91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于華虹半導(dǎo)體第三代Super Junction技術(shù)的分析和應(yīng)用

0oS6_華虹宏 ? 來源:djl ? 2019-10-18 15:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

華虹半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的功率分立器件200mm代工廠,在功率器件產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)上擁有逾10年的經(jīng)驗(yàn)。公司于2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級(jí)難題,推出了獨(dú)特的、富有競(jìng)爭(zhēng)力的溝槽型SJNFET工藝平臺(tái),令華虹半導(dǎo)體成為業(yè)界首家提供超級(jí)結(jié)工藝平臺(tái)的晶圓代工公司。經(jīng)過多年的深耕發(fā)展,公司在Super Junction技術(shù)領(lǐng)域積累了豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),相繼推出了第一代、第二代工藝平臺(tái),并緊跟業(yè)界超級(jí)結(jié)產(chǎn)品的發(fā)展,持續(xù)進(jìn)行平臺(tái)的創(chuàng)新升級(jí)。

華虹半導(dǎo)體最新研發(fā)的第三代SJNFET技術(shù)平臺(tái)不僅保持了前幾代工藝流程緊湊的特點(diǎn),而且還開發(fā)出了溝槽柵的新型結(jié)構(gòu),相比前兩代的平面柵結(jié)構(gòu),可以更有效地降低結(jié)電阻,且進(jìn)一步縮小了元胞(「cell pitch」)面積。導(dǎo)通電阻與第二代工藝相比,更是下降了30%以上,以600V器件為例,單位面積導(dǎo)通電阻Rsp實(shí)測(cè)值為1.2ohm.mm2,達(dá)到業(yè)界一流水平。第三代SJNFET工藝平臺(tái)將為客戶提供導(dǎo)通電阻更低、芯片面積更小、開關(guān)速度更快和開關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。

功率半導(dǎo)體是開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)、新能源汽車和智能電網(wǎng)等電源系統(tǒng)的核心器件,也是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵。在人們對(duì)高效節(jié)能越來越重視的現(xiàn)今,綠色能源技術(shù)必將得到更廣泛的應(yīng)用,功率半導(dǎo)體的需求也將持續(xù)提升。Super Junction技術(shù)憑借更低的功耗,高度契合當(dāng)前熱門的大功率快充電源、LED照明電源需求,其在傳統(tǒng)的PC電源及云服務(wù)器電源也有優(yōu)異的表現(xiàn)。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:「通過與客戶在設(shè)計(jì)優(yōu)化、系統(tǒng)解決方案及市場(chǎng)滲透方面的攜手努力,我們獨(dú)特且具競(jìng)爭(zhēng)力的超級(jí)結(jié)MOSFET平臺(tái)自量產(chǎn)以來出貨量與日俱增,累計(jì)超過200,000片晶圓。華虹半導(dǎo)體新一代SJNFET工藝平臺(tái)的推出,將進(jìn)一步鞏固公司在功率分立器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。我們將盡快實(shí)現(xiàn)第三代SJNFET工藝平臺(tái)的商用,以滿足客戶對(duì)更具競(jìng)爭(zhēng)力的高壓功率芯片產(chǎn)品解決方案的需求?!?/p>

華虹半導(dǎo)體(股份代號(hào):1347.HK)是全球具領(lǐng)先地位的200mm純晶圓代工廠,主要專注于研發(fā)及制造專業(yè)應(yīng)用的200mm晶圓半導(dǎo)體,尤其是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器及功率器件。集團(tuán)的技術(shù)組合還包括RFCMOS、模擬及混合信號(hào)、電源管理MEMS等若干其他先進(jìn)工藝技術(shù)。根據(jù)IHS的資料,按2015年銷售收入總額計(jì)算,集團(tuán)是全球第二大200mm純晶圓代工廠。集團(tuán)生產(chǎn)的半導(dǎo)體被應(yīng)用于不同市場(chǎng)(包括電子消費(fèi)品、通訊、計(jì)算機(jī)、工業(yè)及汽車)的各種產(chǎn)品中。利用自身的專有工藝及技術(shù),集團(tuán)為多元化的客戶制造其設(shè)計(jì)規(guī)格的半導(dǎo)體。通過位于上海的3座晶圓廠,集團(tuán)目前的200mm晶圓加工能力在中國(guó)名列前茅,截至2016年9月30日合計(jì)約為每月153,000片。同時(shí),考慮到工藝的性能、成本及制造良率,集團(tuán)亦提供設(shè)計(jì)支持服務(wù),以便對(duì)復(fù)雜的設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化。

華虹半導(dǎo)體有限公司現(xiàn)時(shí)主要業(yè)務(wù)透過位于上海的子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(「華虹宏力」)開展。而華虹宏力由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30919

    瀏覽量

    265220
  • LED驅(qū)動(dòng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    73

    文章

    1090

    瀏覽量

    142670
  • 服務(wù)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    10303

    瀏覽量

    91600
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    高頻交直流電流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中的精準(zhǔn)測(cè)量

    高頻交直流電流探頭克服磁飽和問題,實(shí)現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng),適用于第三代半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測(cè)試,提升電流測(cè)量精度與效率。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:56 ?82次閱讀

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?807次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?453次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?298次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主,如果遺漏
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?614次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    第三代半導(dǎo)體半橋上管電壓電流測(cè)試方案

    第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評(píng)估中,對(duì)半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測(cè)試,是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測(cè)試方案可為技術(shù)開發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐,加速技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-19 11:01 ?272次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>半橋上管電壓電流測(cè)試方案

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1476次閱讀

    開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?896次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?796次閱讀
    電鏡<b class='flag-5'>技術(shù)</b>在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2603次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?965次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析(1)

    是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn):開關(guān)速度可達(dá)納
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?951次閱讀
    是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>SiC的動(dòng)態(tài)特性