中國半導(dǎo)體業(yè)正進(jìn)入一個(gè)新時(shí)期，在大基金等國有資金為主推動(dòng)下，加上科創(chuàng)板的支持，產(chǎn)業(yè)正從全方位向前推進(jìn)，其中實(shí)現(xiàn)更多的IC國產(chǎn)化是“命門”，顯然存儲(chǔ)器成為一個(gè)讓業(yè)界十分期待的目標(biāo)。

據(jù)統(tǒng)計(jì)在中國境內(nèi)DRAM消耗約3，000億元及NAND閃存消耗約2，200億元。假設(shè)這個(gè)數(shù)量級(jí)是基本正確，它表示什么？

據(jù)權(quán)威市場公司W(wǎng)STS的秋季數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體市場4，687億美元，總存儲(chǔ)器的銷售額達(dá)1，580億美元，它預(yù)測2019年全球半導(dǎo)體市場下降12.1%，為4，090億美元，其中存儲(chǔ)器下降33%，為1，059億美元，那么中國消耗存儲(chǔ)器為5，200億元，折算成743億美元，即占2018年存儲(chǔ)器的47%及2019年的70%，它表示全球的存儲(chǔ)器近一半以上被中國市場消耗。

為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的國產(chǎn)化，國內(nèi)已經(jīng)啟動(dòng)合肥長鑫及福建晉華的DRAM，以及武漢長江存儲(chǔ)的3D NAND閃存生產(chǎn)，另有紫光的南京、成都等都已做好上馬的準(zhǔn)備。

按國內(nèi)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，長江存儲(chǔ)已經(jīng)開發(fā)出32層3D NAND閃存，2019年底月產(chǎn)能達(dá)20，000片，計(jì)劃2020年開始64層3D NAND量產(chǎn)，月產(chǎn)能擴(kuò)充至40，000片以上，到2023年時(shí)可能達(dá)到計(jì)劃64層月產(chǎn)能100，000片，或者它的原計(jì)劃300，000片。并在技術(shù)上進(jìn)入128層256Gb的業(yè)界先進(jìn)閃存產(chǎn)品行列。而合肥長鑫已經(jīng)開發(fā)出19納米的DRAM，月產(chǎn)能達(dá)20，000片，計(jì)劃2020年底月產(chǎn)能擴(kuò)充至40，000片，到2023年時(shí)達(dá)到計(jì)劃月產(chǎn)能125，000片，技術(shù)上開始邁入17納米。并已有報(bào)道長鑫將再建兩個(gè)fab2和fab3。

中國已經(jīng)啟動(dòng)存儲(chǔ)器的布局，充分體現(xiàn)國家的決心與實(shí)力，然而全球存儲(chǔ)器的格局是壟斷的，按學(xué)習(xí)曲線的規(guī)律，中國必須循序漸進(jìn)，國內(nèi)業(yè)界曾提出初始目標(biāo)要占全球市場份額的5%-10%。

5%-10%市場份額

從全球范圍觀察，在DRAM 領(lǐng)域，全球三大陣營的分布：三星市占率 46%、SK 海力士 29%、及美光 21%。而在NAND Flash 領(lǐng)域，全球六大陣營的分布：三星市占率 35%、東芝（更名為鎧俠） 18.2%、WD/SanDisk 占 13.8%、美光 13.7%、SK 海力士 10.2%、英特爾 8.6%。

各家存儲(chǔ)器的產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)，由于渠道不一樣，只能提供估值，依2018年底計(jì)，如全球DRAM的月產(chǎn)能約為110萬片（12寸計(jì)），及NAND閃存約為150萬片，其中三星可能分別是500，000片及480，000片。

根據(jù)三星目前128層3D NAND技術(shù)發(fā)展，以及工廠進(jìn)度規(guī)劃，預(yù)計(jì)2020上半年可能量產(chǎn)的是第六代128層V-NAND。SK海力士128層3D NAND也將在2020年進(jìn)入投產(chǎn)階段。至2019年底，全球NAND閃存依92/96層計(jì)，三星占它的銷售額45%，東芝為50%，美光為35%及Hynix為25%。

當(dāng)今的NAND Flash設(shè)計(jì)需要綜合考慮層數(shù)、存儲(chǔ)單元間距、單元厚度、功耗、整體性能、投資效益，還有量產(chǎn)的良率，及市場份額等諸多要素。

