近日，在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上，新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn)，再次成功入選 “中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”！自2016年以來(lái)，這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮，不僅是對(duì)企業(yè)技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)地位的認(rèn)可，更是對(duì)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定！

“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”評(píng)選由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)起，旨在表彰在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有領(lǐng)先技術(shù)、市場(chǎng)影響力和創(chuàng)新能力的標(biāo)桿企業(yè)。評(píng)選基于企業(yè)技術(shù)研發(fā)實(shí)力、市場(chǎng)占有率、產(chǎn)品可靠性及行業(yè)貢獻(xiàn)等多維度綜合評(píng)定，含金量極高。

作為功率器件領(lǐng)域的核心供應(yīng)商，新潔能始終專(zhuān)注于 “高性能、高可靠性半導(dǎo)體功率器件”的研發(fā)與生產(chǎn)，不斷突破各產(chǎn)品線(xiàn)技術(shù)瓶頸。目前已成功推出：

1、第三代SGT MOSFET系列產(chǎn)品，相比于第二代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻Ron.sp 降低30%，F(xiàn)OM值降低30%，拓寬直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池保護(hù)、AC/DC同步整流等廣泛應(yīng)用市場(chǎng)。

2、第七代IGBT系列產(chǎn)品，擁有業(yè)界領(lǐng)先水平的飽和壓降和開(kāi)關(guān)損耗的折中特性和超高電流密度，以1200V/160A、650V/200A超大電流單管產(chǎn)品為主導(dǎo)，不斷拓展新能源等市場(chǎng)應(yīng)用。

3、第四代SJ MOSFT系列產(chǎn)品，進(jìn)一步降低特征導(dǎo)通電阻，提升器件的功率密度，在相同體積下可以大幅提升器件電流能力。同時(shí)，器件加入了開(kāi)關(guān)特性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)，可以為系統(tǒng)EMC設(shè)計(jì)提供更大的余量。此外，該系列產(chǎn)品優(yōu)化了器件的抗靜電能力，提升了系統(tǒng)應(yīng)用的可靠性。

4、Trench MOSFET G5系列產(chǎn)品，是新潔能新推出的高集成度短溝世代產(chǎn)品，集成度較上一代產(chǎn)品提高了1.5倍以上，Rsp以P30V為例降低50%以上。

5、第二代SiC MOSFET系列產(chǎn)品，通過(guò)創(chuàng)新性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與先進(jìn)的，碳化硅材料工藝,實(shí)現(xiàn)高溫工況下導(dǎo)通電阻特性的大幅優(yōu)化,顯著提升系統(tǒng)效率與可靠性，其雪崩耐量參數(shù)達(dá)到業(yè)界頂尖水平，可完美適配新能源汽車(chē)電驅(qū)、大功率充電模塊、工業(yè)變頻器等高頻、高精度場(chǎng)景，并通過(guò)超越AEC-O101等車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證的嚴(yán)苛可靠性驗(yàn)證,確保產(chǎn)品在極端溫度、機(jī)械應(yīng)力及長(zhǎng)期負(fù)載下的穩(wěn)定表現(xiàn)。

6、IGBT系列模塊搭載第七代IGBT芯片，實(shí)現(xiàn)更高功率密度和更低開(kāi)關(guān)/導(dǎo)通損耗，低雜散電感設(shè)計(jì)，更低的熱阻，拓寬光伏、儲(chǔ)能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用市場(chǎng)。

7、柵極驅(qū)動(dòng)：涵蓋硅基、碳化硅、氮化鎵等功率器件驅(qū)動(dòng)，電壓范圍覆蓋25V~700V，近200款驅(qū)動(dòng)覆蓋Infineon/ON/TI全系列產(chǎn)品；

智能功率模塊（IPM）：提供業(yè)內(nèi)功率密度最大的半橋模塊，實(shí)現(xiàn)“器件集成化、保護(hù)內(nèi)置化、控制智能化”三大突破；

智能功率開(kāi)關(guān)：涵蓋過(guò)流/過(guò)溫保護(hù)、雙通道、過(guò)壓保護(hù)、失地保護(hù)、狀態(tài)診斷、負(fù)載開(kāi)路保護(hù)、斜率控制等，能夠?qū)崿F(xiàn)高度集成化、主動(dòng)安全防護(hù)、數(shù)字智能控制等;

高邊靜態(tài)驅(qū)動(dòng)：可提供100%占空比驅(qū)動(dòng)高邊NMOS，在安全性、可靠性、和設(shè)計(jì)便捷性方面，全面超越了傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)方案；

音頻功放（ClassD）：提供高達(dá)300V/600V耐壓的Class D功放驅(qū)動(dòng)，正快速取代傳統(tǒng)模擬功放。

未來(lái)，新潔能將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)，深耕功率半導(dǎo)體技術(shù)，為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與解決方案，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展！