91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代真無(wú)線耳機(jī)Redmi AirDots 3正式上架京東開(kāi)售

lhl545545 ? 來(lái)源:快科技 ? 作者:隨心 ? 2021-03-08 09:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2月25日晚,Redmi召開(kāi)K40系列新品發(fā)布會(huì),會(huì)上還發(fā)布了第三代真無(wú)線耳機(jī)Redmi AirDots 3,首發(fā)價(jià)僅199元。

相比第二代的AirDots 2,AirDots 3堪稱全面升級(jí),從藍(lán)牙5.0升級(jí)到藍(lán)牙5.2,發(fā)聲單元從動(dòng)圈升級(jí)為動(dòng)圈+動(dòng)鐵,Micro USB接口升級(jí)為Type-C接口。

并新增支持開(kāi)蓋彈窗、佩戴檢測(cè)、觸控操作、支持aptX Adaptive,適配小愛(ài)同學(xué)等功能。

Redmi AirDots 3延續(xù)了Redmi AirDots 2的設(shè)計(jì),包括圓潤(rùn)的充電艙造型,入耳式無(wú)小尾巴造型。充電艙提供紅、藍(lán)、白三色可選。

Redmi AirDots 3搭載高通3040芯片,同時(shí)升級(jí)為藍(lán)牙5.2技術(shù),顯著改善音畫(huà)不同步、卡頓干擾等問(wèn)題,讓聲音傳輸更快更穩(wěn)。

而且支持aptX Adaptive音頻解碼,集高清音質(zhì)與低延時(shí)于一體,無(wú)論追劇聽(tīng)歌還是娛樂(lè)游戲,讓你時(shí)刻感受流暢好聲音。

其采用高精度紅外傳感器,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)佩戴狀態(tài),取下耳機(jī)音樂(lè)暫停,戴上耳機(jī)音樂(lè)繼續(xù)播放。流暢切換,不錯(cuò)過(guò)每一個(gè)聲音細(xì)節(jié)。

續(xù)航方面,單只耳機(jī)滿電可使用約7小時(shí)(上一代僅4小時(shí)),配合600mAh充電盒,續(xù)航可達(dá)約30小時(shí),基本可以滿足全天的視聽(tīng)需求。
責(zé)任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2576

    文章

    55028

    瀏覽量

    791241
  • 無(wú)線耳機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    3272

    瀏覽量

    51679
  • Redmi
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    620

    瀏覽量

    27280
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開(kāi)發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?614次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道,碳化硅器件成本有望年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道,碳化硅器件成本有望年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?385次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?251次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1422次閱讀

    開(kāi)啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?787次閱讀
    基本半導(dǎo)體B<b class='flag-5'>3</b>M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1183次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?726次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證

    尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 06-12 13:47 ?611次閱讀
    尋跡智行<b class='flag-5'>第三代</b>自研移動(dòng)機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證

    芯科科技第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC的大領(lǐng)先特性

    Silicon Labs(芯科科技)第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線產(chǎn)品開(kāi)發(fā)趨勢(shì),該系列產(chǎn)品升級(jí)了大功能特性:可擴(kuò)展性、輕松
    的頭像 發(fā)表于 06-04 10:07 ?1083次閱讀

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2436次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?887次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列

    近日,英飛凌的磁傳感器門(mén)類(lèi)再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:33 ?1533次閱讀
    英飛凌發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>3</b>D霍爾傳感器TLE493D-x<b class='flag-5'>3</b>系列

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽(yáng)極電池的量產(chǎn)進(jìn)程,將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3272次閱讀