DRAM制程工藝進(jìn)入20nm以后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1xnm、1ynm、1znm，大體來講，1x-nm制程相當(dāng)于16~19nm、1y-nm相當(dāng)于14~16nm，而1z-nm則相當(dāng)于12~14nm。業(yè)界也有討論在1znm之后的可能進(jìn)展。

據(jù)IT之家2019-10月7日消息，三星宣布成功開發(fā)出業(yè)界首個(gè)12層3D-TSV（直通硅通孔）技術(shù)。這是業(yè)界首個(gè)將3D TSV封裝推進(jìn)到12層的工藝，而此前最大僅為8層。

3D-TSV最多用在HBM顯存上，這種技術(shù)通過芯片內(nèi)部的打孔填充金屬導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)多層芯片互聯(lián)，其速度更快，密度更高。三星此次公布的12層DRAM封裝工藝需要在720微米厚的芯片上打超過60000個(gè)TSV孔，這些孔的尺寸僅為人頭發(fā)絲的二十分之一。

全球存儲(chǔ)器業(yè)總是周期性的起伏，也是對(duì)于存儲(chǔ)器制造商的考驗(yàn)。據(jù)預(yù)測，其中33種IC產(chǎn)品類別中的26種將恢復(fù)增長，而增長前三類如下：2020年NAND Flash將增長19%，汽車電子13%及DRAM 12%。

5%-10%的市場份額，它表示中國存儲(chǔ)器業(yè)（包括DRAM，NAND，NOR，新興存儲(chǔ)器）的銷售額已經(jīng)總計(jì)達(dá)到50-100億美元以上，同時(shí)邁出中國半導(dǎo)體業(yè)中IDM產(chǎn)品的關(guān)鍵一步。

結(jié)語

由于中國存儲(chǔ)器廠商幾乎都是“新進(jìn)者”，面臨的困難可能更多，尤其是美國的“長臂管轄清單”，它隨時(shí)可能改變，其影響如同對(duì)“晉華”一樣，不可小視。

在這樣的現(xiàn)實(shí)情況下，中國存儲(chǔ)器制造商既要提前做出“預(yù)案”，認(rèn)真對(duì)待，不喪失信心，可能最妥善的策略是把目前的工作做得更加扎實(shí)與仔細(xì)。

技術(shù)上推進(jìn)是關(guān)鍵，它是基礎(chǔ)，然而產(chǎn)能擴(kuò)充的步伐要大膽加快，因?yàn)橹辽僭谙聜€(gè)下降周期中可能占到先機(jī)，它也是無法用完全市場化策略來解釋。

盡管初始目標(biāo)是5%-10%的市場份額，但是它的作用不可小視，表明中國存儲(chǔ)器業(yè)完成初步立足，開始有話語權(quán)。如果依2017年計(jì)始，估計(jì)可能要花5-10年時(shí)間，并且要準(zhǔn)備隨時(shí)迎接各種干擾的到來。

中國存儲(chǔ)器業(yè)一定能立足下來，無非是花的時(shí)間短，或者長些，要認(rèn)識(shí)到存儲(chǔ)器業(yè)是個(gè)拼生產(chǎn)線管理及能持續(xù)投資的產(chǎn)業(yè)。回顧中國***地區(qū)之前曾投入400億美元，試圖找立足點(diǎn)，結(jié)果也不盡如人意，據(jù)***人士講主要是資金不足，而中國此次存儲(chǔ)器的突破，似乎資金不成問題，但是缺乏月產(chǎn)能100，000片以上大生產(chǎn)線的管理經(jīng)驗(yàn)。

顯然生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速度是個(gè)“坎”，它不完全是由資金決定，與技術(shù)能力，生產(chǎn)線的良率，芯片價(jià)格及外來干擾因素等相關(guān)，在思想認(rèn)識(shí)上要有充分的準(zhǔn)備。

按我的初淺認(rèn)識(shí)，實(shí)現(xiàn)中國的存儲(chǔ)器夢(mèng)，以下兩條是關(guān)鍵：

持續(xù)投資，擴(kuò)大產(chǎn)能，降低制造成本，所以生產(chǎn)線應(yīng)該盡可能集中

沉著應(yīng)對(duì)來自各方面的“干擾”，包括“長臂管轄清單”，專利及價(jià)格戰(zhàn)

事在人為，實(shí)現(xiàn)中國存儲(chǔ)器夢(mèng)是肯定有必要及可能，在此點(diǎn)上連部分西方人士也表示認(rèn)可。
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