-08-26 12:23:10
在51單片機(jī)系統(tǒng)中,有兩個(gè)引腳是專為晶振設(shè)計(jì)的,兩個(gè)引腳之間接晶振,晶振兩個(gè)引腳在通過電容接到地,這應(yīng)該是最簡(jiǎn)單的無源晶振電路,這兩個(gè)電容在電路中的原理是什么,電容的容量和晶體震蕩那個(gè)頻率有關(guān)
2024-05-09 09:56:00
較低且設(shè)計(jì)靈活,但其穩(wěn)定性受外部電路和電容匹配的影響較大,因此在高穩(wěn)定性要求的應(yīng)用中可能不是最佳選擇。
電子工程師在設(shè)計(jì)和選擇晶振時(shí),應(yīng)充分考慮應(yīng)用場(chǎng)合的具體需求,優(yōu)先考慮有源晶振以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性
2024-10-14 16:54:43
振是一個(gè)完整的振蕩器,只需要外加適當(dāng)電源就能正常工作,無需其他外加1.晶體變晶振采用晶體外加無緩沖反相器等元件組成晶振電路,原理及元件如圖2.圖2無緩沖反相器和晶體組成的晶振電路電路中電阻和電容的選擇
2015-01-30 11:06:01
認(rèn)識(shí)一下,晶振產(chǎn)品的選擇性。無源晶振:無源晶體需要用DSP芯片內(nèi)的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法。它沒有電壓,信號(hào)電平是可變的,也就是說是根據(jù)起振電路來決定的,同樣的晶體可以適用于多種
2014-12-26 15:59:06
振 用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò),輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過濾信號(hào)即可),不需要復(fù)雜的配置電路。 有源晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò),電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有
2018-07-13 07:26:59
最小電路的晶振部分,用不用電容?電容大小怎么確定?求解答!!謝謝~~
2013-02-21 12:12:35
在電子設(shè)備中,晶振(石英晶體振蕩器)扮演著至關(guān)重要的角色,它為電路提供了穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。晶振的性能參數(shù)對(duì)其輸出信號(hào)的穩(wěn)定性和精度有著直接的影響。在這些參數(shù)中,靜電容C0是一個(gè)非常重要的指標(biāo),它對(duì)晶振
2024-06-05 14:18:45
晶振的選擇.pdf
2006-04-04 23:35:52
201 晶振電路晶振知識(shí)晶振是為電路提供頻率基準(zhǔn)的元器件,通常分成有源晶振和無源晶振兩個(gè)大類,無源晶振需要芯片內(nèi)部有振蕩器,并且晶振的信號(hào)
2008-10-08 16:30:40
31143 晶振的選擇
2017-01-28 21:32:49
0 電容是我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">電路中經(jīng)常用到的無源器件,經(jīng)常見到的幾種有鋁電解電容,鉭電容,貼片陶瓷電容。由于每種電容的特性決定了相應(yīng)的使用場(chǎng)合不同。下面我們來比較一下幾種電容的區(qū)別和特點(diǎn),總結(jié)一下在實(shí)際電路中應(yīng)該怎樣選擇電容。
2017-05-27 16:26:49
9086 晶振的標(biāo)稱值在測(cè)試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件,在工作時(shí)滿足這個(gè)條件,振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致,也就是說,只有連接合適的電容才能滿足晶振的起振要求,晶振才能正常工作。
2018-03-09 11:22:05
14337 本文首先介紹了晶振電容選擇的幾大標(biāo)準(zhǔn),其次介紹了晶振電路中如何選擇電容C1C2,最后闡述了選擇晶振電容的注意事項(xiàng)及如何判斷電路中晶振是否被過分驅(qū)動(dòng)的方法。
2018-04-18 14:45:22
10680 本文主要介紹了晶振電路的電容的作用。晶振的負(fù)載電容是一個(gè)晶振的一個(gè)重要參數(shù)。負(fù)載就是晶振起振的電容,這個(gè)負(fù)載電容決定著晶振是否可以在產(chǎn)品中正常起作用,如果晶振的負(fù)載不能明確,電容不匹配,起振不了
2019-09-14 09:41:00
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在使用外部晶振作為芯片的系鐘時(shí),晶振需要串聯(lián)兩個(gè)負(fù)載小容。另小瞧這兩個(gè)小電容哦,沒有它們,晶振就沒法工作了。
2020-01-30 14:57:00
