享受超過兩年繁花似錦好日子的 DRAM 存儲產業(yè)，今年下半年起明顯疲態(tài)百出，原本各界擔心國內砸大錢蓋廠、研發(fā)，大舉揮軍進入存儲領域的動作，恐埋下產業(yè)長期供過于求的隱憂，如今還不用等國內存儲芯片量產，各應用的 DRAM 價格已逐一崩跌，尤其這幾年由云服務器帶動的龐大 DRAM 需求轉弱，恐帶給該產業(yè)致命一擊。

DRAM 產業(yè)長達兩年的榮景，原因是上游供應商的整合，讓產業(yè)秩序健康化，近因則是應用端結構的質變。早期計算機應用占了整個 DRAM 產業(yè)高達 90 % 份額，觀察 DRAM 價格的變化只要看計算機賣得好不好的，就幾乎能掌握全貌，然 PC 時代的結束，迎面而來是手機盛世到來，全球 DRAM 產業(yè)風貌也驟變。

智能手機的崛起，逐漸取代 PC 成為 DRAM 產業(yè)的主流，加上消費性電子成為該產業(yè)的利基型應用領域，這時候要掌握 DRAM 供需，以及價格走勢的難度都明顯大增。前幾年更有云服務器需求崛起，大量消耗 DRAM 產出，可以觀察到，DRAM 的應用是十分多元化的。無論是供應商的整合，或是終端應用多元化，都讓 DRAM 產業(yè)結構更為健康。

這一波超過兩年的 DRAM 漲價潮，云服務器 DRAM 需求涌現的帶動是功不可沒的推手，包括 Facebook 、 Google 、亞馬遜 ( Amazon )、騰訊、阿里巴巴等不斷擴充網路存儲系統，對于云存儲、云計算的需求提升，都帶動服務器 DRAM 需求起飛，更是吃掉多數的 DRAM 產能。

之前為了因應需求涌入，上游國際存儲大廠陸續(xù)增加服務器 DRAM 的產出比重，然下半年起，需求端卻陸續(xù)有雜音出現，包括之前 DRAM 供給吃緊之際，部分客戶為了保障拿貨無慮，出現重復下單（Overbooking）的跡象，在這幾個因素加乘影響，服務器 DRAM 價格后勢確實不容樂觀。

根據市調機構 TrendForce 指出，韓系大廠在第四季紛紛調降服務器 DRAM 的報價，估計第四季跌價達 5 ％。這也是服務器 DRAM 漲價多時以來，第一次有明顯的轉弱訊號出現，由于云服務器在這一波 DRAM 漲價潮中占有舉足輕重的地位，其需求轉弱，預計整個 DRAM 產業(yè)將在此形成反轉向下的拐點。

綜合手機用 Mobile RAM、計算機 PC DRAM、消費型電子 Consumer DRAM，一直到云服務器應用的 Server DRAM 價格都逐一轉為疲弱。TrendForce 統計，第四季整體 DRAM 合約價擴大下跌至 5 %。

業(yè)內人士分析，現貨市場價格從年初開始下跌，今年 6 月底正式低于合約價，目前現貨價格已經低于合約價約 10 %，這種情況通常被稱為“死亡交叉”，對于產業(yè)供需走勢是不好的征兆，顯示未來合約價會再被現貨價逼著往下調。

不過，若是回顧年初的 DRAM 產業(yè)氣氛，當時仍是一片晴空萬里。韓系存儲大廠三星、SK 海力士第一季仍是持續(xù)調漲標準型、服務器、消費型和行動式等 DRAM 價格，當時整個市場供不應求的氣氛并未獲得紓解，當中，又以服務器 DRAM 缺貨最嚴重。

因為來自全球各地的云服務、云計算需求涌現，且服務器 DRAM 的規(guī)格高階，價格也較好，估計服務器 DRAM 報價相較于智能手機用的行動式 DRAM 高出 20%，因此，有能力的存儲制造商在產能的調配上，會逐漸轉到服務器 DRAM 產品上。

下半年存儲價格轉弱的另一個原因，是英特爾新平臺 Whiskey Lake 缺貨，影響計算機業(yè)者的出貨，更進一步影響到整個存儲產業(yè)的需求，沖擊存儲 DRAM 和 NAND Flash 的價格。英特爾的處理器出現供貨不足，不僅是改良版的 14 nm++，包括已量產半年多的 14 nm+的 Coffee Lake 產品線也同樣是供給吃緊，因此對于整個計算機產業(yè)的出貨造成沖擊，預計明年才會紓解。

根據 TrendForce 對于 PC DRAM 第四季價格跌價的預估，原本幅度約 2 %，但受到英特爾供貨不足影響，PC DRAM 的消耗量恐進一步縮減，PC DRAM 第四季價格跌幅將擴大。而同樣受到影響的還有 NAND Flash 芯片的價格。

英特爾下半年原本是服務器新舊平臺轉換期，其 Xeon 可擴充系列處理器是基于 Skylake-SP 架構設計，以此推出的 Purley 服務器平臺被業(yè)界視為是英特爾近十年來最重要的產品線，將取代 Grantley 平臺，專門為資料中心與網路基礎架構所量身設計。

業(yè)界原本預期，今年下半正值英特爾服務器平臺從 Grantley 轉到新平臺 Purley，眼看新舊平臺換機潮就要啟動，卻傳出英特爾產能不足的消息，未來這一波缺貨潮是否也會擴大蔓延到服務器領域，影響到整個服務器產業(yè)的出貨狀況，也令人擔心。

DRAM 和 NAND Flash 芯片榮景已經超過兩年，去年下半 NAND Flash 芯片因為 3D NAND 良率提升，開始導入大量生產，導致價格率先疲軟，累積至今已經下跌一年了，接棒是 DRAM 價格的走弱，都是反映半導體景氣周期的變動。

這一年來，不單是全球存儲價格的走弱，還有另一樁大事，就是國內自制存儲芯片要開始進入驗收期，明年有機會小幅量產。原本各界擔心，國內存儲芯片的量產，恐抑制全球 DRAM 價格，尤其 12 吋晶圓廠是遍地開花，潛在產能不是小數目。

全球存儲價格反轉向下之際，正值國內三大存儲陣營要開始試產，包括生產 DRAM 的福晉建華、合肥長鑫，以及生產 3D NAND 芯片的長江存儲，這不但考驗存儲產業(yè)中長期的供需平衡、價格走勢，更考驗這三大陣營未來的營運走勢。

對比過往全球 DRAM 供應商還是 6 ~ 8 家時，供給十分混亂，各家都相爭擴產，加上應用又過于集中于 PC 單一產業(yè)，沒有其他應用可以分擔產業(yè)淡季的沖擊，導致 DRAM 價格密集的波動劇烈。但現在的供應商已經整合為三家，大家都節(jié)制擴產，因此整個產業(yè)板塊已相對穩(wěn)健，這種 2 ~ 3 年才出現一次的價格反轉周期，其實反映著產業(yè)健康的輪動，是自然現象。

不過，未來國內自制存儲芯片是蓄勢待發(fā)，無庸置疑是全球最不確定的一個大變數。在產業(yè)政策的大力扶植下，無論是產能規(guī)劃、技術研發(fā)上都是傾全力投入，沒有研發(fā)成不成功的問題，只有何時量產的期待值，未來，國內存儲大廠有機會在國際市場上成為一股新勢力，韓系、美系大廠將如何接招，也牽動全球存儲版圖的風貌！