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“硅基MEMS壓電薄膜及器件關(guān)鍵技術(shù)與平臺(tái)”的項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2021-03-26 10:25 ? 次閱讀
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2021年3月20日,國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵部件”重點(diǎn)專項(xiàng)項(xiàng)目“硅基MEMS壓電薄膜及器件關(guān)鍵技術(shù)與平臺(tái)”的項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在諾思(天津)微系統(tǒng)有限責(zé)任公司隆重召開。工信部領(lǐng)導(dǎo)、專家委員會(huì)專家、中心推薦專家、MEMS傳感器領(lǐng)域?qū)<遥旖蚴泄ば啪?、科技局、?jīng)開區(qū)電子局及天津大學(xué)精儀學(xué)院相關(guān)領(lǐng)導(dǎo),武漢大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、華中科技大學(xué)、國(guó)家納米科學(xué)中心及天津大學(xué)等項(xiàng)目合作單位及課題組成員代表五十余人蒞臨諾思公司參會(huì)。與會(huì)專家對(duì)諾思公司牽頭承擔(dān)該項(xiàng)目獲批國(guó)家立項(xiàng)均表示祝賀,認(rèn)真聽取了諾思公司發(fā)展歷程及遠(yuǎn)景規(guī)劃的報(bào)告,對(duì)項(xiàng)目的各子課題開題報(bào)告及總體組織與管理進(jìn)行了充分討論,對(duì)牽頭承擔(dān)單位諾思公司進(jìn)行了參觀和深入調(diào)研,項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)獲得圓滿成功。

“硅基MEMS壓電薄膜及器件關(guān)鍵技術(shù)與平臺(tái)”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)現(xiàn)場(chǎng)


作為項(xiàng)目牽頭承擔(dān)單位代表,諾思(天津)微系統(tǒng)有限責(zé)任公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理及首席科學(xué)家向與會(huì)領(lǐng)導(dǎo)、專家及項(xiàng)目成員單位同仁表示熱烈歡迎,并詳細(xì)介紹了諾思的發(fā)展和近況。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人對(duì)本項(xiàng)目立項(xiàng)情況進(jìn)行了介紹,并表示各課題組參與單位將在未來(lái)三年將基于項(xiàng)目要求與諾思開展深入合作。

在技術(shù)方面,諾思核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)展出全新的ICBAR技術(shù)路線,具有獨(dú)特性能優(yōu)勢(shì);在BAW領(lǐng)域已申請(qǐng)的國(guó)內(nèi)發(fā)明專利達(dá)316項(xiàng),PCT專利130項(xiàng),并在濾波器設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)、工藝、封裝等多方面建立起強(qiáng)有力的技術(shù)壁壘。諾思已研發(fā)完成下一代更低成本、更高性能、更高功率的解決方案,產(chǎn)品線全面覆蓋4G/5G頻段,實(shí)測(cè)性能優(yōu)良,解決了技術(shù)上的“卡脖子”問題。

在生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)方面,經(jīng)過前期良率爬坡、量產(chǎn)積累過程,諾思現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)唯一具備大規(guī)模穩(wěn)定交付能力、產(chǎn)品種類齊全、生產(chǎn)良率穩(wěn)定、質(zhì)量和可靠性已獲客戶驗(yàn)證的高端BAW芯片供應(yīng)商,為全面國(guó)產(chǎn)替代做好了充分準(zhǔn)備。當(dāng)前,公司量產(chǎn)交付已上新的臺(tái)階,產(chǎn)線滿產(chǎn)且7 x 24小時(shí)運(yùn)行,客戶訂單供不應(yīng)求。未來(lái)3年內(nèi)的主要需求是進(jìn)一步擴(kuò)充量產(chǎn)產(chǎn)能,目標(biāo)達(dá)到年產(chǎn)20億顆芯片的產(chǎn)能規(guī)模,從而真正解決高端射頻濾波芯片的國(guó)產(chǎn)供應(yīng)難題。

工信部與會(huì)領(lǐng)導(dǎo)在講話中對(duì)項(xiàng)目的立項(xiàng)背景和要求做了介紹,并對(duì)牽頭單位諾思公司的準(zhǔn)備工作表示認(rèn)可,強(qiáng)調(diào)了諾思在項(xiàng)目過程中承擔(dān)的法人管理職責(zé)?!肮杌鵐EMS壓電薄膜及器件關(guān)鍵技術(shù)與平臺(tái)”是國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵部件”的立項(xiàng)項(xiàng)目之一,針對(duì)5G/6G無(wú)線通訊、物聯(lián)網(wǎng)等對(duì)射頻濾波器、智能傳感器提出新的技術(shù)要求,對(duì)實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)硅基MEMS壓電器件的大規(guī)模生產(chǎn)、擺脫我國(guó)目前關(guān)鍵MEMS壓電器件受制于人的局面,具有重要而深遠(yuǎn)的意義。


天津市科技局領(lǐng)導(dǎo)表達(dá)了市級(jí)主管部門對(duì)諾思的大力支持以及對(duì)保證項(xiàng)目順利實(shí)施完成的信心,并對(duì)諾思作為天津高新技術(shù)企業(yè)的代表,在射頻濾波芯片領(lǐng)域聚焦研發(fā),率先解決了“卡脖子”技術(shù)難題,取得的成績(jī)倍感振奮與鼓舞。他代表市科技局,希望借助國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目的契機(jī),形成對(duì)產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)發(fā)展的新的推動(dòng)力。

專家委員會(huì)首席責(zé)任專家在會(huì)議上對(duì)諾思的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)能力給予了高度評(píng)價(jià)。首席專家指出,諾思花費(fèi)多年心血建設(shè)成的這條6英寸硅基MEMS濾波芯片生產(chǎn)線,對(duì)于國(guó)內(nèi)射頻前端產(chǎn)業(yè)鏈的完整性和安全性,有著至關(guān)重要的意義。希望諾思繼續(xù)發(fā)揮量產(chǎn)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),與國(guó)內(nèi)高校和科研院所實(shí)現(xiàn)聯(lián)動(dòng)效應(yīng),培養(yǎng)一支能夠有效支持產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)、并將產(chǎn)品推向市場(chǎng)應(yīng)用的高級(jí)人才隊(duì)伍,為MEMS領(lǐng)域的前沿成果落地和產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。

其他眾多行業(yè)知名專家也出席會(huì)議并對(duì)此項(xiàng)目的意義和實(shí)施方案發(fā)表了重要意見。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:“硅基MEMS壓電薄膜及器件關(guān)鍵技術(shù)與平臺(tái)”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)成功舉辦

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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