特斯拉將在國內推第三代家用充電樁
日前，我們從官方獲悉，特斯拉正式在國內推出第三代家用充電樁。新一代充電樁外觀更加小巧精致，表面采用鋼化玻璃面板，重量僅為5.5千克，在更小的體積下，充電樁的充電性能并沒有變化，此外還加入了Wi-Fi聯(lián)網功能。
我們從官方獲悉，特斯拉第三代壁掛式家充樁支持常規(guī)的220V單相以及380V三相電供電。充電效率方面，用戶使用單相電的充電功率所有車型均為7KW；使用三相供電Model 3/Model Y為11KW，Model S/Model X為16KW（以上為典型值，僅供參考）。此外特斯拉第三代家充樁支持Wi-Fi聯(lián)網（2.4 GHz 802.11 b/g/n），從而具備OTA遠程固件升級的能力。值得一提的是，該樁的充電線達到7.4米，能夠應對車位距離充電樁較遠的環(huán)境。
價格方面，用戶選配第三代家充樁的價格依然維持原價，為8000元，同時用戶還將獲得80米的線纜材料及基礎施工費用、一次成功的勘探、施工方案設計及報價、一個空氣開關和漏電保護器及其安裝、充電器安裝及送電調試。質保方面，家充樁的質保為4年，安裝工程的質保為2年。
責編AJX
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電動汽車
+關注
關注
156文章
12616瀏覽量
236894 -
特斯拉
+關注
關注
66文章
6413瀏覽量
131380 -
充電樁
+關注
關注
155文章
3050瀏覽量
89648
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
第三代特斯拉人形機器人將亮相，預計年產百萬臺
2月2日，特斯拉官方微博發(fā)布消息稱，第三代特斯拉人形機器人，即將正式亮相。據官方消息，新機完全跳出現有供應鏈體系，從第一性原理出發(fā)重新設計，不用復雜編程，觀察人類行為、聽口頭指令甚至看段視頻，就能自主執(zhí)行任務。
瑞可達推出第三代模塊化交直流一體充電插座
瑞可達憑借深厚的技術積累與創(chuàng)新精神，推出第三代模塊化交直流一體充電插座，以全新設計突破行業(yè)瓶頸，為新能源汽車充電系統(tǒng)提供更優(yōu)解決方案。
龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現“高技術投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣鳌Ｒ?、成本構成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半導體產業(yè)合作大會
10月25日，第三代半導體產業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術認知
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數的特性。
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現，正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域
隨著電子技術的快速發(fā)展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（1）
隨著AI技術井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發(fā)制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產在即
電子發(fā)燒友網綜合報道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產進程，將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于將負極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
工商網監(jiān)
評論