長鑫儲存將生產(chǎn)19nm DDR4內(nèi)存，計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠
12月3日消息 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，長鑫存儲科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級制造工藝的路線圖，并計(jì)劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來提高產(chǎn)量。
據(jù)報(bào)道，目前，長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市。長鑫存儲還將使用同樣的技術(shù)將在2020年下半年制造LPDDR4X內(nèi)存。該公司的技術(shù)路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存。
根據(jù)之前的報(bào)道，長鑫存儲誕生于2016年，專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片(DRAM)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠。
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