設備的設計越來越多地采用片上嵌入式內存容量有限的微控制器，或者干脆完全避開閃存。原因之一是，盡管可以嵌入所需的任意大小容量的內存，但是為了實現更高性能而逐漸縮小尺寸這個自然趨勢使得內置或擴展嵌入式內存的成本過高。

新型高性能控制器，例如無閃存NXP RT系列MCU，正在去掉嵌入式閃存，以滿足當今用于物聯網（IoT）和工業(yè)物聯網（IIoT）的設備設計的價格和性能要求。

這意味著外部SPI flash正逐漸成為被關注的焦點。隨之而來的挑戰(zhàn)是如何與MCU無縫操作，以確保其CPU性能不受影響，同時還要將功耗降至最低水平。

為了成為MCU的理想合作伙伴，外部閃存必須：

執(zhí)行低功耗且快速的讀寫操作；

提供超低功耗的睡眠模式；

減少擦除和存儲數據所需的CPU周期；

減少或消除確定狀態(tài)所需的MCU和閃存之間的總線事務；

修改閃存中存儲的數據時避免使用系統(tǒng)RAM緩沖區(qū)。

Dialog半導體公司的新型FusionHD NOR Flash中內置了以上這些性能。FusionHD在將整體系統(tǒng)能耗降低多達70％的同時，運行速度還比競爭對手的閃存設備提高了5倍。

FusionHD通過利用具有一系列系統(tǒng)增強特性的低功耗架構來實現此性能。

這些功能包括：

小頁面擦除（page erase）架構，提供更快速的寫入性能和更低的系統(tǒng)功耗；

易于實現的主動中斷功能，可阻止MCU浪費寶貴的CPU周期和功率來監(jiān)測閃存狀態(tài)；

單個讀取修改寫入（Read Modify Write）命令可簡化軟件，加快數據記錄速度，并減少CPU開銷。

此外，FusionHD還具有其他許多節(jié)能特性，使其非常適合需要代碼存儲、數據存儲或密集數據記錄的下一代功耗敏感或電池供電的電路設計。
編輯：hfy