前言：實現(xiàn)硬件方面的復(fù)興，才能充分挖掘人工智能時代的潛力。在性能、功耗和密度（面積/成本）方面得到顯著改善的新興存儲可以滿足邊緣計算、近邊緣和云計算的需求。

作者 | 方文

預(yù)計在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（PCM和MRAM）將在獨立存儲器中處于領(lǐng)先地位。

傳統(tǒng)存儲芯片到達技術(shù)節(jié)點

存儲器產(chǎn)業(yè)如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存儲器三個相對獨立的市場。

然而，隨著摩爾定律的延伸，技術(shù)需求也越來越高，傳統(tǒng)存儲芯片的弊端也逐漸開始顯現(xiàn)。

隨著芯片技術(shù)節(jié)點接近其物理極限，電容器中電子數(shù)量的減少，使DRAM存儲器更容易受到外部電荷的影響;Flash在工作時面臨嚴(yán)重的串?dāng)_問題，從而縮短其使用壽命;SRAM在信噪比和軟故障方面也存在問題。

此外，當(dāng)芯片制程小于28nm時，這些問題會變得更加嚴(yán)重。

AI時代結(jié)構(gòu)設(shè)計的變化影響了邏輯和存儲。機器學(xué)習(xí)算法大量使用了矩陣乘法運算，而這些運算在通用邏輯中十分繁瑣，這推動了加速器及存儲器的發(fā)展。

性能和功耗在云計算和邊緣計算應(yīng)用場景中，SRAM和DRAM作為“工作內(nèi)存”的一個主要缺點是，它們是易失的，需要持續(xù)供電來保存數(shù)據(jù)（比如權(quán)重）。

主要的新存儲器候選是磁性隨機存取存儲器（MRAM）、相變存儲器（PCRAM）。

這兩種存儲器都采用了新的材料，可以被設(shè)計成高電阻率和低電阻率，而高電阻率和低電阻率又分別代表0和1。

MRAM通過改變磁性方向來控制電阻率;PCRAM利用材料從無定形到結(jié)晶的排列變化。

PCRAM：云計算架構(gòu)的主要候選者

因為PCRAM比DRAM提供更低的功耗和成本，并且比固態(tài)硬盤和硬盤驅(qū)動器具有更高的性能。

PCRAM甚至是鐵電場效應(yīng)晶體管（FeFETs）都是很好的選擇，因為它們都有實現(xiàn)每單元存儲多bit的潛力。

近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。

PCRAM像所有新興存儲器一樣，但是如果是和看好MRAM（磁性隨機存儲器）的人討論，當(dāng)然會說MRAM適用于各種用途，而PCRAM則否，反之亦然。

與商業(yè)化程度更高的MRAM相比，PCRAM擴展的潛力是其最吸引人的特點之一。MRAM中存儲單元的面積大約是PCRAM中的10倍。

這意味著相同字節(jié)大小的情況下，前者的單元數(shù)量要少得多，因此MRAM的可擴展性非常值得懷疑。

雖然 PCM 存儲器技術(shù)看似即將成熟，但到普及恐怕還需要一點時間，但為了因應(yīng)新興科技的發(fā)展，高速儲存裝置仍然是不可或缺的技術(shù)，也是市場關(guān)注焦點。

目前，國際上僅有三星、英特爾等推出了相關(guān)產(chǎn)品，但多為非嵌入式相變存儲器產(chǎn)品。

今年8月時代全芯發(fā)布了基于相變材料的2兆位可編程只讀相變存儲器產(chǎn)品“溥元611”。

這是國內(nèi)首款商業(yè)化量產(chǎn)的相變存儲產(chǎn)品，其發(fā)布標(biāo)志著AMT已成為全球繼美光、三星之后少數(shù)幾個掌握相變存儲器研發(fā)、生產(chǎn)工藝和自主知識產(chǎn)權(quán)的公司。

MRAM在邊緣展現(xiàn)出優(yōu)勢

作為一種替代方案，MRAM承諾將使晶體管密度提高數(shù)倍，從而實現(xiàn)更高的存儲密度或更小的芯片尺寸。

MRAM的另一個關(guān)鍵特性是它可以被設(shè)計成嵌入式系統(tǒng)芯片產(chǎn)品的后端互連層。MRAM可用于存儲SOC的操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序，從而消除了為此目的而使用嵌入式閃存芯片的需要，從而降低了系統(tǒng)芯片總數(shù)和成本。

高性能的“近邊緣”應(yīng)用場景，如缺陷檢測和醫(yī)學(xué)篩選，需要更高的性能。一種被稱為自旋軌道轉(zhuǎn)矩MRAM （SOT-MRAM）的MRAM變體可能被證明比自旋轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)移MRAM （STT-MRAM）更快、更低功耗。

如今的邊緣設(shè)備主要使用的是SRAM存儲器，這種存儲器每個cell最多可使用6個晶體管，而且可能會受到高有源漏電功率的影響，從而影響效率。

作為一種替代方案，MRAM可以將使晶體管密度提高數(shù)倍，從而實現(xiàn)更高的存儲密度或更小的芯片尺寸。

更大的容量，更緊湊的芯片，更低的功耗，聽起來像是所有處于邊緣處理器的勝利。

這接近于SRAM所“吹噓”的性能，使得MRAM成為當(dāng)今幾乎所有易失性存儲器的有吸引力的替代品。

與傳統(tǒng)的DRAM和閃存相比，MRAM的一個明顯差距在其容量方面。如Everspin最近發(fā)布了一個32Mb的設(shè)備。

但相比之下，最大的每單元4位的NAND部件提供了4Tb的密度。但MRAM更有理由在物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域脫穎而出，因為其性能、持久性和無限的續(xù)航能力足以彌補其容量的不足。

這樣的可能性使我們可以預(yù)見到未來有望出現(xiàn)新型的、功能大大提升的單芯片系統(tǒng)這一美好前景。

當(dāng)前的計算架構(gòu)下MRAM不會成為主流

在當(dāng)前的計算架構(gòu)下，邏輯和存儲處于分離狀態(tài)，現(xiàn)有的晶體管技術(shù)已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)幾個納米制程，包含數(shù)十億個晶體管的邏輯電路，同時現(xiàn)有的存儲能夠以足夠低的成本做到TB量級。

在邏輯或者存儲方面，自旋芯片都無法替代現(xiàn)有的主流芯片，只能應(yīng)用于某些特定需求的領(lǐng)域。

盡管有些人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)在商業(yè)上取得了一定程度的成功，但它們也落后于離散存儲器的高性價比替代方案。盡管具有更高的性能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。

盡管MRAM已經(jīng)在離散應(yīng)用的嵌入式市場中取得了一些成功，甚至證明它可以處理汽車應(yīng)用的極端環(huán)境，但MRAM仍然是一個利基存儲器。

結(jié)尾：

目前尚不清楚哪種當(dāng)前或下一代內(nèi)存技術(shù)是贏家。也許所有技術(shù)都擁有一席之地。

總而言之，在下一代存儲器中，哪一類更適合于AI邊緣應(yīng)用尚無共識。業(yè)界繼續(xù)探索當(dāng)前和未來的選擇。

責(zé)任編輯：PSY