憑借領(lǐng)先一代的PCM相變存儲技術(shù)3D XPoint，Intel的傲騰系列內(nèi)存/SSD在企業(yè)級市場上占了上風，延遲超低，壽命也遠超閃存。

為了跟傲騰對抗，三星推出了Z-NAND閃存，鎧俠、西數(shù)則推出了XL-Flash閃存，他們的思路都是差不多的，在現(xiàn)有3D NAND閃存基礎(chǔ)上犧牲容量換取性能，另類復活了SLC閃存。

據(jù)介紹，XL-Flash閃存被定義為SCM（存儲類內(nèi)存），介于傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存、NAND Flash閃存之間，擁有更高的速度、更低的延遲、更大的容量，而且成本相對較低，初期將用于SSD固態(tài)硬盤，未來也可用于NVDIMM內(nèi)存條等傳統(tǒng)DRAM領(lǐng)域產(chǎn)品。

在ISSCC 2020國際會議上，鎧俠公布了XL-Flash閃存的一些特性，日本PCWatch網(wǎng)站做了報道，簡單來看下這種新型閃存的優(yōu)勢到底在哪里。

上面已經(jīng)說了，XL-Flash的思路就是在3D堆?；A(chǔ)上復活SLC，其內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)降低到了1bit，也就是SLC類型，這就注定了它的容量會比較低，核心容量只有128Gb（16GB），相比現(xiàn)在動輒TLC 512Gb甚至QLC 1.33Tb的容量小了很多。

當然，這還是在使用了96層3D堆棧的基礎(chǔ)上的，如果是平面時代的SLC閃存，核心容量恐怕還要再小幾倍，現(xiàn)在128Gb核心容量基本上還是能保證大容量可用性的。

犧牲容量換來的是性能提升，XL-Flash閃存采用了16-Plane架構(gòu)，延遲只有普通3D閃存的1/20，具體來說是讀取延遲4us，寫入延遲75us，要比超過500us延遲的3D TLC閃存好太多了，比三星的Z-NAND閃存的100us也要好些。

此外，XL-Flash閃存的4K隨機性能也大幅提升了，IOPS更高，不過這里沒具體的數(shù)據(jù)對比。

至于存儲密度，復活SLC閃存的代價也是有的，96層堆棧3D TLC閃存、512Gb核心的面積是86.13mm2，現(xiàn)在128Gb XL-Flash閃存就有96.34mm2，存儲密度低了3-4倍。

最后，XL-Flash閃存還有個問題就是商業(yè)化，Intel的傲騰內(nèi)存及SSD都上市一兩年了，鎧俠的XL-Flash目前為止還沒有量產(chǎn)，之前的消息說是2020年才會大規(guī)模量產(chǎn)，看樣子還得等等。

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