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晶振有無源晶振以及有源晶振,我們平時(shí)看到在電路板上面由電容、電阻等元器件來助起振的晶振其實(shí)就是無源晶振,它需要外部元器件輔助。
2020-03-29 21:50:00
12288 晶振的使用屢見不鮮,往期文章中,小編對(duì)晶振也有所介紹,如晶振電路、石英晶振的講解。本文中,小編將介紹在晶振電路中如何選擇C1C2電容。如果你對(duì)本文內(nèi)容具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-07-04 10:18:26
17152 晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶振要正常震蕩所需要的電容。
2021-01-16 12:07:31
10363 在使用外部晶振作為芯片的系鐘時(shí),晶振需要串聯(lián)兩個(gè)負(fù)載小容。另小瞧這兩個(gè)小電容哦,沒有它們,晶振就沒法工作了。
2020-11-03 16:27:56
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晶振旁外接電容的選擇現(xiàn)階段的淺顯認(rèn)識(shí),參考了很多別人的文章。以后如果有新的認(rèn)識(shí)后會(huì)繼續(xù)補(bǔ)充。 負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。換句話說,晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的,能最大
2021-11-16 16:36:03
3 石英諧振器簡(jiǎn)稱晶振。如果用人體來類比電路的話,晶振就是“心臟”,晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘就是“脈搏”。晶振的分類按晶振的功能和實(shí)現(xiàn)技術(shù)可分為:TCXO、VCXO、OCXO;晶振選擇五要素輸出頻率、頻率穩(wěn)定性
2021-12-07 17:21:09
57 晶振分為有源晶振(Oscillator)和無源晶振(Crystal),無源晶振有一個(gè)參數(shù)叫做負(fù)載電容(Load capacitance),負(fù)載電容是指在電路中跨接晶振兩端的總的外界有效電容。負(fù)載電容
2022-01-12 11:35:52
29 單片機(jī)晶振電路中的電容叫負(fù)載電容,也可以說是起振電容,一般晶振電路中都有這兩個(gè)小電容的。
2022-02-02 09:01:59
17377 負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同。
2022-02-09 09:41:20
21 為了滿足諧振條件讓晶振起振正常工作,無源晶振電路還需要兩個(gè)電容。其電路設(shè)計(jì)可以參考皮爾斯振蕩器電路。
2023-03-08 14:25:00
4189 晶振電路兩端的電容為什么一樣嗎?選擇這兩個(gè)電容,有什么標(biāo)準(zhǔn)呢?
2023-05-06 16:15:09
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振蕩電路中的負(fù)載電容是保證石英晶體精度的最重要的數(shù)值之一。同時(shí)它也是振蕩電路設(shè)計(jì)過程中最常見的錯(cuò)誤原因之一。因此,為電路選擇合適的晶振負(fù)載電容十分關(guān)鍵!大多數(shù)石英晶體用于皮爾斯振蕩電路(圖1)。因此
2022-08-16 09:25:13
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晶體振蕩器是許多電子設(shè)備的重要組成部分,它們將設(shè)備的電氣信號(hào)轉(zhuǎn)換為精確的時(shí)間和頻率。在實(shí)際應(yīng)用中,我們經(jīng)常會(huì)遇到有源晶振和無源晶振兩種類型。雖然它們?cè)谕庥^上可能相似,但它們的工作方式和用途卻大不相同。本文將詳細(xì)介紹如何區(qū)分有源晶振和無源晶振,幫助您在實(shí)際工作中選擇適合的產(chǎn)品。
2023-09-13 17:38:49
2693 另外,為了電路的穩(wěn)定性起見,建議在晶振的兩引腳處接入兩個(gè)瓷片電容接地來削減諧波對(duì)電路的穩(wěn)定性的影響,所以晶振必須配有起振電容,但電容的具體大小沒有什么普遍意義上的計(jì)算公式,不同芯片的要求不同。
2023-10-10 17:06:22
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晶振的選擇
2022-12-30 09:21:45
2 晶振的選擇
2023-03-01 15:37:52
0 為什么在晶振電路中要使用起振電容? 晶振電路是一種常用于產(chǎn)生穩(wěn)定頻率信號(hào)的電路,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在晶振電路中,起振電容是一個(gè)重要的元器件,起振電容能夠?qū)w振蕩器進(jìn)行頻率控制和穩(wěn)定。下面將
2023-11-17 11:27:48
2962 晶振有什么作用,如何選擇合適的晶振,為什么有時(shí)候用內(nèi)部晶振?
