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中芯國(guó)際第二代FinFET N+1可望于2020小批量試產(chǎn)

電子工程師 ? 來(lái)源:快科技 ? 作者:快科技 ? 2020-09-26 10:11 ? 次閱讀
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作為內(nèi)地規(guī)模最大的晶圓代工廠,中芯國(guó)際的一舉一動(dòng)都牽動(dòng)人心。

近日有報(bào)道稱,在大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝后,中芯國(guó)際的N+1代工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,可望于2021年進(jìn)入量產(chǎn)。

對(duì)此,中芯國(guó)際回應(yīng)稱,該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,可望于2020年底小批量試產(chǎn)。

按照這樣的時(shí)間表推測(cè),中芯國(guó)際N+1代工藝確實(shí)會(huì)在2021年規(guī)模量產(chǎn)。

N+1是中芯國(guó)際對(duì)其第二代先進(jìn)工藝的代號(hào),但從未明確具體數(shù)字節(jié)點(diǎn),只是說(shuō)相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%,之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

今年8月底的時(shí)候,中芯國(guó)際曾表示,N+1工藝進(jìn)展順利,已經(jīng)進(jìn)入客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段。(來(lái)源:快科技)

原文標(biāo)題:恭喜!中芯國(guó)際神秘的N+1工藝終于要來(lái)了!

文章出處:【微信公眾號(hào):半導(dǎo)體圈+】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

責(zé)任編輯:haq

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