91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

收購日本先鋒微技術(shù)后,英唐智控發(fā)力第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:Norris ? 2020-10-22 11:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,英唐智控完成對日本先鋒微技術(shù)的股權(quán)交割,正式標(biāo)志著其主營業(yè)務(wù)由電子元器件分銷,向半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的轉(zhuǎn)型升級。

10月20日,英唐智控董事長胡慶周在接受證券時報訪談時表示,收購?fù)瓿捎⑻莆⒓夹g(shù)后,將主要圍繞第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品進行產(chǎn)線建設(shè)。

目前國內(nèi)尚不具備成熟的大規(guī)模SiC器件生產(chǎn)能力,胡慶周認(rèn)為英唐智控未來有望獲得先發(fā)優(yōu)勢。他還表示,國內(nèi)的建設(shè)計劃將主要在英唐微技術(shù)的SiC產(chǎn)線產(chǎn)能順利實現(xiàn)后擇機開啟。

公司將參股上海芯石,持續(xù)圍繞第三代半導(dǎo)體打造從設(shè)計、制造到銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈條。建立從設(shè)計、制造到銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈條的組織架構(gòu)體系,在現(xiàn)有的資源基礎(chǔ)上并持續(xù)吸收外部優(yōu)秀力量,逐步形成架構(gòu)獨立,分工明確,但又高度協(xié)作的半導(dǎo)體設(shè)計、半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體分銷三大事業(yè)群體。

胡慶周表示,初步估計半導(dǎo)體芯片設(shè)備的改造升級需要3-6個月的時間,再考慮到產(chǎn)線的單點工藝、串線工藝調(diào)試再到產(chǎn)品試制及打通生產(chǎn)的全流程,到最終形成產(chǎn)能的話預(yù)計還需要3-6個月左右的時間。

2019年年報顯示,英唐智控主營業(yè)務(wù)為電子元器件分銷,軟件研發(fā)、銷售及維護,電子智能控制器的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。目前,公司正在向半導(dǎo)體芯片設(shè)計研發(fā)領(lǐng)域延伸,希望形成以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)設(shè)計、生產(chǎn),銷售為主營業(yè)務(wù)的企業(yè)集團。

英唐智控于2020年10月20日披露三季報,公司2020年前三季度實現(xiàn)營業(yè)總收入91.2億,同比下降2.1%;實現(xiàn)歸母凈利潤2.9億,同比增長82.2%。

10月18日,在完成對日本先鋒微技術(shù)的股權(quán)交割之前,英唐智控在互動平臺表示:作為晶圓生產(chǎn)線的一部分,先鋒微技術(shù)擁有5臺光刻機設(shè)備,其性能足以滿足先鋒微技術(shù)對模擬芯片的生產(chǎn)制造需要。

本文由電子發(fā)燒友綜合報道,內(nèi)容參考自英唐、CnBeta,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3721

    瀏覽量

    69415
  • 英唐智控
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    18

    瀏覽量

    4837
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    深圳市薩科slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?639次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?395次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?260次閱讀

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

    關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?374次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>異質(zhì)集成熱損傷難題

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1017次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場開拓領(lǐng)航獎

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    AMEYA360理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?336次閱讀

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會以要點列示為主,如果遺漏
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?522次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(<b class='flag-5'>Sic</b>)加速上車原因的詳解;

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?595次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?796次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?732次閱讀
    電鏡<b class='flag-5'>技術(shù)</b>在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2461次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算需求,服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?897次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析(1)

    是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn):
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?900次閱讀
    是德示波器如何精準(zhǔn)測量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>SiC</b>的動態(tài)特性