91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

山西開展第三代半導體核心技術攻關,解決制約產業(yè)發(fā)展的難題

汽車玩家 ? 來源:愛集微 ? 作者:愛集微 ? 2020-03-16 15:17 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

集微網消息,日前,山西省發(fā)布重點產業(yè)集群關鍵核心、共性技術研發(fā)攻關專項指南,以調動創(chuàng)新資源,聚焦重點產業(yè)科技創(chuàng)新,解決制約產業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。

據悉,此次發(fā)布的專項指南涉及半導體、炭基新材料、特種金屬材料、能源、軌道交通、信息技術應用、大數據產業(yè)和通用航空領域。

其中,在半導體領域,山西省將開展第三代半導體表面/亞表面微缺陷快速檢測設備研制、高純石墨高溫純化技術研究、高純半絕緣SiC單晶襯底材料高速高質量生長工藝與規(guī)?;苽涞汝P鍵核心技術攻關。

在信息技術應用領域,山西將開展工控系統(tǒng)可信安全環(huán)境構建關鍵技術、基于PCIE3.0的高性能服務器交換芯片、基于龍芯2K1000構架的國產計算機圖形處理芯片關鍵技術、數據安全協(xié)同應用產品體系攻關研究。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264161
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3721

    瀏覽量

    69412
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體

    深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產技術,開啟了在
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺

    今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結 MOSFET技術平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?639次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET<b class='flag-5'>技術</b>平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?395次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?260次閱讀

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導體異質集成熱損傷難題

    性能提出極限要求,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體異質集成技術,已成為延續(xù)摩爾定律、突破性能瓶頸的關鍵。然而,傳統(tǒng)高溫鍵合工藝導致的熱應力損傷、材料失配與界面氧化問題,長期
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?374次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>異質集成熱損傷<b class='flag-5'>難題</b>

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現“高技術投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構成:
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導體市場開拓領航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導體產業(yè)標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數百家SiC&GaN領域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1016次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>市場開拓領航獎

    第三代半導體半橋上管電壓電流測試方案

    第三代半導體器件的研發(fā)與性能評估中,對半橋電路上管進行精確的電壓與電流參數測試,是優(yōu)化電路設計、驗證器件特性的關鍵環(huán)節(jié)。一套科學、可靠的測試方案可為技術開發(fā)提供堅實的數據支撐,加速技術
    的頭像 發(fā)表于 11-19 11:01 ?243次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>半橋上管電壓電流測試方案

    CINNO出席第三代半導體產業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導體產業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1428次閱讀

    材料與應用:第三代半導體引領產業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領域實現規(guī)?;瘧?。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、快充設備的核心
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?594次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?794次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>技術</b>與應用

    電鏡技術第三代半導體中的關鍵應用

    第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現,正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?732次閱讀
    電鏡<b class='flag-5'>技術</b>在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>中的關鍵應用

    SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案

    最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1305次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應用方案

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    隨著電子技術的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2460次閱讀

    瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?894次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET<b class='flag-5'>技術</b>解析(1)