長鑫存儲在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進展 將吸引國產(chǎn)二線品牌在手機上采用
據(jù)消息人士透露，位于合肥的長鑫存儲公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進展，它將吸引國產(chǎn)二線品牌在手機上采用。
長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進設(shè)備大幅度改進工藝，開發(fā)出了獨有的技術(shù)體系。
根據(jù)此前消息，長鑫內(nèi)存自主制造項目總投資1500億元，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm工藝級8Gb DDR4內(nèi)存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標(biāo)準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。
本月初，，長鑫存儲從Polaris獲得了大量DRAM技術(shù)專利的實施許可，而這些專利來自Polaris 2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。
責(zé)任編輯：wv
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