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三安集成攜第三代HBT參加電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2020-10-26 09:35 ? 次閱讀
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10月14日,三安集成連續(xù)第四次參加電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)(EDICON),與通訊行業(yè)同仁共同探討行業(yè)熱門話題。本次展會(huì),三安集成攜最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工藝,為客戶呈現(xiàn)兩場(chǎng)技術(shù)交流分享會(huì)。

三安集成在砷化鎵射頻芯片制造工藝領(lǐng)域持續(xù)投入,不斷提高工藝水平,第三代HBT工藝可以應(yīng)用于HPUE/APT PA,提供了更高的功率密度以及PAE水平,支持客戶在高頻段消費(fèi)類通訊的應(yīng)用需求。另外,0.1/0.15/0.25um pHEMT工藝均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),可以為客戶提供世界一流的生產(chǎn)能力和性能水平。在展會(huì)期間,砷化鎵射頻事業(yè)部的林義書處長(zhǎng)就5G應(yīng)用市場(chǎng)闡述三安集成的服務(wù)能力。

為配合客戶在射頻前端模組的設(shè)計(jì)需求,三安集成也在積極建設(shè)濾波器產(chǎn)業(yè)鏈,于日本成立研發(fā)中心,匯集國(guó)際尖端科研智慧,及時(shí)響應(yīng)市場(chǎng)動(dòng)態(tài),為客戶提供最新的技術(shù)成果;三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的濾波器供應(yīng)鏈,垂直整合了研發(fā)設(shè)計(jì),襯底材料,芯片制造和封裝測(cè)試等環(huán)節(jié),確保穩(wěn)定持續(xù)的產(chǎn)能供應(yīng),預(yù)計(jì)到2021年第二季度,產(chǎn)能可以達(dá)到120Mu/月。濾波器事業(yè)部的謝祥政經(jīng)理也就表面聲波(SAW)濾波器仿真的相關(guān)議題進(jìn)行了分享。

Sanan IC Stand at EDI CON China 2020

三安以近20年的化合物半導(dǎo)體制造經(jīng)驗(yàn),專業(yè)的設(shè)計(jì)支持團(tuán)隊(duì),以及豐沛的產(chǎn)能,為微波射頻、功率電子以及光技術(shù)領(lǐng)域的客戶提供標(biāo)準(zhǔn)化及客制化的生產(chǎn)服務(wù)。

原文標(biāo)題:三安集成持續(xù)投入砷化鎵射頻芯片,積極建設(shè)濾波器產(chǎn)業(yè)鏈

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原文標(biāo)題:三安集成持續(xù)投入砷化鎵射頻芯片,積極建設(shè)濾波器產(chǎn)業(yè)鏈

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