最近幾年，電子產(chǎn)品的價(jià)格走勢(shì)不斷降低，大家也覺得日后的電子產(chǎn)品會(huì)越來越便宜，但事實(shí)是從去年開始，手機(jī)、電腦、家電等產(chǎn)品價(jià)格一直在持續(xù)漲價(jià)，而這其中的主要原因就是內(nèi)存和閃存芯片漲價(jià)。

　　之前宏旺半導(dǎo)體說過，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要分為DRAM、NANDFlash和NORFlash三大類。其中DRAM就是我們熟知的內(nèi)存，用在電腦和手機(jī)、平板，全球市場(chǎng)規(guī)模約420億美元，目前被韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光三家壟斷，占據(jù)90%以上的份額。

　　什么是DRAM？從技術(shù)層面來說，DRAM（DynamicRAM）即動(dòng)態(tài)RAM，是RAM家族中最大的成員，通常所講的RAM即指DRAM.DRAM由晶體管和小容f電容存儲(chǔ)單元組成。每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一小的蝕刻晶體管，這個(gè)晶體管通過小電容的電荷保持存儲(chǔ)狀態(tài)，即開和關(guān)。電容類似于小充電電池。它可以用電壓充電以代表1，放電后代表0，但是被充電的電容會(huì)因放電而丟掉電荷，所以它們必須由一新電荷持續(xù)地“刷新氣。

　　下圖所示的是標(biāo)準(zhǔn)的DRAM結(jié)構(gòu)的框架圖，和SRAM不同的是，標(biāo)準(zhǔn)DRAM的地址線分成兩組以減少輸入地址引腳的數(shù)量，提高封裝的效率。雖然在標(biāo)準(zhǔn)的DRAM結(jié)構(gòu)中，輸入地址引腳的數(shù)量可以通過安排多元的地址方式來減少，但是這樣的話，標(biāo)準(zhǔn)DRAM存儲(chǔ)單元的時(shí)鐘控制就會(huì)變得更加復(fù)雜，同時(shí)運(yùn)行速度會(huì)受到影響。為了滿足對(duì)于高速DRAM應(yīng)用的需求，一般都用分開的地址輸入引腳來減少時(shí)鐘控制的復(fù)雜性和提高運(yùn)行速度。

　　由于國(guó)際壟斷，如今，國(guó)家也意識(shí)到DRAM和閃存芯片玩的就是資金，所以投入了巨資進(jìn)入存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)。越來越多的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌開始崛起，為存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)力。以宏旺半導(dǎo)體為例，總部和研發(fā)實(shí)驗(yàn)室位于深圳，IC設(shè)計(jì)中心、封測(cè)中心位于臺(tái)灣，物流倉庫中心位于香港，并且有著完善的研發(fā)中心和產(chǎn)品矩陣。

　　DDR作為應(yīng)用最廣泛的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，被應(yīng)用于路由器、光貓等設(shè)備中，DDR允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。以宏旺半導(dǎo)體推出的高品質(zhì)DDR4為例，容量為256Mb*16/512Mb*16/1Gb*16，封裝尺寸為BGA96Ball8*14mm/7.5*13.5mm/9*14mm，工作溫度0°C~85°C，并具有2666Mbps的工作頻率，能夠以出色的速度傳輸數(shù)據(jù)，可以快速、輕松地處理大量工作負(fù)載。

　　此外，宏旺半導(dǎo)體的存儲(chǔ)產(chǎn)品還包括MCP/DFLASH/SSD/內(nèi)存條/TF卡等，每一款產(chǎn)品均經(jīng)過嚴(yán)苛的高低溫老化磨損、擦寫壽命、全套可靠性等品質(zhì)測(cè)試。憑借高兼容性、高集成、大容量等特點(diǎn)，目前已在全球范圍為創(chuàng)維、中興、TCL等多家客戶服務(wù)。

　　相比于國(guó)外廠家，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片有著較為完善的售前售后保障。宏旺半導(dǎo)體配備了專業(yè)的FAE團(tuán)隊(duì)進(jìn)行專業(yè)的一對(duì)一技術(shù)支持，能夠隨時(shí)跟進(jìn)客戶項(xiàng)目，解決問題及時(shí)有效，這些服務(wù)優(yōu)勢(shì)是國(guó)外廠商無法比擬的。