據(jù)消息,vivo將在2月23日到24日展示第三代APEX概念機。
據(jù)悉,2019年1月24日,vivo帶來了APEX 2019手機,這是除了vivo NEX之外一款更加極致的秀肌肉產(chǎn)品,定位概念產(chǎn)品。這款手機沒有安置前置攝像頭,正面沒有任何開孔,通過微振動單元驅(qū)動屏幕發(fā)聲,側(cè)邊采用了雙感應(yīng)隱藏按鍵方式來代替?zhèn)鹘y(tǒng)機械按鍵,通過一枚高清線性馬達實現(xiàn)了真實的按壓反饋。屏幕指紋解鎖區(qū)域擴大至全屏幕,并且識別率和準(zhǔn)確率有了很大的提升,幾乎達到了商用級別;APEX 2019使用了磁吸充電接口,支持自動吸附,可實現(xiàn)真正的“盲插”。
距離APEX 2019手機公布已經(jīng)有近一年的時間了,vivo 第三代APEX手機又將給我們帶來怎樣的驚喜呢,讓我們一起期待吧。
責(zé)任編輯:gt
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
手機
+關(guān)注
關(guān)注
36文章
6994瀏覽量
161003 -
攝像頭
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
5091瀏覽量
103110 -
vivo
+關(guān)注
關(guān)注
13文章
3340瀏覽量
66787
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
第三代特斯拉人形機器人將亮相,預(yù)計年產(chǎn)百萬臺
2月2日,特斯拉官方微博發(fā)布消息稱,第三代特斯拉人形機器人,即將正式亮相。據(jù)官方消息,新機完全跳出現(xiàn)有供應(yīng)鏈體系,從第一性原理出發(fā)重新設(shè)計,不用復(fù)雜編程,觀察人類行為、聽口頭指令甚至看段視頻,就能自主執(zhí)行任務(wù)。
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
發(fā)表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會
10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列
近日,英飛凌的磁傳感器門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運而生。
能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進程,將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
vivo第三代APEX概念機即將公開亮相
評論