在儀表設(shè)計中，數(shù)據(jù)的安全存貯非常重要。如電子式電能表，它在運行期間時刻都在記錄數(shù)據(jù)，如果功能設(shè)計的比較多，那么保存的數(shù)據(jù)量大，擦寫次數(shù)比較多。一般需要有一個高性能的存貯器才能滿足需求。

某客戶在設(shè)計儀表時，需要用到一個壽命長、數(shù)據(jù)保存安全期長的存儲器，該客戶最終確定了拍字節(jié)的新型鐵電存儲器(FRAM)PB85RS128，該FRAM芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為16,384×8位，通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。

該芯片中使用的存儲單元可用于1E6 次讀/寫操作*1，它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和EEPROM，且不會像FLASH或EEPROM那樣需要很長的數(shù)據(jù)寫入時間，而且它不需要等待時間。



目前，拍字節(jié)PB85RS128是非常適合儀表設(shè)計要求的存貯器。它的性能指標(biāo)完全達到設(shè)計要求，解決了儀表中的設(shè)計憂慮。

更重要的是，它的存貯時間短，在異常掉電時，利用FRAM高速寫特性，瞬時將企業(yè)級固態(tài)硬盤的FTL Changes和Write Buffer保存到VFRAM中，徹底解決了企業(yè)級固態(tài)硬盤異常掉電引起的數(shù)據(jù)丟失問題。

在出現(xiàn)儀表突然斷電的情況數(shù)據(jù)能及時、安全的存貯。

拍字節(jié)PB85RS128主要參數(shù)如下：

·?容量：128Kb ·?接口類型：SPI接口(模式0和模式3)

·?工作電壓：2.7伏至3.6伏

·?工作頻率：25兆赫茲

·?功耗：4.2毫安（25兆赫茲）?

·?低功耗：9微安（待機）

·?數(shù)據(jù)保持：10年@85℃（200年@25℃）

·?高速讀特性：支持40MHz高速讀命令

·?工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃

·?封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS 為了普及使用，拍字節(jié)PB85RS128封裝形式除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設(shè)備用WSON等超小型封裝形式的產(chǎn)品。

同時，使用TSOP或SOP封裝形式提供256Kbit至16Mbit的并行存儲器。

在利用SRAM及數(shù)據(jù)保存用電池供電的應(yīng)用中，并行存儲器被用作進一步降低能耗或減少電池的解決方案。

此外，在企業(yè)級SSD及NVDIMM等應(yīng)用場景，拍字節(jié)提供了256Mbit至4Gbit的DDR接口。








審核編輯：劉清