本應(yīng)用筆記提出了一種非隔離式LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)，該驅(qū)動(dòng)器旨在直接從400VDC輸入進(jìn)行操作。該設(shè)計(jì)以400mA驅(qū)動(dòng)一串27個(gè)WLED（白色LED）或可選的6個(gè)琥珀色LED。拓?fù)涫菐в凶儔浩鞯牟贿B續(xù)反激。具有MAX16801 HB（高亮度）LED控制器。

簡(jiǎn)要電路說(shuō)明

該參考設(shè)計(jì)是用于離線環(huán)境（400VDC）的反激式LED驅(qū)動(dòng)器。該設(shè)計(jì)可在400mA的電流下驅(qū)動(dòng)27個(gè)WLED（白色LED）。安裝跳線J1后，該設(shè)計(jì)以400mA的電流驅(qū)動(dòng)6個(gè)琥珀色LED。該設(shè)計(jì)使用MAX16801 HB LED控制器和一個(gè)三繞組變壓器（耦合電感器）。由于電流感應(yīng)直接饋入IC控制環(huán)路，因此沒(méi)有電氣隔離。

變壓器的匝數(shù)比為18：6：1。初級(jí)電感為800μH，額定電流為750mA（峰值），占空比始終小于50％。

工作頻率為265kHz，并且不可調(diào)節(jié)。過(guò)壓保護(hù)（非閂鎖）為120V。紫外線檢測(cè)電平為310V。開(kāi)啟延遲時(shí)間約為43毫秒，此后VIN約為22V，IC將開(kāi)始驅(qū)動(dòng)外部MOSFET。反過(guò)來(lái)，這將導(dǎo)致VIN電容器衰減，直到自舉繞組可以提供支持為止。由于LED在低電壓下的高阻抗，主要的次級(jí)負(fù)載最初將僅是輸出電容器。次級(jí)與第三級(jí)匝數(shù)比為6：1，這意味著一旦在輸出電容器兩端形成60V電壓，自舉繞組將為IC提供10V電壓。對(duì)于6 LED燈串選項(xiàng)（即，安裝了J1），在IC可用10V電壓之前，輸出電容器顯然必須充電至10.7V。

計(jì)算得出的電感初級(jí)繞組的峰值電流為750mA。通過(guò)將次級(jí)繞組夾在中間的分流式初級(jí)，可以將漏電感降至最低。測(cè)量的初級(jí)泄漏電感小于5μH。由于該值很低，因此沒(méi)有專門(mén)的措施來(lái)消散漏感能量。所有泄漏能量都在MOSFET本身中消散。變壓器溫升低于30°C。

開(kāi)關(guān)MOSFET具有隔離片，可將散熱器接地。這樣可以最大程度地減少經(jīng)歷高速電壓瞬變的金屬表面積，從而最大程度地降低輻射EMI。MOSFET的溫度升高不到40°C。

編輯：hfy