1. RISC和CISC架構有什么不同？

RISC全稱是Reduced Instruction Set Computer。

CISC全稱是Complex Instruction Set Computer。

RISC架構有更少的指令，且這些指令比較簡單，比如固定指令長度、更少的尋址模式。CISC架構有更多的指令，且這些指令天然就比較復雜，比如可變長度的指令、更多的尋址模式。

RISC架構因為有更少的指令，在硬件實現(xiàn)上會更容易些，但是CISC架構需要更復雜硬件來解碼和分解復雜的指令。因此，RISC比CISC更注重軟件。

由于CISC有復雜的硬件支持，它比RISC需要更少的軟件代碼，也因此需要更少的RAM來存儲程序指令。

RISC指令長度一致，在流水線CPU實現(xiàn)上更容易。而CISC對不同的指令需要的時鐘數(shù)不一樣，更難實現(xiàn)流水線處理。

RISC架構通過減少每條指令的周期數(shù)來提升性能，而CISC架構通過減少每個程序所需要的指令數(shù)來提升性能。

不過現(xiàn)在先進的計算機架構中，也有許多CISC的微架構實現(xiàn)會在內部先把復雜指令轉成更簡單的指令，再進行處理的。

2. 哈佛結構和馮諾依曼結構的區(qū)別？

馮·諾依曼架構又稱作普林斯頓體系架構。馮·諾依曼架構的處理器使用同一個存儲器，經(jīng)由同一個總線傳輸。哈佛架構是一種將程序指令存儲和數(shù)據(jù)存儲分開的存儲器結構。二者的區(qū)別就是程序空間和數(shù)據(jù)空間是否是一體的。馮·諾依曼架構數(shù)據(jù)空間和地址空間不分開，哈佛架構數(shù)據(jù)空間和地址空間是分開的。

馮諾依曼架構相對比較老，大部分現(xiàn)代處理器架構都是基于哈佛架構。

3. 從內存(memory)存儲的角度解釋大端(Big Endian)和小端(Little Endian)的概念？

大小端描述的是字節(jié)(bytes)在memory中的擺放順序。Memory通常是按byte尋址的，在32-bit系統(tǒng)中，CPU主要是對32-bit或Word大小的操作數(shù)進行處理的。就拿寫1個Word數(shù)據(jù)到以byte尋址的memory來舉例。

如果是大端格式的話，那么Word數(shù)據(jù)里的最高字節(jié)(Most Significant byte)將會放在memory的最低地址。

如果是小端格式的話，那么Word數(shù)據(jù)里的最低字節(jié)(Least significant byte)將會放在memory的最低地址。

舉個例子，如果CPU打算寫1個Word為0x33221100到起始地址為0x100的memory，也就是會占用0x100-0x103地址存儲空間。那么對不同的大小端格式，memory中存儲的數(shù)據(jù)結構如下：

4. SRAM和DRAM的區(qū)別？

DRAM的全稱是Dynamic Random Access Memory。它是一種數(shù)據(jù)以電荷形式存儲的存儲器。DRAM的每個存儲單元(memory cell)是由1個晶體管和1個電容器組成的。數(shù)據(jù)就是存放在電容器里。DRAM里的電容會因泄漏而失去電荷。因此，為了維持memory里的數(shù)據(jù)，DRAM需要定期刷新。

SRAM的全稱是Static Random Access Memory。它是”靜態(tài)”存儲器，是指只要存儲器保持通電，它儲存的數(shù)據(jù)就可以一直保持。通常SRAM的速度比DRAM快，因為它不需要定期刷新。SRAM的每個存儲單元是由6個晶體管組成。正因為如此，SRAM的每個存儲單元造價比DRAM高。

在應用上，SRAM由于速度快，通常用于緩存(Cache)。DRAM由于更高的存儲單元密度，通常用于主存(Main memory)。

5. 如果計算機有512KByte的memory，那么它需要用多少地址位(address bits)才能尋址memory的每1個Byte呢？

由于總得memory大小是512KB=(2^9)*(2^10) Byte=(2^19) Byte，因此需要19bits的地址寬度。