2023-11-27 15:31:56
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引起晶體的振蕩。在晶振的設(shè)計(jì)和制造過程中,負(fù)載電容的選擇和測(cè)試是至關(guān)重要的,因?yàn)樨?fù)載電容直接影響晶振的頻率穩(wěn)定性和性能。 晶振負(fù)載電容的選擇原則是根據(jù)晶振的額定電容值和工作條件來確定的。一般來說,晶振的額定
2023-12-18 14:09:32
1909 如何根據(jù)負(fù)載電容和溫度特性選擇合適的晶振? 選擇合適的晶振對(duì)于電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要,特別是對(duì)于要求高穩(wěn)定性和精確頻率的應(yīng)用。在選擇晶振時(shí),我們需要考慮負(fù)載電容和溫度特性等因素。下面將詳細(xì)介紹如何根據(jù)這些
2023-12-18 14:16:30
1004 頻率:根據(jù)應(yīng)用需要選擇合適的頻率,通常晶振的頻率會(huì)在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)波動(dòng),因此需要選擇一個(gè)頻率范圍內(nèi)適用的晶振。
2023-12-27 18:14:23
1362 啟動(dòng)電容的作用 晶振的工作原理 啟動(dòng)電容對(duì)晶振輸出頻率的影響? 啟動(dòng)電容的作用: 啟動(dòng)電容是在電路中起到啟動(dòng)作用的一種電容。在一些需要產(chǎn)生一定頻率的電路中,如晶振電路、多諧振蕩器電路等,啟動(dòng)電容起到
2024-01-23 16:42:54
1717 晶振靜電容C0過大,會(huì)怎么樣? 晶振靜電容(也稱為震蕩電容或補(bǔ)償電容)是在電子設(shè)備中用來控制晶體振蕩器頻率的一個(gè)重要元件。它起到穩(wěn)定和調(diào)整晶振頻率的作用。晶振靜電容的選擇和設(shè)計(jì)對(duì)設(shè)備的性能和可靠性
2024-01-25 14:34:21
2007 晶振電路中如何選擇電容? 晶振電路中的電容選擇一直是一個(gè)比較重要的問題。晶振電路是由晶體振蕩器和負(fù)載電容組成的,晶體振蕩器通過晶體的振蕩來產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),而負(fù)載電容則用于調(diào)整電路的振蕩頻率
2024-01-31 09:28:48
2554 濾波電路時(shí),選擇適當(dāng)?shù)臑V波電容是非常重要的。本文將從電容的基本概念、濾波原理、濾波電容的選擇原則和實(shí)際應(yīng)用等方面來詳細(xì)介紹電容濾波電路中選擇濾波電容的原則。 電容的基本概念 首先,我們來了解一下電容的基本概
2024-03-01 16:02:14
2771 我們要明確負(fù)載電容的概念。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,它在電路中起到了關(guān)鍵的作用。然而,在討論有源晶振是否需要負(fù)載電容時(shí),我們需要注意到,有源晶振與無源晶振在
2024-05-18 08:34:30
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01·晶體的負(fù)載電容和頻率的誤差·由上圖可以看出,石英晶體的負(fù)載電容和諧振頻率之間的關(guān)系不是線性的負(fù)載電容變小時(shí),頻率偏差量增加;負(fù)載電容變大時(shí),頻率偏差量減小。因此,如果在晶振選型時(shí)選擇的為較小
2025-04-24 12:17:33
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匹配晶振的負(fù)載電容需要考慮多個(gè)因素,從明確原理出發(fā),通過計(jì)算、調(diào)整等步驟達(dá)成。 一、理解負(fù)載電容的概念 負(fù)載電容(CL)是指在電路中跨接晶體兩端的總的有效電容,它會(huì)影響晶振的諧振頻率和輸出幅度。在晶
2025-06-21 11:42:00
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32.768kHz晶振電容匹配指南選擇32.768kHz晶振的電容大小是一個(gè)關(guān)鍵的考慮因素,它直接影響到晶振的穩(wěn)定性和性能。在選擇電容時(shí),我們需要充分考慮晶振的電氣參數(shù)、電路板的設(shè)計(jì)以及雜散電容
2025-07-03 18:07:41
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負(fù)載電容,到底是什么? 負(fù)載電容,簡(jiǎn)單來說,是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,我們可以將其看作晶振片在電路中串接的電容。從更專業(yè)的角度講,它是為了使晶振能夠在其標(biāo)稱頻率下穩(wěn)定
2025-07-25 16:26:24
876 在電子電路中,晶振是最常見的時(shí)鐘源之一。為了使晶振正常起振并穩(wěn)定運(yùn)行,必須根據(jù)其負(fù)載電容(Load Capacitance, 簡(jiǎn)稱 CL)合理設(shè)計(jì)電路中的外掛負(fù)載電容。不恰當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">電容匹配會(huì)導(dǎo)致晶振起振困難、頻率偏差增大,甚至系統(tǒng)不穩(wěn)定。
2025-09-05 14:41:45
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什么是晶振的雜散電容?晶振的雜散電容,也叫做寄生電容,是指電路中非人為設(shè)計(jì)、由物理結(jié)構(gòu)自然產(chǎn)生的、有害的隱藏電容。它為什么重要?(影響)雜散電容之所以關(guān)鍵,是因?yàn)樗鼤?huì)直接影響晶振的振蕩頻率精度。核心
2025-11-13 18:13:41
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評(píng)論