當(dāng)我們購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存條的時(shí)候，會(huì)看到內(nèi)存條有如下規(guī)格11-11-11-28，它代表什么意思呢?

它是一種內(nèi)存時(shí)序，指的是內(nèi)存在處理各種任務(wù)時(shí)，遇到的固有延遲的一種數(shù)值描述。

簡(jiǎn)單講，就是CPU在向內(nèi)存索要數(shù)據(jù)，或者在向內(nèi)存寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候，內(nèi)存要經(jīng)歷一系列的操作，才能把CPU想要的數(shù)據(jù)給出來(lái)或?qū)戇M(jìn)去，這一系列的操作所需要花費(fèi)的時(shí)間周期就是內(nèi)存時(shí)序。

這四個(gè)數(shù)值分別表示CL，tRCD，tRP，tRAS，單位ns。這個(gè)數(shù)值越短，表示延遲越低，內(nèi)存的性能越好。

其實(shí)時(shí)序還有很多，只不過(guò)這四個(gè)參數(shù)相對(duì)來(lái)說(shuō)比較重要。

在講解之前，我們了解一下內(nèi)存是怎么存取數(shù)據(jù)的。首先要知道SDRAM(內(nèi)存顆粒)，DDR就是將這些顆粒集成在一起，然后再加一個(gè)控制器。

內(nèi)存在存取數(shù)據(jù)時(shí)，是以行列的方式進(jìn)行，跟excel表格類(lèi)似，通過(guò)行列方式定位數(shù)據(jù)，這個(gè)表格我們稱(chēng)為邏輯BANK(L-BANK)。

SDRAM內(nèi)部L-BANK示意圖 8X8陣列

B：L-BANK(邏輯logic bank)地址編號(hào)

C：column列支持編號(hào)

R：row行地址編號(hào)

如果我們要找到BANK中的黃色位置，先指定L-BANK地址B1，然后指定行地址R6，再指定列地址C4，最終就能找到尋址單元。

談到BANK，我們順便了解一下RANK這個(gè)概念(經(jīng)常容易搞混，分不清楚)

DDR數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)，以64bit數(shù)據(jù)線為例，CPU每次從內(nèi)存里面讀取數(shù)據(jù)都是一次64bits，而內(nèi)存顆粒一般沒(méi)有64bit，大多為4bits，8bits，16bits。為了湊夠CPU訪問(wèn)所需的64bits，假設(shè)每個(gè)顆粒是8bits，就需要8個(gè)顆粒并在一起，并在一起的8個(gè)顆粒就叫Rank。

假設(shè)內(nèi)存芯片基本上是8個(gè)L-BANK地址，也就是8個(gè)這樣的表格。

在了解數(shù)據(jù)如何存取后，下面具體看一下這四個(gè)參數(shù)：

1、tRCD

內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間為tRCD(RAS to CAS delay)，因?yàn)樵谛屑せ蠲畎l(fā)出之后，芯片存儲(chǔ)陣列電子元件響應(yīng)需要一定的時(shí)間。

簡(jiǎn)單說(shuō)，在內(nèi)存控制器接收到行的指令后，需要等待一定的時(shí)間才能訪問(wèn)這一行，這個(gè)等待時(shí)間就是tRCD。

tRCD以時(shí)鐘周期為單位，例：tRCD=2，代表延遲兩個(gè)時(shí)鐘周期。

這個(gè)參數(shù)對(duì)系統(tǒng)影響不大，因?yàn)槌绦虼鎯?chǔ)數(shù)據(jù)到內(nèi)存中是一個(gè)持續(xù)過(guò)程。同一個(gè)程序中一般都會(huì)在同一行中尋址。

2、CL

內(nèi)存先確定了行，要想找出數(shù)據(jù)，還需要確定列，這時(shí)我們就能準(zhǔn)確的找到目標(biāo)數(shù)據(jù)。

內(nèi)存確定了行數(shù)之后，還需要等待一定的時(shí)間才能訪問(wèn)具體列數(shù)，這個(gè)等待的時(shí)間就是CL，CL就是列地址訪問(wèn)的延遲時(shí)間，是時(shí)序中最重要的參數(shù)。

關(guān)于CL這里必須強(qiáng)調(diào)幾點(diǎn)：

CL(CAS Latency，CAS潛伏期)，在頻率相同的情況下，CL值越小，內(nèi)存速度越快。由于CL只在讀取時(shí)出現(xiàn)，所以CL又被稱(chēng)為讀取潛伏期。

CL的值隨著內(nèi)存頻率的增加而增大。

CL數(shù)值也以時(shí)鐘周期數(shù)表示，因此必須知道內(nèi)存的頻率才可以知道CL延遲的具體時(shí)間，比較才會(huì)更有意義，例：

DDR-400內(nèi)存，CL=2.5，時(shí)鐘頻率為200MHz，實(shí)際CL=12.5ns。

DDR2-800內(nèi)存，CL=5，時(shí)鐘頻率為400MHz，實(shí)際也是CL=12.5ns。

二者一樣。

選擇購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存時(shí)，最好選擇同樣CL值的內(nèi)存，不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，會(huì)以較慢的那塊內(nèi)存來(lái)運(yùn)行，從而造成資源的浪費(fèi)。

3、tRP

tRP(RAS Precharge Time )行預(yù)充電時(shí)間。假如當(dāng)前尋址的存儲(chǔ)單元是B1、R5、C2。如果接下來(lái)的尋址命令是B1、R6、C2，由于是同一L-Bank的不同行，那么就必須要先把R5關(guān)閉，才能對(duì)R6進(jìn)行尋址。

從開(kāi)始關(guān)閉現(xiàn)有的工作行，到可以打開(kāi)新的工作行之間的間隔就是tRP，單位也是時(shí)鐘周期數(shù)。

4、tRAS

tRAS，表示內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期 ，可以簡(jiǎn)單理解成內(nèi)存寫(xiě)入或讀取數(shù)據(jù)的一個(gè)時(shí)間，一般接近前三個(gè)參數(shù)的總和。

調(diào)整這個(gè)參數(shù)須要結(jié)合具體狀況而定，通常咱們最好設(shè)在5-10之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際狀況而定，并非說(shuō)越大或越小就越好。

若tRAS的周期太長(zhǎng)，會(huì)影響系統(tǒng)的性能。

若tRAS的周期太短，則可能因缺少足夠的時(shí)間而沒(méi)法完成數(shù)據(jù)傳輸，容易引起數(shù)據(jù)丟失或損壞。該值通常設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。

最后簡(jiǎn)單概況一下：

　　審核編輯：湯梓紅