隨著5G商用落地，工業(yè)4.0的持續(xù)推進(jìn)，功率半導(dǎo)體作為碳中和的重要技術(shù)受到廣泛關(guān)注。對比目前的Si功率器件，SiC和GaN等功率半導(dǎo)體具備處理高電壓、大電流的能力，且體積更小，耗電量也大幅降低。

盡管面臨著難以加工的課題，但進(jìn)入21世紀(jì)后，功率半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品不斷面世，各國紛紛展示出空前的重視。

根據(jù)日本運營知識產(chǎn)權(quán)庫的Astamuse發(fā)布的數(shù)據(jù)，在2000年至2017年期間，全球37個國家共申請了4.7428萬件功率半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)專利。按國家劃分，美國的相關(guān)專利達(dá)1.3973萬件位于第一位，其次是日本的1.2872萬件，中國的8403件。

從企業(yè)專利數(shù)量來看，日本的三菱電機排名第一，為1304件，其次是德國英飛凌（983件），瑞薩電子（802件），東芝（456件）。富士電機（409件）排在第六，日立制作所（398件）為第七名。

美國公司中，英特爾以423件發(fā)明專利位居第五位，韓國的三星SDI則以280件位居第十。

日經(jīng)認(rèn)為，盡管日本在世界半導(dǎo)體市場上的優(yōu)勢地位已然暗淡，但在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域其仍占有一席之地。另外，中國公司雖沒能躋身榜單前幾名，但觀察全球，各國近期的專利申請數(shù)的增長勢頭已經(jīng)超過了美國，今后有可能會崛起。

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